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Fターム[4M118FA08]の内容

固体撮像素子 (108,909) | CCD、MOS型固体撮像素子の細部 (13,257) | 受光部の配置 (6,058) | リニア配列 (398)

Fターム[4M118FA08]に分類される特許

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【課題】 簡単な構成で用紙の端部などの位置を適切に検出することができるラインセンサを提供すること。
【解決手段】 基板1の一主面1a上に列状に設けられ、一主面1aの一方側に光を放射可能な複数の発光部2と、一主面1a上で、複数の発光部2のそれぞれに隣接して設けられ、一主面1aの一方側から到来する光を受光可能な複数の受光部3と、外部から発光部2の発光状態を制御する信号が与えられる第2および第3電極4b,4c、および外部に受光部3の受光状態に応じた信号が出力される第4および第5電極4d,4eを有し、第2〜第5電極4b〜4eは、複数の発光部2および受光部3のうち、端部に設けられる発光部2aおよび受光部3aよりも列の延在方向の外方に設けられて、発光部2および受光部3に選択的に接続される配線部4とを含む。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減することができる密着型リニアセンサを提供する。
【解決手段】3個以上の固体撮像素子を備える密着型リニアセンサにおいて、第(n+1)番目の固体撮像素子が有する水平転送レジスタは、第n番目の固体撮像素子に選択信号(VRSEL)及び選択信号(VOSEL)が印加されている期間及び第(n+1)番目の固体撮像素子に選択信号(VOSEL)が印加されている期間のみ動作させる。 (もっと読む)


【課題】基板上に一次元または二次元に配列された複数の各画素領域に、それぞれ光電変換部を有して成る固体撮像素子において、短波長から長波長まで、充分な感度を得ることができるようにする。
【解決手段】前記光電変換部となるフォトダイオード4の基板深部にキャリア排出領域5を設け、前記各画素領域を複数のグループに分割し、そのグループ間で、キャリア排出領域5に異なるバイアス電圧を印加することで、エネルギーポテンシャル、したがって電子を排出する深さを変化させ、分光特性を異ならせる。これによって、カラーイメージセンサに用いる場合には、カラーフィルタなどを用いることなく、1回の撮像でフルカラー撮像を可能にでき、分光分析装置に用いる場合には、1回の露光で参照光と蛍光とを区別する分光分析を可能にでき、しかも短波長から長波長まで、充分な感度を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板上に一次元または二次元に配列された複数の各画素領域に、それぞれ光電変換部を有して成る固体撮像素子において、短波長から長波長まで、充分な感度を得ることができるようにする。
【解決手段】光電変換部となるフォトダイオード4の基板深部にキャリア排出領域5を設け、複数のフレームを1組として、そのフレーム間で、前記領域5に異なるバイアス電圧を印加することで、エネルギーポテンシャル分布、したがって電子を排出する深さを変化させ、分光特性を異ならせる。これによって、カラーイメージセンサに用いる場合には、カラーフィルタなどを用いることなく、R,G,Bの3フレームの撮像でフルカラー撮像を可能にでき、分光分析装置に用いる場合には、2回の露光で、参照光と蛍光とを区別する分光分析を可能にでき、しかも短波長から長波長まで、充分な感度を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】消費電力の電荷転送装置を提供する。
【解決手段】電荷転送装置は、P型ウエル12と、P型ウエル12の表層に設けられたN型ウエル13と、N型ウエル13上に絶縁膜を介して設けられた複数の転送電極30とを備え、各々の転送電極は、ストレージ電極21,23とバリア電極22,24とを含み、ストレージ電極21,23は、その絶縁膜に接するP型ポリシリコンを有する。これにより、チャネル電位を低くでき、電源電圧を低くすることができる。 (もっと読む)


【課題】各感光画素毎の蓄積時間の同時性を確保すると共に、信号電荷の加算機能を向上させ、さらにこれらの機能の向上を低ノイズで、かつ、小さな回路面積で実現する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の入射光を信号電荷に変換する感光画素と、変換された信号電荷を出力信号に変換する電荷検出部とを備える固体撮像装置において、前記感光画素と前記電荷検出部との間に設けられ、前記信号電荷を一時的に蓄積すると共に順次パルスの印加により蓄積した信号電荷を前記電荷検出部に転送する電荷転送部を備える。 (もっと読む)


【課題】水平転送レジスタに意図しない光が入射することを抑制して、スミア特性の改善を図る。
【解決手段】信号電荷を転送する水平転送レジスタと、水平転送レジスタ上に配置された転送電極と、転送電極に転送パルスを供給するφ1アルミニウム配線47及びφ2アルミニウム配線48と、φ1アルミニウム配線及びφ2アルミニウム配線の上層に形成されると共にスリットによって第1の領域aと第2の領域bに分割された第2層目アルミニウム層とを備えるCCDリニアセンサにおいて、第2層目アルミニウム配線の上層にスリットへの入射光をスリットの非形成領域に集光するレンズ56を形成する。 (もっと読む)


【課題】信号電荷の転送改善を実現することができる電荷転送装置の製造方法及びCCD固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】転送電極上に形成したSiN層15をフォトレジスト21で被覆した状態でサイドウォール16を形成するエッチング処理を行なう。その後、フォトレジストを除去し、転送電極上に形成したSiN層15を残した状態のままで酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 放熱性の優れた樹脂製中空パッケージを提供する
【解決手段】
CCD、CMOS等の1次元及び2次元の固体撮像素子収納用の樹脂製中空パッケージの放熱性を向上させるために、少なくとも半導体素子と同じ大きさのタブを中空部内底面に露出、乃至は樹脂層中に挿入させ、かつ該タブが半導体素子と導通されていないアウターリードに直結され、かつ該アウターリードが導通されたアウターリードと同じ辺にあるパッケージ構造を提案するものである。 (もっと読む)


【課題】フレームレートを低下させることなく広DR画像を再生するとともに、線形特性部分のゲインを増加させて撮影する場合であっても広DRを確保する。
【解決手段】一次元又は二次元の画素配列を有するとともに、2つ以上の異なる光電変換特性を有する画素部と、前記画素部からの画素信号をアナログの状態で増幅するアナログ増幅部と、前記2つ以上の異なる光電変換特性の前記画素信号それぞれを、該各光電変換特性に対応するアナログゲインを用いて前記アナログ増幅部により増幅させて出力する出力回路とを備えた固体撮像装置とする。 (もっと読む)


【課題】チップギャップの存在に起因する画像の乱れを生じないようにしたラインセンサ
を提供する。
【解決手段】ラインセンサ4は、複数の画素21は、解像度に応じた個数を含み、直線状
に配列された前記複数の画素の中央部に設けられ、画素ピッチが、解像度から計算される
画素ピッチPSに応じた長さよりも短い第1の画素群と、中央部の両側部にそれぞれ設け
られ、画素ピッチが解像度から計算される画素ピッチPSに応じた長さよりも長い第2の
画素群と、を有する。 (もっと読む)


【課題】画素内トランジスタのノイズ低減やFD部周辺の結晶欠陥を有効に防止でき、画質の向上を図る。
【解決手段】シリコン基板100の所定位置に素子分離領域(LOCOSもしくはSTI)121を形成した後、拡散層素子分離部110用のシリコン酸化膜111を形成する。その後、各種のイオン注入やゲート電極パターンの形成を行い、層間絶縁膜114を形成する。その後、長さの異なる接続孔116、117、126、127を別工程のエッチングによって順次形成し、各接続孔116、117、126、127に導電性材料(タングステン/窒化チタン/チタン)を埋め込み、長さの異なる金属製のプラグ118、119、128、129を形成する。また、FD部に対応するプラグは、一部をポリシリコン材で置換することができる。 (もっと読む)


【課題】 従来の固体撮像装置は、電気的特性、例えば駆動させる際の閾値電圧が経時的に変動しやすい。
【解決手段】 光電変換素子群に近接して半導体基板に形成された電荷転送チャネルと、光電変換素子の各々に1個ずつ形成され、対応する光電変換素子に隣接するとともに電荷転送チャネルとの隣接する読み出しゲート領域と、電荷転送チャネルの上方にON膜またはONO膜を介して形成された複数個の転送電極であって、電荷転送チャネルを平面視上横断し、相隣るもの同士が互いに近接配置されて電荷転送チャネルとともに1本の電荷転送路を構成する複数個の転送電極と、読み出しゲート領域の上方に、ON膜またはONO膜を構成する窒化物層を除去して得られた凹部を埋めることで形成された、ON膜またはONO膜とほぼ同じ厚さを有する酸化物絶縁膜を介して形成され、かつ、転送電極とは酸化物膜で絶縁された読み出しゲート電極であって、読み出しゲート領域に1個ずつ形成された読み出しゲート電極とを備えた固体撮像装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置内で水素の供給を有効に行い、ノイズの発生を有効に抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】フォトダイオード110や画素トランジスタ120等が形成されたシリコン基板100の上にフォトダイオード110やトランジスタ120に水素を供給する水素放出膜160を形成し、その上に水素の拡散防止を行う水素遮断膜170を形成している。シリコン基板100の上面近傍に水素放出膜160を配置し、その上に水素遮断膜170を配置したことから、水素放出膜160の水素が上層方向に拡散するのを遮断でき、フォトダイオード110やトランジスタ120に対する水素の供給効率を改善でき有効にノイズ抑制を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子は白黒用配列と青色用配列群と緑色用配列群と赤色用配列群で構成され、カラーフィルタは緑色、青色、赤色の順に形成されるリニアセンサーにて、青色カラーフィルタの膜厚のバラツキを低減させたリニアセンサーを提供する。
【解決手段】白黒用光電変換素子2BWの上方に、透明パターン5が青色カラーフィルタ3Bの形成前に設けられている。青色用光電変換素子2B−aから、青色カラーフィルタと透明パターンが接する位置までの距離l1が、青色用光電変換素子2B−dから、緑色カラーフィルタと青色カラーフィルタが接する位置までの距離l2より短いこと。 (もっと読む)


【課題】低解像度で画像情報を読み込む場合であっても出力信号のデータレートの低下を抑制することができるリニアセンサを提供する。
【解決手段】複数の受光部1を有するセンサ部2と、センサ部で得られた信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部4とを備えるリニアセンサにおいて、2以上の受光部1を1つのグループとして、このグループと水平電荷転送部4の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は同受光部が属するグループと対応する単位転送ビットに転送すべく構成すると共に、グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって単位転送ビットに信号電荷を転送するための信号電荷保持部を備える。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子の増幅部において発生する熱の放熱性に優れた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置10は、長尺状の基板(モールドケース18)と、モールドケース18表面に露出するとともにモールドケース18の長手方向に延在する金属層16と、金属層16上に搭載された長尺状の固体撮像素子20と、を備え、固体撮像素子20の増幅部の直下領域における金属層16の層厚は、その他の領域における金属層16の層厚よりも厚いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ADコンバータ(ADC)内蔵のマイコンに適したスポットAE機能を搭載し、AE精度と動作速度を向上させ、チップサイズが小さく、かつ、低コストのスポットAE機能を搭載したAEAF用固体撮像装置を実現する。
【解決手段】AEAF用固体撮像装置は、AFを行うためのフォトダイオード列とこれに蓄積された電荷量に応じたAF信号をマルチプレクサ(MPX)104を介してマイコン109のADコンバータ112に出力する駆動回路、検出回路、シフトレジスタを有するAF回路ブロック101と、AEを行うためのフォトダイオードを含みこれで光電変換されたAE信号をMPX104を介してマイコン109のADC112に出力するAE回路ブロック102とが同一半導体基板100上に形成され、AF回路ブロック101のモニタ信号(最大値信号)をスポットAE信号としてMPX104を介してマイコン109のADC112に出力する。 (もっと読む)


【課題】電荷転送電極間のリークを防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10上にシリコン系の導電性材料膜2aを形成し、この上に絶縁膜3を形成する。次に、絶縁膜3上にレジストのマスクパターン4を形成し、このマスクパターン4を介してCHFとCFとArの混合ガスを用いたエッチングを行って電荷転送電極2を形成する。半導体基板10の全面に絶縁膜5を形成し、絶縁膜3をストッパとするエッチバックを行って、電荷転送電極2の露出面にのみ絶縁膜5を残す。半導体基板10全面にシリコン系の導電性材料膜6aを形成し、絶縁膜3をストッパとしたCMPやエッチバックによって、導電性材料膜6aの絶縁膜3よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜6a及び絶縁膜3上にレジストのマスクパターン7を形成する。マスクパターン7を介したエッチングを行って、電荷転送電極6を形成する。 (もっと読む)


【課題】MOS固体撮像装置における画素のノイズを低減する。白点の発生、1/fノイズの低減を図る。さらに読出し特性の改善を図る。
【解決手段】MOS固体撮像装置における所要の画素トランジスタにおいて、ゲート電極に所要導電型のサイドウォールを形成する。読み出しトランジスタでは、例えばゲート電極63の光電変換素子43側を第1導電型領域63Pとし、フローティングディフージョン部46側を第2導電型領域63Nとして構成とする。好ましくは、ゲート電極63の光電変換素子43側に絶縁膜56を介して第1導電型の半導体材料部64Pを形成する。例えば増幅トランジスタでは、ゲート電極下に埋め込みチャネルを形成し、第1導電型または第2導電型の半導体材料部を形成する。リセットトランジスタでは、ゲート電極のフローティングディフージョン部と電気的に接続される領域側に、所要導電型の半導体材料部を形成する。 (もっと読む)


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