【課題】 暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。そして、第１基板と、第１配線構造と、第２配線構造と、第２基板とがこの順に配置されるように第１の接合部及び第２の接合部とが接合されている。そして、第１の接合部の導電体と、第２の接合部の導電体とは、導電体に対する拡散防止膜で囲まれている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑えながらも、色間で受光部に到達する入射光の強度を均一に近づけることが可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カラーフィルター２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂと、入射光を光電変換する受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂと、その上方に色毎に形成された第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと屈折率が異なる第２絶縁膜１４と、半導体基板６上における受光部２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂが設けられていない領域３に形成され、ゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの膜厚が異なる複数のトランジスタ１６ｒ、１６ｇ、１６ｂとを備える固体撮像装置であって、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚が色毎に異なるとともに、第１絶縁膜１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの膜厚がゲート絶縁膜１７ｒ、１７ｇ、１７ｂの膜厚の何れかと１対１対応の関係で一致している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置における層間絶縁膜の表面を平坦化するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置された画素アレイ領域と、前記アレイ領域の外側に配置された周辺回路領域とを有する。前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷を電荷電圧変換部に転送するチャネルを形成する転送ゲート電極とを含む。前記固体撮像装置は、前記光電変換素子の上面、前記転送ゲート電極の上面の少なくとも一部、および、前記転送ゲート電極の側面を覆うように配置された第１絶縁膜と、前記周辺回路領域に配置されたＭＯＳトランジスタのゲート電極の上に配置された第２絶縁膜と、前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記サイドウォールを覆うように前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記サイドウォールに接して配置された層間絶縁膜とを備える。前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが同一の材料で構成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタと光電変換部とを分離するための素子分離領域で発生する暗電流によるノイズを低減するとともに、画素の微細化に有利な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１画素領域には光電変換部、ＦＤ、及び転送トランジスタが画素を単位として行列状に配される。第２画素領域には増幅トランジスタ、及びリセットトランジスタが配される。第１画素領域には第１素子分離部が配され、第２画素領域には第２素子分離部が配される。第１素子分離部において絶縁膜が半導体基板内部に突出する量が、第２素子分離部において絶縁膜が半導体基板内部に突出する量に比べて小さい。配線が配された第１主面側とは反対の第２主面側から、光電変換部に光が入射する。 （もっと読む）

【課題】電荷電圧変換部同士の間をオンオフする連結トランジスタを有する固体撮像素子において、画質を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換部ＰＤ、電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部ＦＣ、電荷電圧変換部ＦＣの電位に応じた信号を出力する増幅部ＡＭＰ、光電変換部ＡＭＰから電荷電圧変換部ＦＣに電荷を転送する転送部ＴＸ、及び、電荷電圧変換部ＦＣの電位をリセットするリセットトランジスタＲＥＳをそれぞれ有する複数の画素１と、前記複数の画素１のうちの少なくとも１つの画素１の電荷電圧変換部ＦＣと、前記複数の画素１のうちの他の少なくとも１つの画素１の電荷電圧変換部ＦＣとの間を、オンオフする連結トランジスタＣＯＮと、を備える。連結トランジスタＣＯＮは、リセットトランジスタＲＥＳに比べて閾値電圧が高い。 （もっと読む）

【課題】感度低下の抑制に加え、空乏化の抑制、暗時出力のバラつき抑制、及び画素信号の変動による素子変化の抑制が可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体層２４内で生成された電子を蓄積する第１蓄積部２１と、電気的に浮遊状態の第２拡散層２３と、第１読出電極２２と、を含む第１受光層と、第２半導体層７１を備え、前記第２半導体層上に設けられ、回路を含む回路層７０と、前記第２半導体層を貫通しつつ、前記第１読出電極または前記第２拡散層と前記回路とを接続する第１電極ＣＰ２とを具備し、前記第１電極は、前記第２半導体層内において順に内部絶縁膜１００、外部導電膜１０１、及び外部絶縁膜１０２によって被膜され、且つこの外部導電膜の電位は一定である。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、パッドからの外来ノイズの混入を低減する。
【解決手段】 光電変換素子が主面に配された第１基板と、第１配線構造と、周辺回路の少なくとも一部が主面に配された第２基板と、第２配線構造と、を有し、第１基板、第１配線構造、第２配線構造、及び第２基板がこの順に配置された固体撮像装置において、固体撮像装置は周辺回路部を駆動するための電圧が供給されるパッドと保護ダイオード回路とを有し、保護ダイオード回路は前記第２基板に配されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも暗電荷による画質の劣化を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板２００内に形成された第１の不純物濃度を有するＰ型ウェル２０２と、Ｐ型ウェル２０２に行列状に複数配置された、Ｎ型のフォトダイオード２１と、Ｐ型ウェル２０２内のフォトダイオード２１間に相当する領域において、所定数のフォトダイオード２１毎に形成され、第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する、基準電位が印加されるＰ型のウェルコンタクト２６とを備えている。
Ｐ型ウェル２０２内において、ウェルコンタクト２６の近傍に、第１の不純物濃度よりも高い第３の不純物濃度を有する、暗電荷を捕獲するＰ型の暗電荷捕獲領域２１１を形成した。 （もっと読む）

【課題】残像が抑制され、画素の微細化が可能なグローバル電子シャッタを有するＭＯＳ型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素部１００を備える固体撮像素子であって、画素部１００は、半導体基板１と、入射光を光電変換して信号電荷に変換するＰＤ３と、ＰＤ３の隣に形成されるＳＤ４と、ＳＤ４の隣に形成されるＦＤ５と、ＦＤ５の隣に形成されるリセットドレイン９と、ＰＤ３とＳＤ４との間に形成され、信号電荷をＰＤ３からＳＤ４に転送する第１の転送ゲート６と、ＳＤ４とＦＤ５との間に形成され、信号電荷をＳＤ４からＦＤ５に転送する第２の転送ゲート７と、ＦＤ５とリセットドレイン９との間に形成され、ＦＤ５の電荷を排出する第１のリセットゲート８とを備え、ＳＤ４は、第２のリセットゲート１３を備えたリセットトランジスタのソースに接続されている。 （もっと読む）

【課題】素子を分離するための素子分離部による不具合の発生確率を低減する。
【解決手段】フォトダイオード３１０が内部に形成された半導体基板５００と、素子分離部４２０とを備える。素子分離部４２０は、該素子分離部４２０の少なくとも一部が、半導体基板５００に形成された溝４１０の内部に充填されるように形成される。素子分離部４２０は、溝４１０の内部の下方に形成されたシリコン酸化膜４２１と、溝４１０の内部の上方に形成されたシリコン酸化膜４２２とから構成される。シリコン酸化膜４２１の密度は、シリコン酸化膜４２２の密度より小さい。 （もっと読む）

【課題】画素セルの微細化に伴う感度低下を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。さらに、半導体層１の表面には、電荷蓄積領域７と重なる状態で絶縁膜４を介して設けられ、当該重なり部分の少なくとも一部が、可視光に対して透過性を有する透明導電体からなる転送ゲート電極５を備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、且つ焦点検出用の画素を撮像画素としても兼用可能な固体撮像素子、およびこれを用いた撮影装置を提供する。
【解決手段】撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。瞳分割位相差検出方式による焦点検出を行う場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０が左右対称に変形するようＬＣＳ端子３７に所定電圧よりも正負いずれかの側にシフトした電圧（素子分離層４８がｐ型半導体の場合は所定電圧よりも負側にシフトした電圧、ｎ型半導体の場合は所定電圧よりも正側にシフトした電圧）が印加される。画像データを生成する場合は、各画素３８ａ、３８ｂの受光部３０に変形が生じず各画素３８ａ、３８ｂの受光特性が等しくなるようＬＣＳ端子３７に所定電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥に起因するリーク電流に起因する再生画面上での白い点状欠陥の発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１０は、半導体基板１０３と、フォトダイオード１１０と、フローティングディフュージョン１６０と、転送ゲート電極１２３とを備え、フローティングディフュージョン１６０は、第１の領域において半導体基板１０３の表面から第１の深さまで形成された、第１の濃度の第１の不純物を含む第１の不純物領域１２１と、第１の領域より転送ゲート電極１２３から離れた第２の領域において半導体基板１０３の表面から第２の深さまで形成された、第２の濃度の第２の不純物を含む第２の不純物領域１２２と、第２の領域において半導体基板１０３の表面から第２の深さより浅い第３の深さまで形成された、第２の濃度より大きい第３の濃度の、第２の不純物と異なる第３の不純物を含む第３の不純物領域１２４とを含む。 （もっと読む）

【課題】単位画素のサイズを微細化によるフォトダイオードの光感度低下およびノイズ信号が増大を抑制する固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の固体撮像装置は、フォトダイオードと、第２の拡散層と、基準電圧設定手段とを備える。フォトダイオードは、光電効果で発生したキャリアを蓄積する第１の拡散層を有し、基板に形成される。第２の拡散層は、前記第１の拡散層と接するとともに前記第１の拡散層とは逆の極性を有する。基準電圧設定手段は、前記第２の拡散層に配線を介して接続し、時間的に急激に値が変動する変動電圧を前記第２の拡散層を介して前記第１の拡散層に印加することによって、印加した前記変動電圧の振幅に基づく電圧を前記第１の拡散層の基準電圧として設定する。 （もっと読む）

【課題】表面側の受光センサと裏面側のマイクロレンズおよびカラーフィルタとのアライメント精度をより上げる。
【解決手段】裏面照射タイプにおいて、受光センサ４に対するアライメントマークと同一のアライメントマークを基準として基板表面に位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）形成する。裏面加工時に、素子分離膜７の表面上まで開口された開口部３Ａを通して透明な素子分離膜７下の位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）をよりはっきりと確認しつつ、位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）に基づいて、基板表面側フォトダイオードである受光センサ４に対して基板裏面側のマイクロレンズ６およびその下のカラーフィルタ５をアライメント精度をより上げて形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 低暗電流、低ノイズ、低偽信号の特性を維持しつつ、光量に対する高い感度を達成できるグローバルシャッタ動作可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】ｐ型の半導体からなる基体領域１１と、基体領域１１の上部の一部に設けられたｎ型の電荷生成埋込領域１２と、電荷生成埋込領域１２から離間して設けられ、電荷生成埋込領域１２で生成された信号電荷を蓄積するｎ型の電荷蓄積領域１５と、電荷蓄積領域から離間して設けられ、電荷蓄積領域から信号電荷を読み出す電荷読み出し領域１８と、基体領域１１の深部で生成された電荷の電荷蓄積領域１５への流入をブロックする、ｐ型で基体領域１１より高不純物密度のバリヤ領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の層構造の高さを低減する。
【解決手段】光電変換素子と、転送ＭＯＳトランジスタとを有する画素領域を含む光電変換装置は、前記光電変換素子ならびに前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の第１側面および上面の第１領域を覆うように連続的に配置されている一方で前記ゲート電極の上面の第２領域の上には配置されておらず、反射防止膜として機能する第１絶縁膜と、前記フローティングディフュージョンに接続されたコンタクトプラグと、前記フローティングディフュージョンにおける前記コンタクトプラグの周囲ならびに前記ゲート電極の第２側面および前記第２領域を覆うように連続的に配置されている一方で前記第１領域の上には配置されておらず、前記コンタクトプラグの形成時のエッチングストッパとして機能する第２絶縁膜とを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積時にこれらのノイズ信号が混入されない構造を有する光電変換膜積層型の固体撮像装置を提供することである。
【解決手段】固体撮像装置は、ｎ型半導体基板１３０上に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂと、信号電荷を読み出して画素信号として出力する信号読み出し回路とを備えている。信号読み出し回路は、ゲート電極が、光電変換部１２０ｒ、１２０ｇ、１２０ｂに接続された信号変換トランジスタ１１６ｒ、１１６ｇ、１１６ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜などの積層構造を低背化しつつ、アライメント用のマークが容易に形成された半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢに形成された光電変換素子ＰＴＯと、マーク部のストッパ膜ＡＬ１と、ストッパ膜ＡＬ１上および光電変換素子ＰＴＯ上に形成された第１の層間絶縁膜ＩＩ２と、第１の金属配線ＡＬ２と、第２の層間絶縁膜ＩＩ３とを備える。層間絶縁膜ＩＩ２、ＩＩ３を貫通してストッパ膜ＡＬ１に達するスルーホールＤＴＨが形成され、スルーホールＤＴＨ内の導電層ＤＴの上面に第１の凹部ＣＡＶが形成される。第１の凹部ＣＡＶの上面の第２の金属配線ＡＬ３に、アライメントマークとなる第２の凹部ＭＫを備える。 （もっと読む）