【課題】 高い遮光性能を有する遮光膜を有する固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタと、を含む画素を有する固体撮像装置において、光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタとの上部に配される第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の開口に配され、複数のトランジスタのソースあるいはドレインに配置された導電体と、第１の絶縁膜に配され、電荷保持部の上に配された遮光膜を有する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】リセットトランジスタ及びアドレストランジスタを有しないＣＭＯＳイメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセルは、電荷を感知するためのフローティングベースバイポーラトランジスタとピンドフォトダイオードとを含み、前記ピンドフォトダイオードが、前記ピンドフォトダイオードから前記フローティングベースバイポーラトランジスタのフローティングベース２１３に電荷を伝送することができる伝送ゲート２０７を介して、前記フローティングベースバイポーラトランジスタに結合されている。イメージセンサアレイは、複数のピクセルと信号線とを含んでおり、特定ロー上のすべての伝送ゲートが互いに接続されており、特定カラム上のエミッタ領域が互いに接続されて、ピクセル当たり２個の信号線を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大きなダイナミックレンジを有する画像センサーを提供する。
【解決手段】各画素は少なくとも１つのフォトダイオードＰＨＤ、電荷蓄積ノード１８、電子増倍増幅構造ＡＭＰ、フォトダイオードから増幅構造に電子を移動させる手段ＴＲ１、増倍後に増幅構造から蓄積ノードに電子を移動させる手段ＴＲ２、蓄積ノードの電位を再初期化するためのトランジスタＲＳを備える。画素は、電荷蓄積ノードの電位の再初期化後、及び蓄積ノードへの電子の移動後にその電位をサンプリングし、そして対応する輝度測定を提供する読み取り回路によって読み取られる。センサーはさらに、同一のフレームの間に２つの異なる継続期間で電荷の統合を行うため、及びこれらの継続期間中に統合された複数の電荷に対して異なる増倍係数を増幅構造に与えるための手段を備える。第一の係数又は第二の係数に対応する輝度測定は、画素の輝度に応じて画素ごとに選択される。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子をタイル状につなぎ合わせた大面積撮像装置において、ダイシング後の切断面に欠損が無く、画素配列に欠落を生じない素子端部の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードＰＤと、前記画素領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｍのメタルライン（Ｍは、１より大きい自然数）と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｎのメタルライン（Ｎは、Ｍより大きい自然数）と、前記画素領域の前記第Ｍのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも１つのダミーメタルラインＤＭ１，ＤＭ２と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズＭＬとを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第２の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止し、画像欠陥である白キズ及びＲＴＳノイズを低減できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素１１が一次元状又は二次元状に配列された感光領域１０を備えている。画素内トランジスタは、ゲートパターン１３とシリサイドが形成された拡散層１２とを含み、拡散層１２の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターン１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉのフォトダイオード１２が形成された基板１０と、基板１０の上に形
成されるＳｉＯ_２の絶縁膜１４と、基板１０及び絶縁膜１４の間に介在する半反射膜１３
と、絶縁膜１４の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線Ｍ１〜Ｍ４と、カラ
ーフィルター１９と、マイクロレンズ２１とを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであ
って、半反射膜１３の屈折率が、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ_２の絶縁
膜１４の屈折率との間の値である。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、高い精度で半導体装置を製造することができる。特に画質の高い固体撮像装置を製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８を形成する。第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去する。その後、第１導波路部材１１８の半導体基板１０１とは反対側の面を平坦化する平坦化工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明によれば、高い精度で半導体装置を製造することができる。特に画質の高い固体撮像装置を提供及び製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８と、第１導波路部材１１８を貫通するビアプラグとを有する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流をよりいっそう抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置１００を、基板１０１と、光電変換部１０と、キャリア極性が第２の導電型である第１不純物層５１と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層５２とを備える構成とする。そして、第２不純物層５２を、光電変換部１０及び増幅部間の領域に設け、第２不純物層５２の第２不純物濃度Ｐ２を第１不純物層５１の第１不純物濃度Ｐ１より高くする。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大きい電荷保存容量、高い動的範囲、及び高感度を有する固体状
態のＣＭＯＳイメージセンサ画素を提供すること。
【解決手段】本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、
制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲート
と、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォト
ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）