【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。半導体基板１Ａには、入射光に応じて電荷が発生する光感応領域が表面１ＦＴ側に設けられている。半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、光感応領域にて発生した電荷を蓄積する。電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサにおいて、画素内で発生したランダムノイズを低減することができ、これにより製造歩留まりを向上する。
【解決手段】複数の画素を１次元に配列してなる画素部１２０を有し、該複数の画素の各々で光電変換により得られた信号電荷を画素信号に変換して出力するラインセンサ１００において、該画素Ｐａは、入射光を光電変換して信号電荷を発生する光電変換素子ＰＤと、該光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号電圧を増幅する複数の増幅トランジスタＡＭＰｎ１、ＡＭＰｎ２、・・・、ＡＭＰｎｋとを備え、複数の増幅トランジスタの各々で増幅された信号電圧を複数の画素信号として並列出力し、この並列出力された複数の画素信号の信号レベルを平均化して得られる平均値を、各画素の画素値として出力する。 （もっと読む）

【課題】 光利用効率を向上する。
【解決手段】
光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２と化学量論的組成が同じであり、かつ、中心部分２２２の屈折率よりも高い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続するとともに中心部分２２２を囲み、かつ、中心部分２２２の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】高歩留まりと低暗電流の積層型の固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、画素電極３と電気的に接続されるプラグ２０と、プラグ２０と接続される接続部１１と、受光層４で発生し接続部１１に移動した電荷に応じた信号を読みだす信号読み出し部とを備える。基板１表面に接続部１１を形成する工程と、信号読み出し部及び接続部１１を形成した基板１上方に絶縁膜２を形成し、平面視において接続部１１よりも内側の位置に接続部１１よりも小さい開口を絶縁膜２に形成する工程と、開口に導電性材料を埋め込んでプラグ２０を形成する工程と、プラグ２０上に画素電極３を形成する工程とを含み、設計上、開口と接続部１１の中心が一致しかつ当該中心を通る全ての方向における開口の端部から接続部１１の端部までの距離が、当該方向における開口の幅の２０％以上５０％以下になるように、開口及び接続部１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】入射光に対する感度が高く且つ電荷の蓄積期間を長く設定することが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、長辺に交差する第１方向に並置された複数の光感応領域１３を有する光電変換部２と、複数の光感応領域１３に対向して配置され、一方の短辺から他方の短辺に向かう第２方向に沿った電位勾配を形成する電位勾配形成部３と、を備える。電位勾配形成部３は、第２方向に沿って低くされた電位勾配を形成する第１電位勾配形成領域と、第２方向に沿って高くされた電位勾配を形成する第２電位勾配形成領域とを有する。第２電位勾配形成領域は、第１電位勾配形成領域に対し第２方向に並置されている。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子のマイクロレンズの集光位置をより好ましく調整する。
【解決手段】 撮像素子モジュールは、複数の画素と、各々の画素上に配置されたマイクロレンズと、マイクロレンズの位置を光軸方向に調整するレンズ調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積を縮小可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 電源配線１０５とパッド１０３とは第１の配線層に配される。そして、電源配線１０５とパッド１０３とは互いに重ならないように配される。信号配線１０６ａ、１０６ｂは第２の配線層に配される。信号配線１０７は第２の配線層とは異なる層に配される。信号配線１０７は、パッド１０３と重なるように、パッド１０３の下部に配される。信号配線１０６と信号配線１０７とは、プラグ１０８によって互いに接続される。パッド１０３と信号配線１０７との間に緩衝部１０９が配される。 （もっと読む）

【課題】画素特性の劣化を防止でき、微細化に対して有利な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】少ないメモリセル部の数で焦点検出を行うことができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子により光電変換された信号を共通出力線に出力するセンサセル部（101）と、共通出力線の信号を転送容量に蓄積して転送する転送回路部（201）と、共通出力線の信号を第１〜第３メモリ容量に記憶し、第１〜第３メモリ容量の信号を反転増幅して共通出力線に出力する第１〜第３メモリセル部（301、401、501）とを有し、第１メモリセル部はリセットに起因するリセットノイズ信号を第１メモリ容量に書き込み、第３メモリセル部は第１メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第３メモリ容量に書き込み、第２メモリセル部は第３メモリセル部に書き込まれているリセットノイズ信号を第２メモリ容量に書き込み、転送回路部は第２メモリセル部のリセットノイズ信号とセンサセル部の出力信号を加算する。 （もっと読む）

【課題】 微細化と、高速読み出し動作を実現した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子と該光電変換素子の電荷に応じた信号を列信号線に出力する増幅ＭＯＳトランジスタを含む画素が配された画素領域と、前記画素の駆動もしくは前記列信号線に出力された信号を処理する回路を含む周辺回路領域とが、半導体基板に配された固体撮像素子であって、前記増幅ＭＯＳトランジスタのソース領域の抵抗は、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の抵抗よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな画素数と信号処理回路を必要とし、Ｘ線の遮蔽に用いられるフォトダイオードアレイと物理的に分けられたＸ線スキャン検出器システムの実行に特に有利な、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）時間遅延積分（ＴＤＩ）構造を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】各画素がＮ段のＴＤＩステージにより形成された、Ｍ画素からなるＣＭＯＳ ＴＤＩイメージセンサの各ＴＤＩステージは、光電荷を収集するフォトダイオードと、光電荷を比例的に電圧に変換する前置増幅器を含む。各ＴＤＩステージはまた、キャパシタ、増幅器、積分信号電圧を蓄積するのに用いるスイッチを含み、相関二重サンプルホールド（ＣＤＳ）技術が（実際にあるいは擬似的に）光信号とリセット電圧を同時に維持する。このＣＤＳ信号電圧は、１行加算が行われるごとに、１つのＴＤＩステージから次のＴＤＩステージへと伝送される。差動増幅器はＭ画素の最後のＴＤＩステージのＣＤＳ信号電圧を読み出す。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化および／または電荷の完全転送に有利な技術を提供する。
【解決手段】電荷蓄積領域を含む光電変換部と、浮遊拡散領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極とを含む固体撮像装置を製造する方法は、半導体基板の上にゲート絶縁層を介して前記ゲート電極を含むゲート電極構造体を形成する工程と、前記ゲート電極構造体および前記ゲート絶縁層を介して前記半導体基板の第１領域および第２領域に対して同時にイオンを注入する工程とを含み、前記第１領域は、前記電荷蓄積領域を形成すべき領域であり、前記第２領域は、前記電荷蓄積領域から前記ゲート電極の下方の部分に延びた拡張領域を形成すべき領域であり、前記イオンを注入する工程におけるイオンの平均投影飛程は、前記ゲート電極および前記ゲート絶縁層の厚さの合計よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】分光光度計において、スペクトルのＵＶ部分、可視部分およびＩＲ部分を検出するために自己走査形フォトダイオードアレイを用いて行われる測定の信号対雑音比を改善する。
【解決手段】自己走査フォトダイオードアレイは、読み出される前に低い信号ピクセルが所定の露光時間ｔ_０の倍数の間、電荷を蓄積することを可能にする。露光のパターン、すなわち整数Ｍ_ｉ（ｉはアレイ内の１からＮまでのピクセル数）は、当該のピクセルが飽和状態を超えずに可能な限り多くの電荷を蓄積するように選択される。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 （もっと読む）

【課題】共通信号ラインの電圧レベルの減衰を抑制する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、イメージセンサモジュールは、光電変換部をそれぞれ有する複数のイメージセンサを有する。前記複数のイメージセンサに共通に接続され、前記複数のイメージセンサから順次に画像信号及びオフセット信号が出力される共通信号ラインを有する。前記複数のイメージセンサのうち最後に画像信号を出力すべきイメージセンサから、前記共通信号ラインへの画像信号及びオフセット信号の出力が完了したことをしめすタイミング信号を、前記複数のイメージセンサのうち前記共通信号ラインへオフセット信号を出力すべきイメージセンサへフィードバックするフィードバック部を有する。そして、前記オフセット信号を出力すべきイメージセンサは、前記フィードバック部によりフィードバックされた前記タイミング信号に応じて、前記共通信号ラインへ前記オフセット信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】撮像素子によって受光される光が少ないといった課題がある。
【解決手段】撮像装置は、被写体が配される被写体領域の一方側に配され、受光面での受光量に応じた電気信号を出力する撮像素子が複数個整列した撮像素子アレイと、前記被写体領域の前記一方側において、前記撮像素子アレイの各々の前記撮像素子に対応して前記受光面側に配され、前記撮像素子の前記受光面の面積よりも小さいピンホールを複数個整列したピンホールアレイと、前記被写体領域の他方側において、前記ピンホールアレイの各々の前記ピンホールに対応して配され、前記ピンホールに集光する集光素子が複数配列した集光素子アレイとを備え、前記被写体および前記ピンホールアレイの少なくともいずれか一方を移動させつつ前記撮像素子アレイにより複数の画像を撮像して出力する。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備えている。フォトゲート電極ＰＧは、光入射面１ＦＴ上に設けられる。第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、フォトゲート電極ＰＧに隣接して設けられる。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から裏面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】 従来の構成では、光電変換装置の感度の向上とダイナミックレンジの拡大とを両立することが困難であった。
【解決手段】 複数の単位画素の各々が第１および第２の光電変換部と、第１および第２の光電変換部に共通の画素出力部と、を有し、第１の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化し、第２の光電変換部は、リセットされた状態で空乏化しないようにする。 （もっと読む）

【課題】受光素子面内の感度が均一に得られる固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】撮像用照射光１０を受ける側の半導体基板１の表面近傍に設けた光電変換素子からなる複数の受光素子２上の撮像用照射光側に、平面視で受光素子を囲むように配線層３を有し、受光素子と配線層とを被覆する絶縁層４１が凹部を構成し、前記凹部を被覆および充填して平坦面を形成した平坦化層５１を有する固体撮像素子において、絶縁層と平坦化層との屈折率を近似させたことを特徴とする。 （もっと読む）