【課題】ＭＯＳ固体撮像装置における画素のノイズを低減する。白点の発生、１／ｆノイズの低減を図る。さらに読出し特性の改善を図る。
【解決手段】ＭＯＳ固体撮像装置における所要の画素トランジスタにおいて、ゲート電極に所要導電型のサイドウォールを形成する。読み出しトランジスタでは、例えばゲート電極６３の光電変換素子４３側を第１導電型領域６３Ｐとし、フローティングディフージョン部４６側を第２導電型領域６３Ｎとして構成とする。好ましくは、ゲート電極６３の光電変換素子４３側に絶縁膜５６を介して第１導電型の半導体材料部６４Ｐを形成する。例えば増幅トランジスタでは、ゲート電極下に埋め込みチャネルを形成し、第１導電型または第２導電型の半導体材料部を形成する。リセットトランジスタでは、ゲート電極のフローティングディフージョン部と電気的に接続される領域側に、所要導電型の半導体材料部を形成する。 （もっと読む）

【課題】無機マイクロレンズのレンズ間スペースを０．１μｍ以下とし、開口率を向上させる固体撮像素子の製造方法、及び高感度の固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】光電変換部上方にＣＶＤでシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層を形成する工程、該層上に透明樹脂層を積層する工程、透明樹脂層上に熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂を用いレンズ母型を形成する工程、レンズ母型にドライエッチングを行い、レンズ母型のパターンを透明樹脂層を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層に転写し、マイクロレンズとする工程を具備すること。透明樹脂が、アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂であること。 （もっと読む）

【課題】 各画素間の光電変換特性のバラツキを抑制し、ＩＣ全体にわたり均一な光電変換特性を有するイメージセンサＩＣを提供する。
【解決手段】 複数の画素領域の保護膜下には、全て同一の電位に固定された電位固定用の光透過可能な導電体を配置した。また画素内部には細い形状で形成された電位固定用の光透過可能な導電体を配置し、全てシリコン基板と同電位になるように電気的に接続するようにした。これにより、保護膜形成時における下地となる領域の電位が、全ての画素領域にわたり一定になり保護膜厚、膜質を均一に出来る。これによって画素間の光電変換特性バラツキを無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の面積の増大及び転送効率の劣化を防止すること。
【解決手段】本発明にかかる固体撮像装置は、入射した光を光電変換する複数の受光素子が電荷転送方向に配列された画素列と、画素列を介した両側に配置され画素列から入力された信号電荷を電荷転送方向に転送する第１の電荷転送部及び第２の電荷転送部と、第１の電荷転送部に接続され当該第１の電荷転送部から入力された電荷を電圧変換する第１のフローティングディフュージョンと、第２の電荷転送部に接続され当該第２の電荷転送部から入力された電荷を電圧変換する第２のフローティングディフュージョンと、第１のフローティングディフュージョンと第２のフローティングディフュージョンとを接続する配線と、配線に接続された単一の出力回路６と、第１のフローティングディフュージョン及び第２のフローティングディフュージョンの電位を初期化するリセットトランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】光照射により電荷を生成する過程で電荷量を調節することにより光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化が可能になる光検出素子を提供する。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧を印加してウェル１２にポテンシャル井戸を形成した状態で受光し、光照射による電子を集積する。その後、障壁制御電極１４ｃの電圧を制御して、ポテンシャル井戸を電荷分離部と電荷蓄積部とに２分し、電荷分離部の電荷を廃棄し、さらに、電荷蓄積部から電荷分離部に電荷を転送する。その後、障壁制御電極１４ｃに印加した電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さを調節することにより、規定した一定量の不要電荷を電荷分離部で分離し、ポテンシャル障壁を越えて電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷を受光出力として取り出す。 （もっと読む）

【課題】インデックス画像の作成の容易化と、本撮像処理の高速化を達成できるＣＣＤ撮像デバイス及びその駆動方法を提供するとともに、かかる技術を適用したフイルムスキャナーを提供する。
【解決手段】二次元的に配列された複数の光電変換素子３２のうち水平転送ＣＣＤ３６に最も近い１行分又は隣接する２行分の光電変換素子ラインの転送ゲート電極Ｖ1 （ＴＧ1A）, Ｖ3 （ＴＧ3A）を他の光電変換素子と区別して独立に制御できる構造に構成する。このＣＣＤイメージセンサ３０をフイルムスキャナーに搭載し、インデックス画像を取得する画像読み込み処理時（インデックススキャン時）には当該ＣＣＤイメージセンサ３０をリニアイメージセンサとして機能させ、一コマ毎に高画質な画像を取得する本撮像処理の際には当該ＣＣＤイメージセンサ３０をエリアイメージセンサとして機能させる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも二層の金属配線層が積層された基板上において、一次元に配列され、入射光を光電変換する複数の単位画素部を具備するラインセンサであって、最上層以外の金属配線層を用いて複数の機能素子を形成し、複数の機能素子上に、複数の単位画素部の配列方向に沿って設けられ、複数の機能素子に電気的に接続されて電力供給及び信号伝送の少なくとも一方を行う配線を、最上層の金属配線層により形成する。 （もっと読む）

複数の画素を有する画像センサーであって、各画素は、（ａ）露光毎に光子により誘起された電荷を蓄積することにより、少なくとも２回の露光を続けてキャプチャする感光領域、（ｂ）それぞれ各露光の蓄積された電荷が順次転送される、一連の露光のうちの１つに関連付けられた少なくとも２つの電荷蓄積領域、及び（ｃ）少なくとも１つの電荷蓄積領域と関連付けられた少なくとも１つの増幅器、を有する画像センサー。
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【課題】ＡＳＩＣの設計手法を用いてアスペクト比の大きなマクロブロックの作成を可能とする。
【解決手段】センサチップ４上に、複数の固体撮像素子をアレイ状に配列してなる受光部５と、受光部５に対する処理機能を有すると共に受光部５の延出方向に沿って細長く配設された高アスペクト比のマクロブロック（ＴＧ回路部）２３とが設けられ、このマクロブロック２３が、受光部５の延出方向へ１列に配列された複数のマクロセル２３ａで構成されており、各マクロセル２３ａがスタンダードセル方式の基本セルを用いて作成されている。マクロブロック２３を複数のマクロセル２３ａで構成し、各マクロセル２３ａをＡＳＩＣの設計手法であるスタンダードセル方式を用いて作成したので、アスペクト比の大きなマクロブロック２３であっても１列に作成することが可能となる。 （もっと読む）

固体撮像システムは、一方の一続きの画素が、他方の一続きの画素に関してずらされ、即ち互い違いにされている第1および第2の一続きの画素（191、192、193）を有する少なくとも1つのCMOS撮像装置（190）を有する。複数の撮像装置が端から端へと配列され、ジャンパ線（48）が画素出力導体または各々を接続し、それによって画素は各々の一続きに対する共通出力増幅器（160、161）へ入り、チップ間オフセット電圧を最小にする。画素は相互から斜めにずらしてよく、カラーリボンフィルタが画像区域を斜めに横切って配列されるカラー撮像装置を構築することができる。この配列はカラーのクロストークを最小にする。マイクロレンズのアレイ（200、210、210'、211）は、各々のマイクロレンズが複数の画素を覆うように置かれる。各マイクロレンズの下側の画素は、斜行部分に沿って整列することができる。同じマイクロレンズの下側の異なる画素は異なる積分時間を有することができ、撮像装置のダイナミックレンジを拡大する。

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【課題】低コストで製造可能で、信号電荷の完全転送を実現可能な半導体素子を提供し、更にはこの半導体素子を画素として複数個配列して、高い空間解像度を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体領域１と、半導体領域１の上部の一部に埋め込まれ、光を入射する第２導電型の受光用表面埋込領域１１ａと、半導体領域１の上部の一部に埋め込まれ、受光用表面埋込領域１１ａよりもポテンシャル井戸の深さが深く、受光用表面埋込領域１１ａにより生成した信号電荷を蓄積する第２導電型の電荷蓄積領域１２ａと、電荷蓄積領域１２ａにより蓄積した信号電荷を受け入れる電荷読み出し領域１３と、受光用表面埋込領域１１ａから電荷蓄積領域１２ａへ信号電荷を転送する第１の電位制御手段３１と、電荷蓄積領域１２ａから電荷読み出し領域１３へ信号電荷を転送する第２の電位制御手段３２を備える。 （もっと読む）

【課題】 撮像した画像のうち必要な部分の画像データのみを効率良く取得できる撮像装置を提供する。
【解決手段】 入射光を電荷に変換する光電変換部１１と、この光電変換部１１によって変換された電荷を転送する垂直転送部１２とを有するＣＣＤ固体撮像素子１を備えた撮像装置であって、垂直転送部１２のうち、電荷転送方向上流端から所定幅の領域を、少なくとも電荷転送時に蓄積電荷の無い無電荷領域１２ａにする無電荷領域生成手段と、垂直転送部１２による電荷の転送を、無電荷領域１２ａ以外の領域の全ての電荷が電荷転送方向下流端から水平転送部１３へ出力される期間のみ行わせる電荷転送制御手段とを設けており、前記無電荷領域生成手段は、前記電荷転送部の前記無電荷領域に対応する部分の電荷を放電させるスイッチ群である。 （もっと読む）

【課題】 感度の向上と飽和電荷の向上を両立させた撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を形成する第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域に配される、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の電荷蓄積部と、前記第１の半導体領域に配される１導電型の第２の半導体領域と、前記電荷蓄積部と前記第２の半導体領域との間に配されたゲート電極と、前記ゲート電極の下部に配される第２導電型の第３の半導体領域と、を有する複数の画素が、半導体基板の主表面に配列された撮像装置において、前記電荷蓄積部は、前記第２の半導体領域に比べ前記半導体基板の深くまで配されており、前記電荷蓄積部の下部に第２導電型の第４の半導体領域が配されている。 （もっと読む）

本発明は、ＮラインのＰ個の光検出画素により連続的に行われる同一の線形画像の同期読み出し、および各ラインにより読み出された信号の画素単位の合算のための信号積分型、移動型のマルチライン線形アレイ形態の画像センサに関する。
本発明では、光生成電荷積分時間の開始時に、ランクｉ−１の前ラインにおける画素の出力電圧を、ランクｉの中間ラインにおける画素のフォトダイオードに印加し、フォトダイオードを隔離し、光に起因する電荷をその内部で積分し、最終的に積分時間の終了時に、フォトダイオードの電荷を画素の格納ノード（Ｎ２）に移動させる。電荷−電圧変換回路（Ｔ４，Ｔ５）は、格納ノードの電荷を画素の出力電圧に変換する。従って、光生成された電荷を各画素において積分する前に、シーンの同じラインを観測した前の画素ラインに由来する電荷の総計に相当する電荷を、フォトダイオードに流入させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズの屈折率を高め、同時に表面反射率を下げ、集光効率の向上を図る。
【解決手段】マイクロレンズ用材料としてバインダー樹脂中に屈折率が１．６以上の超微粒子を含有した材料を用いている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係るイメージセンサは、半導体基板上に形成される素子分離膜、トランジスタ領域及びフォトダイオード領域と、フォトダイオード領域に形成された複数のホールとを備える。フォトダイオード領域に形成されたホールは、半導体基板にトレンチ形状に形成されていてもよい。また、フォトダイオード領域に形成されたホールは、円形または角形の表面形状を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｎ出力（ノイズレベル）の読み出し時とＳ出力（データレベル）の読み出し時とにおいてクリップトランジスタに流れる微小な電流の差が画質に与える影響を低減する。
【解決手段】光電変換装置１００は、画素出力線１３０と、入射する光に応じて画素出力線１３０を駆動する画素１０１と、画素１０１からノイズレベルを読み出すときに画素出力線１３０の電位を制限するクリップトランジスタ１２１とを備える。光電変換装置１００は、更に、クリップトランジスタ１２１のゲート電位を制御する制御回路１４０を備える。制御回路１４０は、ノイズレベルを読み出すときは、画素出力線１３０の電位を制限するための電位ＶＣＬＩＰをクリップトランジスタ１２１のゲートに提供する。制御回路１４０は、データレベルを読み出すときは、画素出力線１３０の電位に応じて定まる電位をクリップトランジスタ１２１のゲートに提供する。 （もっと読む）

【課題】強い光が入射した場合における画素間の特性ばらつきによる画質低下を抑制する。
【解決手段】読み出し回路２００は、画素から読み出される第１電位と第２電位との差に基づいて決定される方法で、画素から画素信号を読み出す。第１電位は、電荷電圧変換部のリセット中において画素から読み出される電位である。第２電位は、電荷電圧変換部のリセット解除後かつ転送ゲートの活性化前において画素から読み出される電位である。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂを用いない環境に優しいパッケージで、キャビティ部の気密信頼性の高い安価な半導体受光素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】平板形状のセラミック基体１１と、これと略同じ外形寸法で窓枠形状のセラミック枠体１２の間に複数本の外部接続端子１３が熱硬化性樹脂接着材１４で接合されて有し、枠体１２の開口から露出する基体１１の表面と、枠体１２の内周壁面で半導体受光素子１５を収納するためのキャビティ部１６を設けると共に、外部接続端子１３をそれぞれの先端部をキャビティ部１６側と、外周側に露出させる状態で設ける半導体受光素子収納用パッケージ１０であって、外部接続端子１３の内の１又は複数本に、セラミック基体１１と、セラミック枠体１２の間の熱硬化性樹脂接着材１４で覆われる部分から延設し、セラミック枠体１２幅に包含されるダミーリード１８を有する。 （もっと読む）

【課題】 高解像度でも画素の感度を最大限にする。
【解決手段】 ＴＤＩ方式を用いたＣＣＤイメージセンサ３０には、第１の画素列１、第２の画素列２、蓄積部列３、ＳＨ１ゲート４、ＳＨ２ゲート５、第１の転送ゲート（ＴＤ１）６、第２の転送ゲート（ＴＤ２）７、第１のＣＣＤシフトレジスタ１０、第２のＣＣＤシフトレジスタ１１、及び最終段ゲート部１２が設けられている。第１の画素列１、第２の画素列２、蓄積部列３、ＳＨ１ゲート４、ＳＨ２ゲート５、第１の転送ゲート（ＴＤ１）６、第２の転送ゲート（ＴＤ２）７、第１のＣＣＤシフトレジスタ１０、及び第２のＣＣＤシフトレジスタ１１は、互いに離間され、それぞれ平行配置される。第１の画素列１を構成する画素は第２の画素列２を構成する画素と相対向して平行配置される。 （もっと読む）