【課題】消去光の大量照射による光疲労現象が生じるのを防止し、次に記録される放射線画像の読取感度の劣化を防止する。
【解決手段】放射線の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層２と、その発生した電荷を蓄積する電荷輸送層３と、読取光の照射により電荷を発生する読取用光導電層４と、読取光の照射によって読取用光導電層４に電荷対を発生させる線状の電荷対発生電極５と読取用光導電層４に電荷対を発生させない線状の電荷対非発生電極６とが交互に多数配置された電極層７とがこの順に積層された放射線画像検出器であって、電極層７側からの消去光の照射によって読出し後に放射線画像検出器に残留した電荷が消去される放射線画像検出器１０を備えた放射線画像検出装置において、電荷対発生電極５を透過する消去光の光量が、電荷対非発生電極６を透過する消去光の光量よりも小さくなるように構成する。 （もっと読む）

カラー画像を捕獲するためのイメージ・センサーであって、複数の行と列に配置された第1の画素群と第2の画素群を有する二次元アレイを備えていて、第1の画素群からの画素は、第2の画素群からの画素よりも分光光応答が狭く；第1の画素群と第2の画素群の配置が、少なくとも6個の画素を含む最小繰り返し単位を持つあるパターンを規定していて、その最小繰り返し単位の少なくともいくつかの行または列が第2の画素群からの画素だけで構成され、その最小繰り返し単位のいくつかの行または列が第1の画素群からの画素だけで構成され、第1の画素群からの画素だけで構成された行または列は、第1の画素群からの最大で2つの色の画素で構成されているイメージ・センサーが開示されている。
（もっと読む）

【課題】光電変換装置の受光面に傷がつくことを防止する。
【解決手段】ウェハの裏面には予め第１接着シートが貼り付けられている。ウェハには複数のイメージセンサが形成され、ウェハの表面には受光面が形成されている。ダイシング工程時、スクライブラインに沿ってウェハがイメージセンサチップに切り分けられた後、第１接着シートがＸ方向、Ｙ方向に引っ張られ紫外線が照射される。そしてイメージセンサの受光面側に第２接着シートが貼りつけられ、第２接着シートの貼り付け後、第１接着シートが剥離される。第１接着シートの剥離後、イメージセンサの裏面には新しく第３接着シートが貼り付けられる。第３シートが貼り付けられた後、第２接着シートに紫外線が照射されてイメージセンサの受光面側から剥離される。 （もっと読む）

【課題】
簡易な構成で耐光性を向上することができる光検出器及び安定して検査を行うことができるパターン基板の検査装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる光検出器１０は、容器１２と、容器１２内に設けられた受光素子１１と、容器１２に取り付けられ、受光素子１１の受光面に対応して設けられた窓部１３と、窓部１３と容器１２との間の空間に含まれた水素ガス１４とを有するものである。この構成によって、紫外線等の照射によって生じたダングリングボンドを水素で終端して、受光感度の低下を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】パッド部開口のためのエッチング除去工程と同一の工程でスクライブライン領域に沿ってエッチング除去を行なってもパッド部でのワイヤボンディング強度を確保でき、エッチング除去したパッド部の化合物の再付着を抑制して外観不良を低減する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１２０１中に複数の半導体装置領域１１０２が形成され、各半導体装置領域１１０２の分割ライン領域であるスクライブライン領域１２０５に沿ってダイシングされる。このスクライブライン領域１２０５上の少なくとも一部には、スクライブライン領域１２０５を横切ってポリシリコン膜１０１が形成されている。半導体装置領域１１０２内には、ＭＯＳトランジスタが配置され、ＭＯＳトランジスタのゲート電極１２０７とポリシリコン膜１０１がともに半導体基板１１０２から同一のゲート絶縁膜を介して配置される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子の出力である画像信号を平坦な波形とし、精度の高い画像情報の取り込みを可能とするイメージセンサをを提供する。
【解決手段】 本発明のイメージセンサは、入力する光信号を明度レベルに対応した電圧の電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換素子に対応して設けられ、各光電変換素子の電気信号の出力部と共通出力線との間をオン／オフする選択スイッチと、入力されるパルスに従い、順次前記選択スイッチをオン／オフ制御する走査回路と、一方の入力端子から入力される前記電気信号と、他方の入力端子から入力される基準電圧との差電圧を増幅する差動増幅器と、電気信号が入力される、差動増幅器の一方の入力端子に一端が接続され、他端に基準電圧が入力された抵抗と
を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フローティング容量を低減して検出感度を向上させることができる固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】複数の光電変換素子からなる光電変換素子列にて光電変換された電荷を転送する転送素子列と、転送素子列により転送された電荷を検出する電荷検出部１４とを有する。電荷検出部１４は、転送素子列における最終転送ゲート２９に隣接するよう配置される出力ゲート２１、２２と、電荷検出部１４の電荷をリセットするためのリセットゲート２３と、出力ゲート２１、２２とリセットゲート２３とに隣接して基板表面に形成されるフローティングディフュージョン部２６と、出力ゲート２２からリセットゲート２３に向かう方向にフローティングディフュージョン部２６上の縁部に沿って形成された追加ゲート３１ａ、３１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 反射防止膜及びエッチングストップ膜を設けるための工程を簡素化できる光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。反射防止膜９は、受光面と、素子分離領域２と、導電性部材と接続される活性領域との上部に配される。そして、反射防止膜９は、層間絶縁膜に導電性部材を埋め込む開口の形成における層間絶縁膜のエッチング時のエッチングストップ膜である。 （もっと読む）

【課題】画素が電荷格納部を保有することで全画素同時の電子シャッタ動作を行うことができる固体撮像装置において、電荷格納部への光入射を低減してその光入射による偽信号の発生を抑える。
【解決手段】画素は、基板２１に形成され、フォトダイオード１から転送される電荷を蓄積する電荷格納部３と、フローティングディフュージョン４の電荷量に応じた信号を出力する増幅トランジスタと、フォトダイオード１から電荷格納部３に電荷を転送する第１の転送ゲート部１１と、電荷格納部３からフローティングディフュージョン４に電荷を転送する第２の転送部５とを備える。基板２１上に形成された層間膜３２，３３に、間隙４０が、基板２１の略法線方向から見た平面視で前記電荷格納部を実質的に囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】サンプル・ホールド時に電荷集積用コンデンサで電荷集積を高めて感度を高くし、センサ飽和を抑制しダイナミックレンジを広くできる光センサ回路等を提供する。
【解決手段】光センサ回路１０は、光電変換素子ＰＤと、電流信号を電圧信号に変換する第１ＭＯＳ型トランジスタＱ１と、第１静電容量素子Ｃ１と、第２静電容量要素Ｃ２と、第１静電容量素子から第２静電容量素子への電荷転送を制御する第２ＭＯＳ型トランジスタＱ４と、第１ＭＯＳ型トランジスタＱ１と第２ＭＯＳ型トランジスタＱ４のゲート電圧とドレイン電圧を供給する制御手段１５を備える。制御手段１５は、ＭＯＳ型トランジスタＱ１，Ｑ４のゲート電圧とドレイン電圧の設定に関して、電荷転送が有効に行われるように、初期設定および電荷転送についての適切な電圧制御を行い、かつ電荷転送時間が１００μ秒を超えないように設定する。 （もっと読む）

【課題】素子分離領域の形成がフォトダイオードの感度の低下につながらず、リーク電流を抑えることができ、大信号時にも飽和を起こしにくい、トレンチ素子分離構造をもつ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上にフォトダイオード部８とトランジスタ部７とを有する固体撮像素子において、フォトダイオード部８をトランジスタ部７から素子分離する素子分離領域３は、フォトダイオード領域（第２の半導体層６）を囲むトレンチと、トレンチ内に埋め込まれた絶縁物とを有する。トレンチのフォトダイオード領域側の側壁の断面形状は、フォトダイオード領域側に向かって浅くなるテーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの逆流防止及び／又は暗電流発生の抑圧を行うことを課題とする。
【解決手段】光電変換を行い電荷を蓄積する光電変換部と、電荷を検出するための検出部と、光電変換部の電荷を検出部に転送するための転送トランジスタと、転送トランジスタのゲート電圧をオンレベル、オフレベル及びその中間レベルにすることが可能な駆動手段とを有し、駆動手段は、転送トランジスタのゲート電圧（Ｐｉｘ−Ｔｘ）をオンレベル（ＶｔｘＨ）から中間レベル及び中間レベルからオンレベルに遷移させる間に、ゲート電圧をオフレベル（ＶｔｘＬＬ）にする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】鏡像処理に伴うラインメモリを搭載しなくても正像・鏡像出力を実現し、且つ、書き込み、読み出し順を気にせずに、ライン遅延の無いリアルタイム画像処置を実現することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置に対し原稿ＥＮＡＢＬＥ信号を供給し、鏡像処理モード時には前記ＥＮＡＢＬＥ区間の読み出し順を反転制御する。画像読取装置では、シェーディング補正係数をＥＮＡＢＬＥ区間だけ同様な反転読み出しを行う。 （もっと読む）

【課題】原稿読み取り時に、斯かる問題点改善しつつ原稿走査を行うことによって、画像処理回路に頼らずに原稿外領域のイメージノイズを除去することができる光電変換装置を提供すること。
【解決手段】複数の光電変換手段と、該複数の光電変換手段の光信号をそれぞれ保持する複数の光信号保持手段と、該光信号保持手段から光信号を出力する光信号出力線と、該光信号出力線を固定電位にリセットするリセット手段と、駆動パルス制御手段と、該光信号出力線を介して該光電変換手段の信号を画素毎に読み出す電荷転送手段と、該電荷転送信号レベルを画素毎に参照値と比較し、所定の輝度レベルに置換するコンパレート手段を有する。 （もっと読む）

【課題】基板変調型センサやＣＭＯＳ−ＡＰＳセンサで電子シャッター機能と相関２重サ
ンプリングを共に行うためには、蓄積ウェル４で蓄えた光電荷を一時的に蓄えておくキャ
リアポケット２４を有することが必要となる。キャリアポケット２４に光が侵入すると、
キャリアポケット２４で光キャリアが発生し、画像の乱れが発生する。そこで、電荷保持
領域への光の侵入を抑制しうる構造を提供する。
【解決手段】キャリアポケット２４上に形成されている第１層目のゲート電極層となるポ
リシリコンを用いた転送ゲート２２Ａ上に薄膜の絶縁層を形成し、第２層目のゲート電極
層となるタングステンシリサイドとポリシリコンとの２層構造からなる転送ゲート２２Ｂ
でキャリアポケット２４を更に覆う。光の透過率が低いタングステンシリサイドで覆うこ
とでキャリアポケット２４への光の侵入が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置における光学部品を改善し、それによって固体撮像装置を薄型化かつ軽量化し、さらに固体撮像装置における光の利用効率を改善する
【解決手段】固体撮像装置は、アレイ状に配列された複数のフォトダイオード領域（２）と、各フォトダイオード領域の周囲に存在する不透光性境界領域（６）と、複数のフォトダイオード領域に対応してアレイ状に配列された複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイ（８ａ）とを備え、各マイクロレンズはそれに対応するフォトダイオード領域の周囲の不透光性境界領域ヘ直進しようとする入射光（７）をその対応するフォトダイオード領域内へ集光するように作用し、マイクロレンズアレイは透光性ＤＬＣ膜を用いて形成されており、そのＤＬＣ膜は各マイクロレンズに対応して屈折率が変調させられた領域を含み、その屈折率が変調させられた領域を光束が通過するときに集光作用を生じる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤ等の固体撮像素子からの出力信号から高調波成分を効果的に除去してＳ／Ｎ比の高い信号を獲得できる固体撮像素子の信号処理装置及びその信号処理装置を用いたフィルムスキャナを提供する。
【解決手段】 設定された周波数ｆ_０の転送クロックに同期して固体撮像素子２６から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段５０と、前記Ａ／Ｄ変換手段５０から出力されるデジタル信号に基づいて信号処理する信号処理手段５１を備えてなる固体撮像素子の信号処理装置であって、前記Ａ／Ｄ変換手段５０による前記アナログ信号のサンプリング周波数が、前記アナログ信号に含まれる前記周波数ｆ_０の高調波成分を低減させるような周波数応答特性を示す周波数に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 金属配線への入射光の反射を利用してフォトダイオードへの入射光を増大させることで感度を向上させたセンサＩＣを提供することを目的とする。
【手段】 センサＩＣのフォトダイオードを囲むように金属配線を配置して金属配線で反射した斜め入射光をフォトダイオードへ入射させるようにした。また、絶縁膜による凹型の絶縁膜レンズにより斜め入射光をフォトダイオードに集光させるようにした。これによってフォトダイオードの集光が増え感度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】従来の固体撮像素子では、ＣＭＯＳプロセスを適用してコストが高く、工程数が多い工程で作成したタングステンプラグを用いて配線を行っているが、層間絶縁膜が厚く、マイクロレンズとフォトダイオードの距離が長くなるため、集光性が悪い。
【解決手段】固体撮像素子はＣＰＵなどの高速動作用ＬＳＩほど高速にする必要がないため、配線に起因する寄生容量をある程度大きくすることができる。そこで、第１層間絶縁膜４と第２層間絶縁膜５とでは、アスペクト比を３以下にしてアルミのリフロースパッタでＡｌが埋め込まれたビアホール９〜１２、１７、１８を形成して、層間絶縁膜４及び５の膜厚を従来のＣＭＯＳプロセスで作成したものよりも薄くする。これにより、マイクロレンズ２６とフォトダイオード２との間の距離が短くなり、マイクロレンズ２６からフォトダイオード２への集光性を高めた、高感度な固体撮像素子を、安価に作成できる。 （もっと読む）

【課題】 低電圧で電荷の蓄積および転送を制御する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、Ｎ型半導体基板１０２と、Ｎ型半導体基板１０２内の表面部に設けられたＮ型埋込領域１０６と、Ｎ型埋込領域１０６内に形成された光電変換部１５０と、Ｎ型埋込領域１０６内に形成されるとともに光電変換部１５０に接して設けられ、光電変換部１５０で発生した電荷を一時的に蓄積する電荷蓄積部１５２と、Ｎ型埋込領域１０６内に形成されるとともに電荷蓄積部１５２に接して設けられ、電荷蓄積部１５２に電荷を蓄積させる電荷保持領域１５４（障壁部）と、電荷蓄積部１５２に設けられた電荷蓄積用電極１２０と、を含む。Ｎ型埋込領域１０６の表面部は、電荷蓄積部１５２および電荷保持領域１５４が形成された領域においてＮ型とされる。 （もっと読む）