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Fターム[4M118FA08]の内容

固体撮像素子 (108,909) | CCD、MOS型固体撮像素子の細部 (13,257) | 受光部の配置 (6,058) | リニア配列 (398)

Fターム[4M118FA08]に分類される特許

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【課題】透過波長可変フィルタを用いて、高い波長分解能を有する分光測光装置を提供する。
【解決手段】入射した光を波長ごとに分光して透過させる光学部品であって、光が入射する面内の第1の方向に沿って透過波長が変化する第1の透過波長可変フィルタと、光が入射する面内の第2の方向に沿って透過波長が変化する第2の透過波長可変フィルタを有し、前記第1及び第2の透過波長可変フィルタを所定の間隔を隔てて、かつ、前記第1の方向と前記第2の方向が略平行となるように設置する。分光測光装置であって、前記光学部品と、前記光学部品を透過した光を受光する、複数のセンサが配列されたセンサアレイを備える。 (もっと読む)


【課題】単位画素列を構成する各列の画素で1つの読出部を共有した場合であっても、各列の画素に同一フレームの画素信号を出力させる。
【解決手段】画素列21_B,21_G,21_Rは、それぞれ、隣接する2列の画素GE毎に1個の単位画素列22_B,22_G,22_Rを構成している。読出部53は、各単位画素列22に対応して複数設けられ、奇数列の画素GE_Oとそれに隣接する偶数列の画素GE_Eとによって共有されている。偶数列の画素GE_Eは、奇数列の画素GE_Oに対して、垂直方向下向きにO=(1/8)・P=(1/6)・Wずらして配置されている。 (もっと読む)


【課題】異なるカラーセンサチップ間における同色のカラーフィルタの列の膜厚が、カラーセンサチップの半導体基板上での配置や、カラーセンサチップ内でのカラーフィルタの列の配置によらず、一定であるようなリニアセンサ用カラーフィルタの製造方法を提案すること。
【解決手段】平行配列した複数のリニアイメージセンサ列の前面に各センサ列に対応したカラーフィルタの各々の列を互いに異なる色光を透過する単色フィルタとして配置し、その最小集合単位としてのカラーセンサチップを半導体基板上に複数配置するためのカラーフィルタの製造方法であって、各チップ間を仕切るスクライブラインを有し、スクライブラインに平行に最も近接して形成する色のカラーフィルタ列の形成に先立って、透明樹脂層をスクライブライン上に形成する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子1Aは、半導体層20と、半導体層20上に成長し且つ半導体層20よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層21と、を有するシリコン基板2と、エピタキシャル半導体層21の表面上に設けられた導体(フォトゲート電極PG、第1及び第2ゲート電極TX1,TX2、コンタクト電極11、及びパッド電極13)と、を備えている。エピタキシャル半導体層21には、光感応領域(フォトゲート電極PG直下の領域)が形成されており、半導体層20における少なくとも光感応領域に対向する表面2BKには、不規則な凹凸22が形成されている。不規則な凹凸22は、光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子に適した光電変換素子材料として有用な新規化合物の中間体を提供する。
【解決手段】下記一般式(V)で表される化合物。


(式中、R、R、R、R、R、Rは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表す。RとR、RとR、RとR、RとRは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
好ましくは、R21及びR22の少なくとも一方が、置換又は無置換のアリール基であって、単結合又は置換基を介してR又はRと連結して環を形成する基。R21及びR22の一方が前記環を形成する基の場合、他方は置換又は無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。 (もっと読む)


【課題】低混色、高感度、低残像、低暗電流、低ノイズ、高画素密度の固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素10は、第1の半導体層1と、第2の半導体層2と、第2の半導体層2の上部側面領域にその上面とは接しないように形成された第3の半導体層5a,5bおよび第4の半導体層6a,6bと、第2の半導体層2の下部側面領域に形成されたゲート導体層4a,4bと、絶縁膜3a,3bを介して第4の半導体層6a,6bの側面に形成された導体電極7a,7bと、第2の半導体層2の上面に形成された第5の半導体層8とを備え、少なくとも第3の半導体層5a,5bと、第2の半導体層2の上部領域と、第4の半導体層6a,6bと、第5の半導体層8とは島状形状内に形成されている。また、第4の半導体層6a,6bの表面にホールを蓄積させるように導体電極7a,7bに所定の電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】センサ出力を増幅するアンプの特性にばらつきがある場合においても、センサ出力の特性のばらつきを低減する。
【解決手段】センサチップ12に光電変換部13および出力部14、15を形成し、出力部14は、光電変換部13から読み出されたセンサ信号OSをメイン基板1に出力し、出力部15は、出力部14から出力されるセンサ信号OSの基準電位VREFとして光に反応しない基準信号DOSをメイン基板1に出力する。 (もっと読む)


【課題】波長が長い光に対しても受光感度を上げると共に、簡単なプロセスで安価に形成することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】p型シリコン半導体基板2とn型シリコン半導体3との接合部に生じる空乏領域に入射した光を光電変換する撮像素子1において、n型シリコン半導体3が、p型シリコン半導体基板2の内部に、当該p型シリコン半導体基板2の面方向、且つ光の入射方向に沿って長手方向に延在して複数配設されて形成される。また、入射光の侵入長に対応させた位置、及び長さでn型シリコン半導体3を複数配設することで、侵入長に応じた色の光を個々に光電変換することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制することが可能な不純物層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のドットパターン3により構成された第1の領域2−1と、この領域2−1のパターンよりも大きい面積の複数のドットパターン4により構成され、第1の領域2−1に隣接する第2の領域2−2と、を具備し、これらの領域2−1、2−2の境界部分で光の透過率が不連続的に変化するグレーティングマスク1であって、第1の領域2−1のドットパターン3と第2の領域2−2のドットパターン4との間に、これらのドットパターンの中間の面積を有するドットパターン6を設けたグレーティングマスク1を用いて、半導体基板8上に塗布されたレジスト材料9を露光する工程と、露光されたレジスト材料9を現像することによりレジスト膜10を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして用いて半導体基板8にイオンを注入することにより、不純物層11を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】微小フィルターと対応する受光素子との間で発生するクロストークを低減して、画質を向上させる偏光イメージセンサーを提供する。
【解決手段】この偏光イメージセンサー50は、複数の受光素子6が1次元的、または2次元的に配列されたイメージセンサー7と、各受光素子6に対向配置されたマイクロレンズ(光学素子)3と、イメージセンサー7の受光素子6と対応する複数の領域に、少なくとも2種類以上の異なる偏光特性を有する微小フィルター21、22によって構成される偏光フィルター1と、を備え、各微小フィルター21、22と各マイクロレンズ3との間を透明な樹脂部材2により接続した。 (もっと読む)


【課題】高解像度の固体撮像装置において、暗電流の発生を抑制しつつ、電荷の転送効率を向上させる技術を提供する。
【解決手段】フォトダイオードを有する光電変換部(1)と、電荷蓄積部(3)と、電荷転送部(5)と、その光電変換部(1)とその電荷蓄積部(3)との間に設けられた第1制御ゲート部(2)と、その電荷蓄積部(3)とその電荷転送部(5)との間に設けられた第2制御ゲート部(4)とを具備する固体撮像装置を構成する。その電荷蓄積部(3)は、その第1制御ゲート部(2)に近い位置に形成された第1領域(11)と、その第2制御ゲート部(4)に近い位置に形成され、その第1領域(11)よりもチャネル電位が増加するように構成された第2領域(15)とを備える。そして、その第1領域(11)とその第2領域(15)は、ピンニング状態でその信号電荷を保持する。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板に設ける位置合わせ用のアライメントマークの配置位置による制約を解消し、半導体基板同士の実装精度を向上させるイメージセンサ用基板を提供する。
【解決手段】 端子部4及び回路配線パターン1dを有して回路を形成した半導体基板1と、半導体基板1の長手方向に直線的に設けられ、光を光電変換する多数の光電変換部2と、光電変換部2から出力された電気信号を端子部4から出力する、光電変換部2と端子部4との間に設けられた駆動回路部3と、光電変換部2に選択的に配置され、光を透過させる光学波長の異なる複数の光学フィルタ5と、半導体基板1を載置するセンサ基板7と、センサ基板7に設けた基準マーク7aと、駆動回路部3の領域にある半導体基板1の回路配線パターン1dで形成された光反射パターン部6と、光反射パターン部6を除いて駆動回路部3を覆い、複数の光学フィルタ5が積層された光遮光膜とを備えるようにした。 (もっと読む)


【課題】放射線撮像のための撮像素子が画像セルの配列を具備する撮像素子を提供する。
【解決手段】画像セル配列は、瞬間的な放射線(14)に応答して電荷を発生させる検出器セル(18)の配列と画像セル回路の配列とを含んでいる。各画像セル回路はそれぞれの検出器セルと関連している。画像セル回路は、関連する検出器セルに入射する複数の放射線ヒットを計数するための計数回路を具備している。好ましくは、画像セル回路は、関連する検出器セルで発生し入射放射線エネルギーに依存した値を有している信号を受容するように接続されたしきい値回路を具備している。所定のエネルギー範囲内の放射線ヒットのみを計数するため計数回路はしきい値回路に接続されている。 (もっと読む)


本発明の実施態様は、可変アクティブ画像領域を提供する。部分画素は可変選択グループ内に配置され、画素グループを備える。画素グループの部分画素は、複数の選択部分画素グループに属することができる。セレクタは、可変部分画素選択を提供するために、1つ又は複数の選択部分グループの組み合わせ選択するように構成される。可変部分画素選択は、可変アクティブ画像領域の異なる側面(例えば、位置、サイズ、形状)を変化させることができる。これらの側面を変化させることは、アライメント及び較正の観点で、大きな柔軟性につなげることができる。全ての部分画素うちのいくつかだけを選択することは、少ない処理及び低い電力消費量につなげることができる。複数の部分画素値は、1つの画素グループ値内で処理されることができる。異なる可変選択グループのための可変部分画素選択は独立とされることができる。
(もっと読む)


【課題】複数の光電変換素子を平面配置した画素部と、画素部周辺に積層配置した多層配線部とを有する固体撮像素子において、画素部を形成した領域面を多層配線部の上面より低く形成した構造であっても、後のカラーフィルタ形成工程で枠色ムラや剥がれ等の品質不良の生じない正常な膜形成領域を広く確保する固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子において、画素部領域の受光面表面が多層配線部領域の上面より低い位置となるように両部の境界付近に段差が形成され、段差から画素部にいたる表面上に、その表面が下に凸なスロープ状の透明樹脂層を設けた。 (もっと読む)


【課題】複数の電荷結合部(CCD列)の間で電荷を転送する機能を備えたイメージセンサを適切に動作させる技術を提供する。
【解決手段】電荷結合部(2)と、その電荷結合部(2)に駆動パルス(φ1、φ2)を供給する駆動パルス供給部(3)とを具備する固体撮像装置を構成する。その電荷結合部(2)は、第1CCD列(4)と、第2CCD列(5)と、CCD間電荷転送部(6)とを備えているものとする。その第1CCD列(4)からその第2CCD列(5)へ、その信号電荷を受け渡すCCD間電荷転送期間において、一定レベルの信号(GND)を、調整用信号(φ1’、φ2’)として供給する。また、その第1CCD列(4)またはその第2CCD列(5)の内部を通って電荷を転送するCCD内電荷転送期間において、その駆動パルス(φ1、φ2)と同相のパルスを、その調整用信号(φ1’、φ2’)として供給する。 (もっと読む)


【課題】リニアセンサが収納される中空部の内底面の長手方向の反り発生が抑制されるリニアセンサ収納用中空パッケージを提供する。
【解決手段】リニアセンサが収納される中空部が形成された樹脂製のパッケージ本体5と、中空部の内底面を構成する底部内に内底面と平行に配置された金属製薄板1と、金属製のリードフレーム10とを備え、内底面の面積に対する、金属製薄板1の内底面と平行な面の面積の割合が70〜110%であり、金属製薄板1の配置位置が、内底面から、底部の厚さの20〜55%の深さであるリニアセンサ収納用中空パッケージ20。 (もっと読む)


【課題】基板のサイズを小さくし、1枚のウエハから取り出すことができる基板の数を増大させて低コスト化を図る。
【解決手段】読出回路部3は、固体撮像素子部2と電極パッド部4との間にのみ配設され、固体撮像素子部2とダミーパッド部5との間には配設されていない。電極パッド部4は、各電極パッド41が基板1の−y方向側の長辺11の近傍において長辺11に沿うように複数配列されている。ダミーパッド部5は、各ダミーパッド51が基板1の+y方向側の長辺11の近傍において長辺11に沿うように複数配列されている。 (もっと読む)


【課題】表面プラズモンを利用した半導体装置において、より高感度化、薄膜化を可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】光電変換層2と、光電変換層2内に埋め込まれた連続あるいは不連続の筒状の金属微細構造体3と、金属微細構造体3の内側面及び外側面を被覆する誘電体膜4とを有する。 (もっと読む)


【課題】AFセンサにおいて、焦点位置を検出するためのリニアセンサ内での結像位置のずれに起因するフォーカス精度の低下を抑える。
【解決手段】CCDリニアセンサは、基線方向に沿って並んだ複数の画素を備える。複数の画素は、光電荷を基線に対して一方側に配置された第1シフトレジスタに送る第1画素群と、第1画素群と交番的に配置され、光電荷を基線に対して他方側に配置された第2シフトレジスタに送る第2画素群とを含む。第1画素群の画素は、一方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第2画素群の画素は、他方側に向って深くなるポテンシャル勾配を有する受光領域を備える。第1画素群の受光領域と第2画素群の受光領域は基線方向から見て重なる重なり領域を有する。CCDリニアセンサは更に、第1画素群の画素と、隣接する第2画素群の画素とが生成する電荷を合成して出力する合成部を備える。 (もっと読む)


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