【課題】基板上の絶縁膜の膜厚最適化により、受光部の暗電流、キズ特性の向上、転送トランジスタの信頼性の長寿命化、出力処回路部による画素情報の高速出力化をできる増幅型固体撮像素子の提供。
【解決手段】増幅型固体撮像素子は、画素セル部１１を複数有する受光部、周辺回路部５、入出力部７、出力処理回路部９が基板１００にシステム・オン・チップ化されてなり、画素セル部１１の転送トランジスタＴｎＴｒやフォトダイオードＰＤ（第１の活性領域）の絶縁膜１０４、画素セル部１１のリセットトランジスタＲｓＴｒ（第２の活性領域）の絶縁膜１０８、画素セル部１１の増幅トランジスタＳＦＴｒと周辺回路部５の容量素子部（第３の活性領域）の絶縁膜１１０、出力処理回路部９（第４の活性領域）の絶縁膜１１９のそれぞれの膜厚がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性を向上させる裏面照射型固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体基板表面１００内に形成された第２導電型の拡散層１０７を含み、前記半導体基板１００の裏面側から表面側に向かって照射された光により前記半導体基板１００内で生成された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部１０７と、複数の前記電荷蓄積部１０７をそれぞれ電気的に分離し、前記半導体基板の前記裏面側が開口されるよう形成されたトレンチと、前記トレンチを埋め込み、絶縁膜で皮膜された埋め込み層１１０、１１１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積を平面的に拡大したり不純物濃度を高めたりしなくても、飽和信号電荷量を増加させる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板２１と、半導体基板２１に二次元的に配列された複数の画素とを備える。画素は、光電変換素子となるフォトダイオード２２と電荷読み出しトランジスタを含む画素トランジスタを有する。フォトダイオード２２は、Ｐ型不純物領域（２５，２６）と、Ｎ型不純物領域（２７，２８）とを有し、これらの高濃度不純物領域（２６，２８）同士が接するＰＮ接合部２９が、半導体基板２１の表面側に凸の形状で形成されている。転送ゲートがＰＮ接合部の一部に重なるように形成され、凸形状をなすＰＮ接合部のポテンシャルが前記転送ゲートに向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】画素サイズを縮小しても画素間分離を確実に行うことができ、裏面照射型の画素の微細化に伴うクロストークの増加を防止することができ、色再現性の向上をはかる。
【解決手段】光電変換により信号電荷を生成する光電変換部及び信号電荷を出力する信号走査回路部を含む単位画素を二次元配置してなる固体撮像装置であって、信号走査回路部は光電変換部を有する第１の半導体層とは異なる第２の半導体層に設けられ、第２の半導体層は第１の半導体層の表面上に絶縁膜を介して積層され、第１半導体層には、画素境界部分に第１の半導体層の厚さ方向に絶縁膜からなる画素分離層が埋め込み形成され、且つ表面部に光電変換部で生成された信号電荷を読み出す読み出しトランジスタが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に配列された複数の画素部が配列され、画素部が、半導体基板に形成された光電変換部と半導体基板の上方に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域に電荷を蓄積させて、該電荷に応じた信号を読み出すトランジスタ構造とを備え、トランジスタ構造がソース領域及びドレイン領域を含み、ソース領域及びドレイン領域と光電変換部との間の半導体基板に、ソース領域及びドレイン領域と光電変換部との間で移動する電荷に対して電位勾配のポテンシャル障壁となる障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カラーフィルター層やマイクロレンズの形成を容易にして、固体撮像装置の基板にエネルギービーム加工によって貫通電極が形成される貫通孔を形成することを可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換する受光部６１が形成され、光入射側に配線部４１が形成された第１基板１１と、配線部４１が形成された側の第１基板１１に所定間隔を置いて設けられた光透過性を有する第２基板３１と、第１基板１１に形成された貫通孔１３と、貫通孔１３内に形成された貫通電極１５と、貫通電極１５に接続されていて第１基板１１表面に形成された表面側電極２１と、貫通電極１５に接続されていて第１基板１１裏面に形成された裏面側電極１７と、表面側電極２１上に形成されていて表面側電極２１と第２基板３１との間を埋め込むストッパ電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する低ノイズ（高感度）かつ低消費電力のＭＯＳ型イメージセンサを提供する。
【解決手段】複数の画素部２１を有するＭＯＳ型イメージセンサ１００であって、画素部２１は、光電変換部ＰＤと光電変換部ＰＤで発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部とを含み、信号読み出し部は、フローティングゲートＦＧを有し、光電変換部ＰＤで発生した電荷をフローティングゲートＦＧに蓄積する書き込みトランジスタＷＴと、書き込みトランジスタＷＴとフローティングゲートＦＧを共有し、当該フローティングゲートＦＧの電位に応じた信号を信号線ＢＬに読み出す読み出しトランジスタＲＴとを含み、信号線ＢＬに接続されて読み出しトランジスタＲＴと共にソースフォロア回路を構成する負荷トランジスタ２２を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いらずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電型がＰ型のシリコン単結晶基板の一方の主表面に、エッチストップ層となる導電型がＮ型のＮ型エピタキシャル層と、半導体素子を形成するための半導体エピタキシャル層とをこの順にエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体素子を形成するための半導体エピタキシャル層に前記半導体素子を形成する工程と、該半導体素子が形成された表面に保持基板を貼り合わせる工程と、前記Ｎ型エピタキシャル層に正電圧を印加して、該Ｎ型エピタキシャル層をエッチストップ層として電気化学的エッチングにより前記Ｐ型シリコン単結晶基板を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】３５ｍｍデジタル一眼レフ・カメラ用のＣＭＯＳイメージ・センサは、チップサイズが非常に大きく、２００φウエハ上に２０チップ程度しか配置できない。従って、ウエハあたり、ショート欠陥が数個存在しただけで、歩留まりが大きく低下する。そこで、これらの欠陥を一般的なレーザ・トリミング技術により、除去することを検討したが、サブ・ミクロン・オーダの加工は非常に困難であることが判明した。
【解決手段】本願発明は、ピクセル・アレイ、これを横断又は縦断する複数のグローバル配線、および、各ピクセル内に設けられたローカル配線を有する半導体集積回路装置であって、第１のグローバル配線と、第１のピクセル内にあるローカル配線との間のショート不良箇所が、そのローカル配線の機能を実質的に破壊し、前記第１のグローバル配線の機能を実質的に破壊しないように、レーザ・リペア処理された修正処理部を有するものである。 （もっと読む）

【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上可能であって、製造歩留まりを向上する。
【解決手段】遮光部３００と画素トランジスタＰＴｒのゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇを形成する工程の実施前に、その形成領域を含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料（ポリシリコン）を成膜して、ポリシリコン膜４００を形成する。そして、そのポリシリコン膜４００についてパターン加工することによって、遮光部３００と各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇとの両者を同時に形成する。ここでは、遮光部３００と各ゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇとが互いに連結されるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置のコンタクトホール形成時に光電変換部が金属あるいは高融点金属で汚染されないようにすること。
【解決手段】 画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記周辺回路領域のＭＯＳトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成し（図２（Ｃ））、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する（図２（Ｄ））。前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成し（図２（Ｄ））、異なるタイミングで、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する（図３（Ａ））。後で形成されるコンタクトホールに先立って、先に形成されるコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する（図３（Ａ））。 （もっと読む）

【課題】光電変換部から電荷電圧変換部への電荷の転送効率を向上するとともに、転送電極の下における素子分離部の界面準位に起因した暗電流によるノイズを低減する。
【解決手段】アクティブ領域を規定する素子分離部ＥＩと、第１導電型の電荷蓄積領域１４を含む光電変換部５１と、電荷電圧変換部５３と、光電変換部５１で発生した電荷を電荷電圧変換部５３へ転送するための転送電極２と、光電変換部５１と電荷電圧変換部５３との間の第１導電型の第１の半導体領域１２と、第１の半導体領域１２と素子分離部ＥＩとの間の第１導電型と反対導電型である第２導電型の第２の半導体領域１１とを備え、第２の半導体領域１１は、転送電極２の下におけるチャネル幅方向に沿って延びた第４の部分１１ｃと、転送電極２の下におけるチャネル長方向に沿って延びた第３の部分１１ｄとを含み、第４の部分１１ｃの幅は、第３の部分１１ｄの幅より広い。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の信号出力部およびバイアス電圧発生回路を構成するＭＯＳトランジスタにおいてホットエレクトロンによる発光現象が発生し、それによりシェーディングと呼ばれる画像劣化が引き起こされる。シェーディングによる画像劣化を抑制して高画質を実現するために、ホットエレクトロンによる発光現象を抑制することが求められている。
【解決手段】固体撮像素子の周辺回路における信号出力部およびバイアス電圧発生回路を構成するＭＯＳトランジスタの半導体表面に形成された絶縁膜のうちゲート電極で覆われた部分であるゲート絶縁膜について、ドレイン側端部を含む一部の膜厚を、それ以外の部分における膜厚よりも厚膜化することにより、ドレインジャンクション部分の電界を緩和し、ホットエレクトロンによる発光現象を抑制して、シェーディングによる画像劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化した場合にも光の回折の影響を抑えることが可能な導波路を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、上部に第１の受光部と第２の受光部とが形成された半導体基板１５０と、第１の受光部の上方に位置する部分に第１の凹部Ｈ１が形成され、前記第２の受光部の上方に位置する部分に第２の凹部が形成された絶縁膜と、第１の凹部Ｈ１及び前記第２の凹部Ｈ２に埋め込まれ、絶縁膜よりも高い屈折率を有する高屈折率材料膜と、第１の凹部Ｈ１の上方に形成され、第１の波長の光を選択的に透過する第１のカラーフィルタ１１３ｒと、第２の凹部Ｈ２の上方に形成され、第１の波長よりも短い第２の波長の光を選択的に透過する第２のカラーフィルタ１１３ｇとを備える。第１の凹部Ｈ１の底面積は、第２の凹部Ｈ２の底面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】画素分離領域を狭小化することによって画素数を十分に増大させることができ、隣接する画素に入射した可視光の前記画素分離領域に対する透過を抑制し、高い解像度を得ることが可能なＣＭＯＳイメージセンサを提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板と、前記第一導電型の半導体基板上に形成され、入射した光をキャリアに変換するフォトダイオードを備え、前記第一の導電型とは異なる第二の導電型の画素領域と、前記第一の導電型であり、前記半導体基板前とともに前記画素領域を取り囲むように形成された素子分離領域と、前記画素分離内に形成された空洞と、前記画素分離領域上に形成されたゲート電極と、を備えるようにしてＣＭＯＳイメージセンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感度ムラや、シェーディングが抑制された固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板１９と、基板１９に形成された画素２と、隣接する画素間を分離する多段素子分離層３１とを有して構成されている。画素２は、入射光に応じた信号電荷を生成、蓄積する受光部１２と、基板１９上に形成された画素電極１４とを有して構成されている。多段素子分離層３１は、複数段の不純物拡散層を有して構成されている。そして、受光部１２を挟んで画素電極１４に対向する領域の基板表面から深さ方向に形成された多段素子分離領域３１は、基板１９の光入射面から０．５μｍ〜１μｍよりも深い領域において、受光部１２から所定の距離Ｗ１だけ離して形成された下段素子分離層２４，２５を有している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素セルが微細化されても取り扱い信号電荷量を確保する。
【解決手段】光電変換部を有する複数の画素４２が配列された画素領域を備える。
光電変換部は、半導体基板４３の表面側の第１導電型半導体領域６１と、半導体基板４３の内部側の第２導電型電荷蓄積領域６３と、両領域６１及び６３との間に挟まれた真性半導体領域６２、又は第２導電型電荷蓄積領域６３より低不純物濃度のｐ型半導体領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において貫通電極の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の第１主面上に形成された絶縁膜２５と、第１主面上の絶縁膜２５内に形成され、導電膜からなりその導電膜の少なくとも１部に導電膜が存在しない空き領域を有する電極パッド２６Ｂと、第１主面に対向する第２主面上に形成されたハンダボール１８と、シリコン基板１０の第２主面側から空けられ電極パッド２６Ｂまで達した貫通孔内に形成され、電極パッド２６Ｂとハンダボール１８とを電気的に接続する貫通電極とを備える。電極パッド２６Ｂが有する空き領域には絶縁膜２５が存在し、空き領域に存在する絶縁膜２５と電極パッド２６Ｂとの貫通電極側の段差が電極パッド２６Ｂの厚さ以下である。 （もっと読む）

【課題】 複数の光電変換素子で画素読み出し回路を共有する際に、光電変換性能を劣化させることなく、画素寸法縮小化に伴うリセットトランジスタとウエルコンタクト間の電界を緩和すること。
【解決手段】 複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子の信号を増幅する一つの増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの入力部の電位をリセット電位に設定するリセットトランジスタと、前記増幅トランジスタと直列に接続され、該増幅トランジスタで増幅された信号を選択して読み出す選択トランジスタと、が行列状に配列された画素領域と、前記画素領域内に配されたウエルコンタクト領域を有する固体撮像装置であって、ウエルコンタクト領域が、リセットトランジスタのドレイン領域と近接して配され、リセットトランジスタのドレイン領域の不純物濃度が、選択トランジスタのソース、ドレイン領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）