【課題】従来技術とは全く異なる構成でＯＢ段差をなくすことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに隣接して配置される２つの有効画素５１，５２からなる有効画素ペアであって、二次元状に配列された複数の有効画素ペアと、撮像画像信号の黒の基準レベルを検出するためのＯＢ画素５３，５４を含むＯＢ画素群であって、同一行に並ぶ複数の前記有効画素ペアに対応して設けられた少なくとも１つのＯＢ画素群を備え、前記ＯＢ画素群に含まれるＯＢ画素５３，５４は、前記有効画素ペアに含まれる有効画素５１，５２の光電変換領域５１ａ,５２ａと対応する位置に形成される素子領域５３ａ,５４ａの構成が全てのＯＢ画素５１，５２で同じになっていないものである。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像装置は、半導体層３６と、前記半導体層内に形成され、前記半導体層の裏面側から照射された光を信号変換して電荷を蓄積する複数の受光部ＰＤと、前記半導体層の表面上に形成され、前記複数の受光部に蓄積された電荷を読み出す複数の回路部３３と、を備える裏面照射型固体撮像装置であって、前記半導体層内の前記裏面から前記表面まで達するように形成され、隣接する２つの前記受光部を分離する不純物分離層３４と、前記不純物分離層内の前記裏面側の一部に、前記裏面から前記表面に向かって形成された遮光膜３５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも撮像速度を向上させることができる画素周辺記録型撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】画素周辺記録型撮像素子は、ドライバの出力電極７１および７２からそれぞれ露光パルスφＰＤ１およびφＰＤ２を入力する入力電極５１および５２と、ドライバの出力電極７３〜７６からそれぞれ蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４を入力する入力電極５３〜５６と、ドライバの出力電極７７および７８からそれぞれ垂直転送パルスφＶ１およびφＶ２を入力する入力電極５７および５８と、画素の垂直方向列ごとに入力電極５３〜５６と所定電極とを電気的に接続するタングステン配線８０とを含み、蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４がそれぞれ供給されるＣＣＤメモリの転送電極ごとに複数本のタングステン配線８０が接続され、入力電極５１〜５８は隣接する入力電極と電気的に切断された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】電子増倍駆動時間の短時間化を図り高Ｓ／Ｎの撮像画像信号を得る。
【解決手段】受光量に応じた信号電荷を電荷転送路に読み出し、信号電荷を蓄積した電荷転送路上の電位井戸１より深い電位井戸３を電位障壁４を介して電荷転送路上に形成し、電位井戸１内の信号電荷を電位障壁４を消失させて電位井戸内３に落とし込んで電子増倍を行うと共に該電子増倍の駆動終了前に電位井戸３と同じ深さの少なくとも１つの連続電子増倍用電位井戸５を電位障壁６を介して電荷転送路上に形成し、前記電子増倍の駆動終了後に電位井戸３の深さを電位井戸１の深さに戻してから連続して電位障壁６を消失させ電位井戸３内の信号電荷を連続電子増倍用電位井戸５内に落とし込んで電子増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】高感度が可能で、且つ、気密性を確保しつつ、製造時の赤外線用の光学フィルタ膜の剥れを抑制できる赤外線検出器を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子１が実装されたパッケージ本体４と、パッケージ本体４に気密的に接合されたパッケージ蓋５と、赤外線を透過する第１の無機材料により形成されパッケージ蓋５の開口部５ａを塞ぐように配置されたキャップ材６と、赤外線を透過する第２の無機材料により形成されてキャップ材６よりも赤外線検出素子１から離れた位置でパッケージ蓋５の外側に配置されたレンズ７とを備える。レンズ７に、赤外線用の光学フィルタ膜が積層されており、キャップ材６が、パッケージ蓋５に気密的に接合され、レンズ７が、導電性ペーストによりパッケージ蓋５に接合されることでパッケージ蓋５と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電荷転送効率を劣化させることなく、光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された複数の光電変換部２と、平面視において光電変換部２の隣に設けられたＣＣＤとを有する固体撮像素子１０であって、ＣＣＤは、半導体基板内に形成された垂直電荷転送路３を含み、光電変換部２は、Ｎ型不純物領域２ｃと、Ｎ型不純物領域２ｃの表面に形成されたＰ型不純物領域２ｂとで構成され、垂直電荷転送路３と光電変換部２との間に形成された電荷読み出し領域４と、垂直電荷転送路３と光電変換部２との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域に形成された素子分離領域５と、Ｐ型不純物領域２ｂの表面に素子分離領域５に沿って形成され、光電変換部２の表面で発生した電荷が素子分離領域５に移動するのを抑制する偽信号バリア領域７とを備える。 （もっと読む）

【課題】裏面を入射光の受光面とした裏面照射型の固体撮像素子において、残像、クロストーク等の発生を防止すること。
【解決手段】半導体基板１０内において裏面から表面に向かう順に、Ｐ型の受光表面層１２と、光電変換された信号電荷を蓄積するＮ型のフォトダイオード１１と、Ｐ型の電位障壁層１４と、フォトダイオード１１から転送される信号電荷を蓄積するＮ型の電荷蓄積層１３を設ける。フォトダイオード１１から電荷蓄積層１３に信号電荷を転送するとき以外には、裏面バイアス発生回路７により受光表面層１２に０Ｖの電圧が印加され、信号電荷の転送時には、負のパルス信号が印加される。 （もっと読む）

【課題】撮像した画像の周辺部分でスミアの発生により異なる色付きが発生することを防止することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】ＣＣＤ２２は、受光した光の光量に応じて電荷を蓄積する複数の受光素子８０を垂直方向に沿って配列した素子列８２を水平方向に並列に複数列配置した半導体基板９０と、半導体基板９０上の光の入射側に設けられ、所定の色パターンを有して各々の前記受光素子に対して何れかの色成分の光を透過するカラーフィルタと、各々の素子列８２に対応して並列に配置され、対応する素子列８２の各受光素子８０に蓄積された電荷を転送する複数の垂直転送路８６と、を備えており、半導体基板９０上における光学ユニット２０から入射した光の光軸に対応する位置を含む垂直方向に沿った境界線を境として分割した領域の素子列８２と当該素子列８２に対応する垂直転送路８６との水平方向における並び順を逆としている。 （もっと読む）

【課題】省電力化及び高速化を共に実現するＣＣＤイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＣＤイメージセンサ１は、画素列１１を挟むように配置された第１及び第２のＣＣＤレジスタ１３，１５と、前記第１及び第２のＣＣＤレジスタ１３，１５の結合部１８に設けられた第１の出力手段１６，１７と、前記第１又は第２のどちらか一方のＣＣＤレジスタ１３，１５により転送される電荷を読み出すと共に転送する第３のＣＣＤレジスタ２２と、前記第３のＣＣＤレジスタ２２の端部に設けられた第２の出力手段２３，２４と、運転モードに応じて、前記第２の出力手段２４による出力を行うか否かを切り替える切り替え手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電極間ショートの発生率を抑えたＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置は、２次元表面を画定する半導体基板と、前記半導体基板の受光領域に、行列状に配置された多数個の光電変換素子と、各光電変換素子の各列間に垂直方向に配列された垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネル上方に形成され、各光電変換素子の各行間に水平方向に複数行に渡ってギャップを挟んで配列された複数の単層電極と、前記ギャップを充填し、その端部が前記光電変換素子の領域に突出している絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の読み出し電圧を低くすることが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された光電変換素子５１と、半導体基板内に形成され光電変換素子５１で発生した電荷を転送する電荷転送チャネル５２ａと、電荷転送チャネル５２ａ上方に絶縁膜６２を介して形成された電荷転送電極Ｖ１〜Ｖ６とを含む固体撮像素子５を有するデジタルカメラであって、電荷転送電極Ｖ２が光電変換素子５１から電荷転送チャネル５２ａに電荷を読み出すための読み出し電極であり、半導体基板及び電荷転送電極Ｖ１〜Ｖ６の上方には、光電変換素子５１上方に開口を有する導電性の遮光膜５９が形成され、撮像期間のうち読み出し電極に読み出しパルスを印加する期間に、該読み出しパルスとは逆極性の電圧を遮光膜５９に印加する撮像素子駆動部１０を備える。 （もっと読む）

【課題】垂直電荷転送路上で画素加算を行えるようにする。
【解決手段】奇数行の画素行に対して偶数行の画素行を１／２画素ピッチづつずらして形成し、奇数行の画素で構成する第１画素群と偶数行の画素で構成される第２画素群の各々にカラーフィルタをベイヤ配列し、隣接する画素列のうちカラーフィルタ配列が同パターンとなる２列の画素列の各々の垂直電荷転送路１０２を該２列の画素列で共用する構造とする。これにより、垂直電荷転送路１０２上で、Ｂ画素とｂ画素の信号電荷を加算することができ、Ｇ画素とｇ画素の信号電荷を加算することが可能となり、Ｒ画素とｒ画素の信号電荷を加算することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スミアの低減とともに、シェーディング特性の改善を図る。
【解決手段】受光部１２が２次元配列された撮像領域３３を水平方向（Ｘ方向）に関して２分割し、境界線３４に関して対称な第１撮像領域３３ａと第２撮像領域３３ｂとを形成する。第１及び第２撮像領域３３ａ，３３ｂでは、読み出しゲート１４を境界線３４に関して対称に、受光部１２の外側に配置し、さらに受光部１２の外側に垂直転送路１５を配置する。垂直転送路１５及び読み出しゲート１４の略直上位置に転送電極が設けられており、この転送電極上を覆い、かつ受光部１２の直上位置の一部を開口するように遮光膜が設けられている。遮光膜は、開口端が受光部１２の直上位置にまで延び、チャネルストップ側（外側）の張り出し幅が読み出しゲート１４側（内側）の張り出し幅より大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】多画素化が進んだ場合でも電荷転送効率や感度を維持可能にすると共に、電荷の混合を行った場合でも高画質の画を作ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに隣接する１対の光電変換素子１，２からなる光電変換素子組を複数有し、１対の光電変換素子１，２のうちの光電変換素子２に隣接して設けられた、光電変換素子２に蓄積された電荷を垂直方向Ｙに転送するための垂直電荷転送路３と、垂直電荷転送路３と光電変換素子２との間に設けられた、光電変換素子２に蓄積された電荷を垂直電荷転送路３に読み出すための素子−転送路間電荷読出し部１０と、光電変換素子２とこれと対をなす光電変換素子１との間に設けられた、該光電変換素子１に蓄積された電荷を該光電変換素子２に読み出すための素子−素子間電荷読出し部１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上げることなく配線低抵抗を下げる。
【解決手段】配線方向に延在し、かつ配線方向に直交する幅方向に複数配列されたダミー配線５０を、半導体基板３０上にゲート絶縁膜３６を介して設ける。ダミー配線５０の上方に、絶縁膜（層間絶縁膜３７、第１及び第２保護膜３９，４０）を介して信号配線６を形成する。これにより、信号配線６の幅方向に沿う断面形状がダミー配線５０の形状が反映されて蛇行し、断面積が増大する。構成が簡素でかつ製造が容易であるため、製造コストを上げることなく配線低抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直転送路で電子増倍を行うＣＣＤ型固体撮像素子で、撮像画像中の電子増倍に起因する固定パターンを抑制する。
【解決手段】 半導体基板表面に二次元アレイ状に形成された複数のフォトダイオードから夫々信号電荷を読み出す複数の垂直電荷転送路を備え、フォトダイオードから読み出された信号電荷を垂直電荷転送路上で電子増倍するＣＣＤ型固体撮像素子で撮像されたデータを補正するとき、垂直電荷転送路の電子増倍を行う箇所毎に検出された該電子増倍の増倍率データを予め取得しておき、ＣＣＤ型固体撮像素子から出力される撮像画像データを前記増倍率データで補正して増倍率のバラツキを抑制する。 （もっと読む）

【課題】垂直電荷転送路に発生する暗電荷に応じた暗電流を除去する補正を待ち時間を短くして実現することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】多数の光電変換素子（ＰＤ）１０１と複数のＶＣＣＤ１０２を含む固体撮像素子５を有する撮像装置であって、露光中にＰＤ１０１で発生した電荷に応じた信号を出力させるための第一駆動と、第一駆動によって電荷がＶＣＣＤ１０２で転送される際に該電荷に重畳される暗電荷に応じた信号である暗電流量を取得するための第二駆動とを行う撮像素子駆動部１０を備える。第二駆動とは、第一駆動時に各ＶＣＣＤ１０２に電荷が読み出されるＰＤ１０１の各々に対応して各ＶＣＣＤ１０２に形成される電荷蓄積パケット１０６を各ＶＣＣＤ１０２に電荷が存在していない状態で形成し、形成したパケット１０６に発生する暗電荷を、垂直方向に隣接するＮ個のパケット１０６同士で加算しながら転送するように動作させる駆動である。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードから垂直電荷転送路に電荷を読み出す際に、読み出し部の電界を緩和して、電子倍増効果を抑制し、感度を安定化させることの可能な固体撮像素子を提供する。
また、読み出し部の空乏化、キズなどの諸特性のマージンを向上することの可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を、電荷読み出し部を介して転送する電荷転送部とを備え、前記電荷読み出し部の反対側には、チャネルストップ部を介して電荷転送部が形成されており、前記電荷読み出し部側に電荷読み出しが行われるように構成された固体撮像素子において、前記電荷読み出し部は、前記電荷読み出し部を構成する不純物領域の前記電荷転送部側に前記不純物領域よりも低濃度の低濃度不純物領域を含むようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子自体の構造を変更することなく駆動制御の内容を工夫することでフレームレートを従来よりも上げることを可能にする。
【解決手段】垂直転送部上で信号電荷を垂直方向に転送するための第１の転送処理と、前記垂直転送部の出力から受け取った信号電荷をラインメモリから水平転送部に転送するための第２の転送処理と、前記水平転送部上で信号電荷を水平方向に転送する第３の転送処理とを予め定められたタイミングで制御すると共に、前記第２の転送処理を実施する第２の期間Ｔ２１の少なくとも一部の期間が前記第１の転送処理を実施する第１の期間Ｔ１１と重なるようにタイミングを制御する。第２の期間Ｔ２１が終了する時刻ｔ１２を、垂直転送部の電荷転送最終電極に電荷受け入れ用の電位が印加される前に配置して行間の電荷の混合を防止する。 （もっと読む）

【課題】 高解像度でも画素の感度を最大限にする。
【解決手段】 ＴＤＩ方式を用いたＣＣＤイメージセンサ３０には、第１の画素列１、第２の画素列２、蓄積部列３、ＳＨ１ゲート４、ＳＨ２ゲート５、第１の転送ゲート（ＴＤ１）６、第２の転送ゲート（ＴＤ２）７、第１のＣＣＤシフトレジスタ１０、第２のＣＣＤシフトレジスタ１１、及び最終段ゲート部１２が設けられている。第１の画素列１、第２の画素列２、蓄積部列３、ＳＨ１ゲート４、ＳＨ２ゲート５、第１の転送ゲート（ＴＤ１）６、第２の転送ゲート（ＴＤ２）７、第１のＣＣＤシフトレジスタ１０、及び第２のＣＣＤシフトレジスタ１１は、互いに離間され、それぞれ平行配置される。第１の画素列１を構成する画素は第２の画素列２を構成する画素と相対向して平行配置される。 （もっと読む）