【課題】高感度高Ｓ／Ｎ比を維持したままで広ダイナミックレンジ化できると共に、画素あたりの画素面積を縮小できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を受光して光電荷を生成するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに接続され蓄積動作時に前記フォトダイオードからあふれる光電荷を転送するオーバーフローゲートと、蓄積動作時に前記オーバーフローゲートによって転送された光電荷を蓄積する蓄積容量素子と、を有する画素を複数備えると共に、複数の画素によって共通に、単一の増幅トランジスタ又はフローティングデフュージョンを設けた構成の固体撮像装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】暗電流によるノイズを低減することにより、充分なＳ／Ｎ比を確保することを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体層と、この半導体層内に形成された光電変換素子と、半導体層の少なくとも光電変換素子が形成された部分の上に形成された、半導体層よりもバンドギャップが広い材料から成る単結晶層と、半導体層と単結晶層との間に設けられている超格子とを含む固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部による電荷の蓄積時間を制御することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】光電変換装置は、複数の画素が配列された画素配列と、画素配列を制御する制御部と、画素配列から信号を読み出す読み出し部とを備え、画素配列の複数の画素は、光電変換部と、電荷電圧変換部と、活性状態において、蓄積された電荷を電荷電圧変換部へ転送し、非活性状態において、電荷電圧変換部へ転送しない転送部と、電荷電圧変換部の信号を増幅する増幅部とを含み、制御部は、画素配列の複数の画素において、電荷蓄積動作を開始させ、読み出し部は、余剰電荷に基づく余剰信号を、画素配列の複数の画素から読み出し、制御部は、読み出された複数の画素の余剰信号に応じて、画素配列の複数の画素において、転送部を活性状態にして光電変換部から電荷電圧変換部へ電荷を転送することにより、電荷蓄積動作を完了させる。 （もっと読む）

【課題】透明部材を剥がし易くし、容易に不良品を再生することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】パッケージ１０３と透明部材１０６との接着層１０５の外周部にパッケージ１０３と透明部材１０６の対向する面の間隔が接着層の厚みよりも大きい空間部をパッケージの少なくとも一辺側に一箇所以上形成する。空間部はパッケージの面のテーパ形状により形成する或いはパッケージの面の段差形状により形成する。この構造により、空間部から先端が鋭利な刃物を接着層に挿入して接着層の剥離のきっかけを作り、透明部材を破壊する事無く剥がすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の画像を取り込むためのよりシンプルでコンパクトなカメラシステムを提供する。
【解決手段】本発明のカメラシステムは、各イメージセンサＩＣチップが同じ半導体基板上に複数の画素アレイ（すなわち「１チップ上に複数の画素アレイ」）を有する１若しくは複数のイメージセンサＩＣチップを用いる。一実施形態では、そのようなカメラシステムは、（ａ）互いに物理的に極めて近接して（例えば数ミリメートルまたは数センチメートル以内に）配置される複数の画像を作り出す複数の光学部品と、（ｂ）複数の画像を電気信号に変換するために、これら複数の画像を取り込むように整合されている複数の２次元画素アレイを含む１つのセンサ基板（「チップ」）とを含む。画素アレイは、ＣＣＤまたはＣＭＯＳ適合プロセスを用いて製造されることができる。そのようなチップは、典型的には一辺が２センチメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】小型で高い冷却効率を得ることができ、かつ高歩留りで高い信頼性を有する冷却素子を備えた半導体ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板に形成された回路要素と、半導体基板の内部に形成された微小流路１０６と、を有する半導体ユニットにおいて、微小流路１０６には回路要素を冷却するための冷却媒体が流されることを特徴とする。また、半導体基板は、単結晶の基板であることを特徴とする。また、半導体基板は、エピタキシャル成長によってできた層で構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロストークを低減可能な裏面入射型のリニアイメージセンサ、該リニアイメージセンサの駆動方法、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面側における受光部５０と水平転送部７０との間に、高速転送部６０を形成し、高速転送部にて発生したノイズ電荷を独立に排出する機構を設けた。又、基板裏面に形成した光入射領域の境界１０，１１を上記高速転送部に対向する位置に形成した。 （もっと読む）

【課題】受光部への入射光の入力低下を抑制し、かつコストを低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】受光部１１２を有する半導体基板１１１と、半導体基板１１１上に形成されたシリコン酸化膜１１４と、シリコン酸化膜１１４上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層１１６を含む配線層間膜１１５と、配線層間膜１１５上に形成された膜厚が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下のシリコン窒化膜１２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの暗電流の減少などを図るようにした光電変換素子を提供すること
【解決手段】この発明は、差動増幅器１、フォトダイオード２、帰還容量素子３、およびスイッチ４からなる。フォトダイオード２は、差動増幅器１の反転入力端子と非反転入力端子の間に接続される。帰還容量素子３は、差動増幅器１の反転入力端子と出力端子の間に接続される。スイッチ４は、帰還容量素子３の両端に接続され、オンのときに帰還容量素子３の電荷を放電させてリセットさせる。差動増幅器の非反転入力端子には、所定の基準電圧Ｖｒｅｆを印加させるようにした。 （もっと読む）

【課題】長尺型ＣＣＤセンサの信頼性を向上するＣＣＤセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】長尺型のＣＣＤセンサ１０１において、千鳥状に配列され隣接する２つのＣＣＤ素子チップ２は、素子チップ位置合わせ部９をそれぞれ備える。素子チップ位置合わせ部は、各ＣＣＤ素子チップの画素列２ｃにおける画素素子同士を一直線上に配置させるように延在する溝にてなり、治具の係合によりＣＣＤ素子同士の位置ずれを防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、複数の信号源からの出力信号を読出しする際に発生する、電源の電圧変動を抑制し、高感度で良好な撮像装置を提供することである。
【解決手段】複数の光電変換素子からの信号を読み出すための複数の端子と、前記複数の端子から入力される信号を直列信号に変換して出力する読み出し用回路部と、を第一導電型の半導体支持基板に有する撮像装置であって、前記読み出し用回路部は、前記各端子に接続された保持容量と、前記保持容量に保持された信号を共通信号線に出力する転送スイッチと、前記転送スイッチを駆動させる走査回路と、を有しており、前記走査回路は、前記半導体支持基板に配されたトランジスタを有し、前記共通信号線下の半導体層は、前記半導体支持基板とは反対導電型であり、前記保持容量又は前記転送スイッチは、前記共通信号線下の半導体層中に設けられていることを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子においてあらゆる解像度で転送スピードを上げたりデータレート変えたりせずに信号を出力する。
【解決手段】固体撮像素子において２つの独立した電荷転送部を設ける。この２つの電荷転送部を電荷加算用電極を介して転送方向に沿って接続し、光電変換部から読み出された電荷を１つめの電荷転送部で受け、２つめの電荷転送部の転送スピードを解像度に応じて落として、１つめの電荷転送部で受けた電荷の加算を行う。電荷加算の終了後、２つの電荷転送部間に配置された読み出しゲートによって２つめの電荷転送部から１つめの電荷転送部へ戻し、電荷加算用電極に接続されたラストゲートを通って信号を出力する。信号出力前に電荷加算動作を行うので、データレートを変える必要も、転送スピードを上げる必要もない。 （もっと読む）

【課題】所望の性能を確保した上でチップサイズをシュリンクしたマルチチップ型イメージセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】複数の受光要素２と、各受光要素２の信号を読み出すための第１のスイッチ１１と、複数の第１のスイッチ１１に対して１つ設けられ、第１のスイッチ１１からの信号を読み出す第２のスイッチ３と、を含む単位ブロックを複数有するセンサチップ１を複数有し、複数のセンサチップ１の受光要素２の信号が読み出される共通信号読み出し線を有する光電変換装置の駆動方法において、複数の単位ブロックに含まれる１の受光要素２の信号を、順次共通信号読み出し線に読み出した後に、同一センサチップ１の読み出されていない受光要素の信号を共通信号読み出し線に読み出す前に、その他のセンサチップの単位ブロックに含まれる受光要素２の信号を共通信号読み出し線に読み出す。 （もっと読む）

【課題】 正確な測距を行うことが可能な測距センサ及び測距装置を提供する。
【解決手段】 光感応領域１G内でイオン化された不純物によるポテンシャルφ_PGと、第１及び第２半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２内でイオン化された不純物によるポテンシャルφ_ＦＤ１，φ_ＦＤ２の差は、光感応領域と第1及び第2半導体領域で導電型が異なるので、これらの導電型が同一の場合よりも、大きくなる。このようにポテンシャルの差がある状態で、光感応領域１Ｇの導電型を半導体基板１Ａ，１Ａ’と同一のＰ型とし、その不純物濃度を低下させると、光感応領域１Ｇにおけるポテンシャルの横方向分布が、一方向のみに傾斜しやすくなる。光感応領域１Ｇ内で発生したキャリアが第1半導体領域ＦＤ１及び第2半導体領域ＦＤ２内に確実に流れ込みやすくなり、光感応領域１Ｇ内におけるキャリアの残留を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子からの出力に含まれるダミー画素や無効画素の信号を効率良く取り除く。また、有効な画素から、切り出しを選択した画素を効率良く取り出す。
【解決手段】 固体撮像素子のＮ個置きの画素信号を取り出し、これをＮ＋１回繰り返して読取るとき、有効画素と無効画素の設定を同様にＮ＋１回繰り返して、有効画素のみの画素データを取り出す。 （もっと読む）

【課題】従来と同等の性能を維持しながら従来と比較して低消費電力で小面積の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の色成分を読み取るための複数の画素１、各画素からの信号を保持する複数の保持手段２、各色成分に対応する複数の各保持手段が接続された複数の共通出力線１２、複数の共通出力線と接続された複数の出力回路１３を具備する。そして少なくとも２つの複数の共通出力線１２を選択手段１５を介して一つの出力回路１３に接続する。また、基本セル１０の複数の画素のうち少なくとも２つの異なる色成分の画素が接続された保持手段２の出力を選択手段４を介して一つの共通出力線１２に接続する。 （もっと読む）

【課題】 蓄積型（ＴＤＩ）センサを用いたパターンの画像入力においてパターン光学像のＴＤＩ方向における解像性能を向上させる。
【解決手段】 画像入力装置３０は、その特徴的な要部として、支持基板３１上に固定して載置されたＴＤＩセンサ１０、支持基板３１に対して周期的な位置移動を与えるＴＤＩセンサ移動機構３２、および該センサ移動駆動部３２を制御するＴＤＩセンサ移動制御回路３３を有している。そして、ＴＤＩ同期制御回路１８、センサ駆動回路１９、センサ出力Ｉ／Ｆ２１、Ａ／Ｄ変換回路２２が備えられる。ここで、ＴＤＩセンサ１０のＴＤＩ方向に転送される蓄積電荷の相対位置の偏差を相殺するように、ＴＤＩセンサ１０はＴＤＩ方向に周期的に位置移動する。 （もっと読む）

【課題】高精度の機械的機構を必要とせずに、光解像度、高感度の撮影が可能なリニアイメージセンサを提供する。
【解決手段】リニアイメージセンサは、赤色光検出用のフォトダイオードＲ１ａ、Ｒ３ａ、…と青色光検出用のフォトダイオードＢ２ａ、Ｂ４ａ、…を交互に１列に配置した赤／青色ダイオード列２１１ａと、同様の赤／青色ダイオード列２１１ｂ、２１１ｃと、緑色光検出用のフォトダイオードＧ１ａ、Ｇ２ａ、…、Ｇ１ｂ、Ｇ２ｂ、…を一列に配列した緑色ダイオード列２１２ａ、２１２ｂを含んで構成される。緑色ダイオード列２１２ａ、２１２ｂは、赤／青色ダイオード列２１１ａと２１１ｂの間、赤／青色ダイオード列２１１ｂと２１１ｃの間に配設される。検出された信号電荷を転送するための電荷転送部を構成する電荷転送チャネル２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２２ａ、２２２ｂは、それぞれ、赤／青色ダイオード列２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ、緑色ダイオード列２１２ａ、２１２ｂに近接して配設される。 （もっと読む）

【課題】高精度の機械的機構を必要とせずに、光解像度、高感度の撮影が可能なリニアイメージセンサを提供する。
【解決手段】リニアイメージセンサは、赤色ダイオード列１１ａ、１１ｂ、緑色ダイオード列１２ａ、１２ｂ、青色ダイオード列１３ａ、１３ｂを含んで構成され、ダイオード列１１ｂ、１２ｂ、１３ｂは、ダイオード列１１ａ、１２ａ、１３ａに対してフォトダイオード列方向のピッチの約１／２だけ列方向にずれて配設されている。フォトダイオードで検出した信号電荷を転送する電荷転送チャネル２１ｃ、２２ｃ、２３ｃは、それぞれ赤色ダイオード列１１ａと１１ｂの間、緑色ダイオード列１２ａと１２ｂの間、青色ダイオード列１３ａと１３ｂの間に形成され、主走査方向に延在する蛇行形状を呈する。電荷転送チャネル２１ｃ、２２ｃ、２３ｃに読み出された信号電荷は、主走査方向に転送され、出力端ＯＵＴ３１ｃ、ＯＵＴ３２ｃ、ＯＵＴ３３ｃから出力される。 （もっと読む）

【解決手段】センサーを通して電荷を伝播するために、裏面照射型線形センシングを用いる、改善された検査システムを提供する。試料を検査するのに、裏面照射型線形センサーと共に、集光光学装置を使用してもよく、裏面照射型線形センサーが作動して、蓄積した電荷を各画素の片側から反対側に前進させる。この設計は、電荷を電荷蓄積領域の方へ前進させる為に、片側から反対側まで、画素ゲート両端電圧プロフィールを制御する。電圧プロフィールを制御することは、裏面照射型線形センサー・アレイ内の各画素の両端に亘って連続ポリシリコンゲートを付与することを含む。ポリシリコンゲート及びそれに印加した電圧で、制御された電圧プロフィールを使用して効率的な電子の前進が可能となる。 （もっと読む）