【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子１００において、垂直ＣＣＤ部１１０は、シリコン基板１内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル３と、シリコン基板１上にゲート絶縁膜７を介して転送チャネル３に沿って配列された複数の電荷転送電極８と、隣接する電荷転送電極８の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部１０１は、シリコン基板１内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域５と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜１１とを有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】画素の開口をより広くすることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子を構成する基板には、被写体からの光を光電変換し、その結果得られた信号電荷を蓄積する受光部と、受光部から信号電荷を読み出すときに電圧が印加される第１転送電極とが隣接して設けられている。第１転送電極には、第１転送電極の一部を覆うように第１遮光膜が形成され、さらに第１遮光膜の表面の一部には第２遮光膜が形成されている。信号電荷の読み出し時には、これらの第１遮光膜と第２遮光膜を介して第１転送電極に電圧が印加される。第１転送電極に形成する遮光膜を、第１遮光膜と第２遮光膜に分けて形成することで、所望の形状の遮光膜を簡単に形成することができ、画素の開口をより広くすることができる。本技術は、撮像ユニットに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子などの半導体装置を微細化するとともに、半導体装置中のシャント配線を薄くすると、高速駆動時の転送効率が低下してしまう。また、電荷転送部への遮光性が低下してしまう。
【解決手段】受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、電荷転送部上に配置された転送電極と、転送電極上に配置され、転送電極と接続する第１の金属膜とを有し、第１の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ１層以上有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】放射線に起因する特性劣化を抑制して信頼性を向上させることが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、フォトダイオードとトランジスタとを含む画素回路を有する。トランジスタは、基板上の選択的な領域に配設されたゲート電極と、ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられると共にゲート電極に対向するゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１層間絶縁膜と、半導体層に電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極と、一部がゲート電極の端部に対向して設けられたシールド電極層とを備える。第２ゲート絶縁膜、第１ゲート絶縁膜および第１層間絶縁膜のうちの少なくとも１つはシリコン酸化膜を含む。シールド電極層により、放射線の入射によって生じる正電荷の影響による閾値電圧のシフトが抑制される。 （もっと読む）

【課題】画素を微細化した場合にも、高速転送と高歩留りを実現することができるシャント配線構造を用いた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１には、複数の受光部１１が行列状に形成され、複数の受光部１１の行間にＹ方向に延伸形成された垂直電荷転送部１３と、半導体基板１上において、複数の受光部１１の列間にＸ方向に延伸形成された複数の第１転送電極３ａと、垂直電荷転送部１３上において、複数の第１転送電極３ａの各間に形成された複数の第２転送電極３ｂと、第１転送電極３ａ上においてＸ方向に延伸形成された第１シャント配線７と、第２転送電極３ｂ上にＸ方向に延伸形成された第２シャント配線５とを備える。第２シャント配線５は、Ｙ方向に隣接する受光部１１間において、第１転送電極３ａのＹ方向の側方に対し、絶縁膜４を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】透明電極が形成された固体撮像素子において、感度低下の防止が図られた固体撮像素子を提供する。また、その固体撮像素子を用いた撮像装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に形成され、入射した光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部ＰＤと、基板１１上部に形成された透明電極１４を備える固体撮像素子１において、透明電極１４を、複数の開口を有するナノカーボン材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板２０と、異なる波長帯を検出可能な２以上の画素１と、２以上の画素１の各々に設けられた３以上の転送電極７とを備えている。２以上の画素１は、第１の画素１ａと第２の画素１ｂとを含んでいる。３以上の転送電極７は、第１の厚みｔ１を有する第１のゲート電極７ａ、第１の厚みｔ１とは異なる第２の厚みｔ２を有する第２のゲート電極７ｂ、および仮想電極７ｃを少なくとも含んでいる。第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 （もっと読む）

【課題】配線領域を更に低減した領域を受光領域に当てることにより、各受光素子の受光面積を維持した状態で、受光領域の受光感度やダイナミックレンジの低減を招くことなく、更なる画素サイズの縮小を行って画素数を増加させる。
【解決手段】平面視で上下に隣接する行方向の転送電極配線６〜９と転送電極配線６〜９との間および、これらに直角に交差し、平面視で隣接する列方向の各垂直転送部５，５間で囲まれた入射光窓の開口領域としての開口部３が設けられ、開口部３内に２列×２行の４個の各受光素子２が配置され、垂直転送部５の両側に配列された同じ行の各受光素子２から交互に信号電荷がこれに隣接の垂直転送部５に読み出されて電荷転送される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短射出瞳距離での混色や色シェーディング特性の悪化を改善する固体撮像装置を提供するものである。
【解決手段】撮像領域に配列された受光部と、各受光部上に配置された各色の色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと、各色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ上に配置されたマイクロレンズ３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂとを有し、撮像領域の中心から同じ距離に配置された受光部上における各マイクロレンズ３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂは、各受光部上に配置された色フィルター３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの色毎に、当該受光部の中心４１に対して異なるずれ量で配置されている固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの出力特性のばらつきを抑制しつつ、検出精度の低下が防がれた高性能なフォトダイオードを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のゲート金属を用いて、フォトダイオード用の第１の半導体層３０ａのうち、真性半導体領域となる部分を覆うシールド部３４ａをゲート絶縁膜２９上に形成するとともに、薄膜トランジスタ用の第２〜第５の各半導体層３０ｂ〜３０ｅのうち、チャネル領域となる部分を覆う第１〜第４のゲート電極３４ｂ〜３４ｅをゲート絶縁膜２９上に形成する。その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】入射光に対する感度が高く且つ電荷の蓄積期間を長く設定することが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、長辺に交差する第１方向に並置された複数の光感応領域１３を有する光電変換部２と、複数の光感応領域１３に対向して配置され、一方の短辺から他方の短辺に向かう第２方向に沿った電位勾配を形成する電位勾配形成部３と、を備える。電位勾配形成部３は、第２方向に沿って低くされた電位勾配を形成する第１電位勾配形成領域と、第２方向に沿って高くされた電位勾配を形成する第２電位勾配形成領域とを有する。第２電位勾配形成領域は、第１電位勾配形成領域に対し第２方向に並置されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１内に形成された光電変換部（ＰＤ）２と、ＰＤ２の上方に形成されたカラーフィルタ７と、カラーフィルタ７上方に形成されたマイクロレンズ８と、マイクロレンズ８とＰＤ２との間に形成され、マイクロレンズ８で集光された光をＰＤ２に導く光導波部９とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、光導波部９を形成する工程は、基板１上方に、ＰＤ２上方に凹部５Ｋを有する絶縁膜５を形成する第一の工程と、絶縁膜５上に、絶縁膜５よりも屈折率が高くかつＰＤ２上方に凹部５Ｋ内にまで達する凹部６Ｋを有する高屈折率材料膜６を形成する第二の工程と、高屈折率材料膜６上に、高屈折率材料膜６よりも屈折率が低くかつ凹部６Ｋを埋めるカラーフィルタ７を形成する第三の工程とを含む。 （もっと読む）