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Fターム[4M118FA08]の内容

固体撮像素子 (108,909) | CCD、MOS型固体撮像素子の細部 (13,257) | 受光部の配置 (6,058) | リニア配列 (398)

Fターム[4M118FA08]に分類される特許

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【課題】解像度の切り替え可能なリニアイメージセンサを提供する。
【解決手段】リニアイメージセンサは、列状に配置された複数のフォトダイオード101と、フォトダイオードに隣接して配置されたシフトゲート102と、所定の電位勾配を有するよう構成され、第1及び第2のクロック信号で電位が制御される第1及び第2のレジスタ111,112が、シフトゲートに隣接して列状に交互に設けられた第1の転送レジスタ103と、所定の電位勾配を有するよう構成され、第3及び第4のクロック信号で電位が制御される第3及び第4のレジスタ113,114が、第1の転送レジスタに隣接して列状に交互に設けられた第2の転送レジスタ104とを備え、第2の転送レジスタには、第1及び第2のレジスタに隣接する第3のレジスタと、第1及び第2のレジスタに隣接する第4のレジスタとが、交互に設けられている。 (もっと読む)


【課題】光電変換部へ向けて入射した光のうち光電変換部の受光面へ到達する光の割合を向上させる。
【解決手段】光電変換装置は、受光面を有する光電変換部と、前記光電変換部へ光を集める集光構造とを備え、前記集光構造では、第1の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の絶縁膜の密度が、前記受光面の中心を通る法線に垂直な平面における中心領域において周辺領域よりも大きくなるように、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とが前記平面にレイアウトされており、前記平面における前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とのレイアウトパターンは、可視光領域の最大波長以下の寸法を有する部分を含む。 (もっと読む)


【課題】 X線検出におけるノイズ光の検出の影響を抑制することが可能なX線撮像装置を提供する。
【解決手段】 入射したX線を検出する複数の検出画素が配列されたX線検出部が一方の面11側に設けられ、他方の面12がX線入射面となっている裏面入射型の固体撮像素子10と、撮像素子10の入射面12上に設けられ、検出対象となるX線よりも長波長の光の遮蔽に用いられる遮蔽層20とによってX線撮像装置1を構成する。遮蔽層20は、入射面12上に直接に設けられる第1アルミニウム層21と、第1アルミニウム層21上に設けられる第2アルミニウム層22と、第1、第2アルミニウム層21、22の間に設けられ、紫外光の遮蔽に用いられる紫外光遮蔽層25とを有する。 (もっと読む)


【課題】センサラインの間隔を狭くしたとしても色ずれの発生を防止することが可能な固体撮像素子およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】センサライン110,120,130は、複数の画素が第1ピッチをもってリニアに配列されたセンサ列111,121,131と、センサ列の各画素で光電変換された信号電荷を読み出す読み出しゲート112,122,132と、読み出しゲートより読み出された信号電荷を出力部側に転送する水平転送レジスタ114,124,134と、読み出しゲートにより読み出された信号電荷を、アクティブの保持信号Vgate1,Vgate2,Vgate2を受けている期間保持して水平転送レジスタに供給するメモリレジスタ113,123,133とを有し、駆動部170は各センサライン110,120,130に信号電荷の保持期間を設定可能に保持信号Vgate1,Vgate2,Vgate2を生成する。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型の固体撮像素子において、光電変換素子間の隙間を通して入射した光が配線層で反射することを防ぎ、反射光によるノイズや混色の問題を生じさせない固体撮像素子とその製造方法を提案すること。
【解決手段】薄膜板状のシリコン層と、前記シリコン層の片方の面側に設けられた配線層と、前記シリコン層の前記配線層と反対側の面に受光部を面して形成された複数の光電変換素子と、前記シリコン層の光電変換素子を形成した面側であって、隣接する受光部間の間隙に形成されたシリコンからなる凸部と、前記シリコンからなる凸部を覆って平坦面を形成する平坦化透明層と、前記平坦化透明層の上面に前記光電変換素子受光部の各々に対応して設けられたカラーフィルタと、を有する。 (もっと読む)


【課題】光電変換部で発生した信号電荷であるホールを電荷蓄積領域に効率良く収集する。
【解決手段】光電変換装置は、半導体基板に配された複数の光電変換部を有し、前記光電変換部は、第1の不純物を含むP型の電荷蓄積領域と、前記P型の電荷蓄積領域とフォトダイオードを構成するN型のウエル部とを備える。前記ウエル部は、砒素を第1の濃度で含むN型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の下に配され、砒素を前記第1の濃度より低い第2の濃度で含むN型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の下に配され、第2の不純物を前記第1の濃度よりも高い第3の濃度で含むN型の第3の半導体領域とを含む。 (もっと読む)


時間遅延積分方式(TDI)センサー(22)は、1からNまでの番号が付けられたセル(42、44、42、44)のシーケンスを含む。そのTDIセンサーは、1の番号が付けられたセルから、2からN-1番号が付けられたセルを通ってNの番号が付けられたセルまで電荷を移動させるように構成されている。そのセルのシーケンスにおける各セル(42;44)は、TDIセンサー(22)が第1スペクトルを有する光(46)によって均等に照射されるとき、非感受性セル(44)のいずれかに入射する光の強度が、感受性セル(42)のいずれかに入射する光の強度のせいぜい90%であるという意味において、感受性であるか又は非感受性であるかのいずれか一方である。そのセルのシーケンス(42、44、42、44)は、以下の順番において:第1感受性(42)セル、少なくとも1つの非感受性セル(44)及び第2感受性セル(42)、を含む。イメージング・システムは、TDIセンサーを含み、物体のイメージングを行う方法も開示される。
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【課題】入射光を連続して取り込むことができる光電変換回路を提供する。
【解決手段】2個の容量が設けられ、スイッチ20〜21がオンしてスイッチ23がオフすることにより、容量22に1回目の入射光による電気信号Vl1に基づいた電圧が蓄積され、その後、その電圧を信号処理回路30が信号処理する前に、スイッチ20及びスイッチ23がオンしてスイッチ21がオフすることにより、容量24に2回目の入射光による電気信号Vl2に基づいた電圧が蓄積される。つまり、光電変換回路10は1〜2回の入射光を連続して取り込むことができる。 (もっと読む)


【課題】カラーCCDリニアセンサの出力感度向上を図るとともに、小型化を実現させる。
【解決手段】受光部2の第1列11に第1基本画素7を配置し、第1列11の隣の第2列12に第2基本画素8を配置する。その第1基本画素7は、第1色に対応する第1列第1色画素7−1と、第1列第1色画素7−1の隣に配置され、第2色に対応する第1列第2色画素7−2と、第1列第2色画素7−2の隣に配置され、第3色に対応する第1列第3色画素7−3とを含むものとする。また、第2基本画素8は、第1色に対応する第2列第1色画素8−1と、第2列第1色画素8−1の隣に配置され、第2色に対応する第2列第2色画素8−2と、第2列第2色画素8−2の隣に配置され、第3色に対応する第2列第3色画素8−3とを含むものとする。その第2列第1色画素8−1は、第1列第2色画素7−2の隣に配置される。 (もっと読む)


【課題】読み取り速度の高速化を図りつつ水平転送部の増加を抑制することができるリニアセンサ及びそれを備えた画像読み取り装置を提供すること。
【解決手段】1次元方向に配列された複数の光電変換部を有する複数のセンサ列12a〜12cを隣接させて設けたセンサ列群10aと、センサ列群10aの光電変換部11のうち配列方向Xに直交する方向Yに隣接する複数の光電変換部11ごとに設けられ、これらの光電変換部11のそれぞれから信号電荷を読み出して配列方向Xに直交する方向Yに転送する複数の垂直転送部13と、複数の垂直転送部13の両端に配置され、各垂直転送部13から出力される信号電荷を配列方向Xに転送する複数の水平転送部14a,14bとを備える。 (もっと読む)


【課題】ゲートを環状に構成しないBCDを実現し、高い変換効率を達成することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】P型ウェル7を有するシリコン基板6と、P型ウェルに設けられたN型のドレイン領域24及びソース領域25と、ドレイン領域24及びソース領域25の間に設けられたN型のチャネル領域23と、チャネル領域の上方に設けられたゲート28と、水平転送レジスタから転送された信号電荷を蓄積するN型の電荷蓄積領域21と、チャネル領域23と電荷蓄積領域21との間に設けられたP型のチャネルバリア領域22と、電荷蓄積領域21に蓄積された信号電荷を掃き捨てるN型のリセットドレイン部19を有する。 (もっと読む)


【課題】電荷の読み残しを低減することが可能なリニアイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るリニアイメージセンサ1は、長尺形状の埋め込み型フォトダイオードPD(n)が複数配列されている。この埋め込み型フォトダイオードPD(n)各々は、第1導電型の第1半導体領域10と、第1半導体領域10上に形成され、第2導電型の不純物濃度が低く、長尺形状である第2半導体領域20と、第2半導体領域20の表面を覆うように、第2半導体領域20上に形成された第1導電型の第3半導体領域30と、第2半導体領域20から電荷を取り出すための第2導電型の第4半導体領域40とを備え、第4半導体領域40は、第2半導体領域20上において、長尺方向に複数離間して配置されている。 (もっと読む)


【課題】集積度が高く低ノイズで高速な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1導電型領域と第2導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。前記注入工程では、前記第1導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第2導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の垂直転送期間で発生するアンダーシュートによる保護回路のブレークダウンを防止する。
【解決手段】垂直転送及び水平転送を行う固体撮像装置50には、転送クロック信号が入力される入力端子と撮像部40の間に保護回路2及び保護回路3が設けられる。保護回路2及び保護回路3には、Pch MOSトランジスタPMT1が設けられる。Pch MOSトランジスタPMT1は、ソースが高電位側電源Vddに接続され、ゲートがソースに接続され、ドレインが撮像部40側(内部回路)と入力端子に接続される。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上を図る。
【解決手段】固体撮像装置1の画素1aにおいて、フォトダイオード17の周辺の周辺配線部14の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材15を設ける。 (もっと読む)


【課題】位相差検出方式の焦点検出を精度良く行えるとともに、画素の微細化が進んでも良好な製造が可能な位相差検出機能付き撮像素子の技術を提供する。
【解決手段】撮像素子には、撮影光学系の射出瞳において水平方向(X方向)に沿って互いに逆向きに偏った左側・右側部分を通過した各光束Ta、TbをマイクロレンズMLpを介して受光する一対の光電変換部PDと、垂直方向(Y方向)に沿って配置される配線部材としてのメタル45、46とを備えて位相差AFを実現するAF画素対11fpが設けられている。このAF画素対11fpでは、マイクロレンズMLの下方に非遮光性の空間が形成され、この空間に近接するメタル45、46との間にスペースSPが設けられている。その結果、撮像素子において位相差AFを精度良く行え、画素の微細化が進んでも良好に製造できる。 (もっと読む)


【課題】簡素な半導体素子の吊り下げ支持構造を実現することで、小型化や製造効率向上等に容易に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子1と、前記半導体素子1の外周に対応した形状の内周枠部4aおよび外周枠部4bを有してなる二重構造の枠体4と、前記枠体4によって一端近傍が保持されるリードフレーム2と、前記内周枠部4aと前記外周枠部4bとの間に配されて前記半導体素子1と前記リードフレーム2を電気的に接続する電気接続部5とを備えて、半導体装置を構成する。そして、前記半導体素子1の前記枠体4への当接によって当該半導体素子1の前記リードフレーム2に対する位置が定まり、前記枠体4および前記電気接続部5を介在させた接合により前記半導体素子1が前記リードフレーム2に吊り下げ支持されるようにする。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、不要な信号電荷をCCDレジスタで転送させないようにする。
【解決手段】画素列1で生成される信号電荷を、シフトゲート2を介して蓄積列3に蓄積し、蓄積列における電荷蓄積時間をバリアゲート4で制御し、蓄積列から転送された信号電荷を所定の方向にCCDレジスタ5で転送し、信号電荷を信号出力部で検出し、CCDレジスタに対してバリアゲートの反対側に、CCDレジスタの延長方向に沿うように配置されたクリアゲートと、クリアゲートに隣接して配置されたドレインとにより、CCDレジスタにより画素列の特定部分で生成された信号電荷を転送、出力した後に、画素列の特定部分以降で生成された信号電荷をクリアゲートを介してドレインに排出する。 (もっと読む)


【課題】画像読取装置に画像が取り込まれている時間の間に、読取対象の画像が、画像取込装置の複数の画素を横切って移動する時に生じ得る画像の動きボケの発生を防止し、取り込んだ画像内の読取対象をより正確に識別可能とする。
【解決手段】集積期間中に自身に衝突する光子の数に比例する電荷を集積する光感応性デバイスと、前記集積期間中に前記光感応性デバイス内の瞬時集積電荷を検出し、転送制御信号に応じて第2の画素に等しい電荷の信号を転送する転送デバイスと、第3の画素から信号を受信し、前記光感応性デバイス内の前記瞬時集積電荷を前記受信信号のレベルに設定する受信デバイスと、を備える。 (もっと読む)


【課題】省電力化及び高速化を共に実現するCCDイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明に係るCCDイメージセンサ1は、画素列11を挟むように配置された第1及び第2のCCDレジスタ13,15と、前記第1及び第2のCCDレジスタ13,15の結合部18に設けられた第1の出力手段16,17と、前記第1又は第2のどちらか一方のCCDレジスタ13,15により転送される電荷を読み出すと共に転送する第3のCCDレジスタ22と、前記第3のCCDレジスタ22の端部に設けられた第2の出力手段23,24と、運転モードに応じて、前記第2の出力手段24による出力を行うか否かを切り替える切り替え手段とを有する。 (もっと読む)


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