【課題】オンチップレンズが精度良く形成され、組み立て時における歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置において、基板１２の表面側の配線層１３に形成された表面電極パッド部１５を基板の裏面側に引き出す際、基板１２の表面側に、オンチップレンズ層２１を形成した後、表面電極パッド部１５が露出する貫通孔２２を形成する。そして、オンチップレンズ層２１上に裏面電極パッド部２４を形成すると共に、貫通孔内に裏面電極パッド部２４と表面電極パッド部１５を接続する貫通電極層２３を形成する。その後、オンチップレンズ層２１表面に、凸形状を形成することでオンチップレンズ２１ａを形成する。これにより、オンチップレンズ層２１の塗布ムラや、裏面電極パッド部２４形成時の飛散メタルによる欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスバラつきが低減され、白点の発生が低減された固体撮像装置を提供することを目的とする。さらに、その固体撮像装置を用いた電気機器を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１２を貫通する貫通孔３１に、ゲート絶縁膜２４を介して縦型ゲート電極２８が形成された固体撮像装置において、基板１２裏面側の貫通孔３１端部のゲート絶縁膜２４を所望の深さまで積極的に除去し、その代替として負の固定電荷を有する膜からなる電荷固定膜１７を形成する。電荷固定膜１７により、貫通孔３１の形成時に、貫通孔３１底部側で発生した欠陥に起因する異常キャリアを吸収することができるので、白点の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置のオンチップマイクロレンズの表面反射に起因したゴーストの発生を低減し、感度特性の向上を図る。
【解決手段】半導体基板１２に形成され光電変換部ＰＤと該光電変換部の信号電荷を読み出す手段からなる複数の画素と、画素上のカラーフィルタ２６と、有機膜によるオンチップマイクロレンズ２７を]有する。さらに、オンチップマイクロレンズ２７の表面上に、オンチップマイクロレンズより屈折率の高い第１の無機膜３１と、その上のオンチップマイクロレンズ及び第１の無機膜より屈折率の低い第２の無機膜とからなる反射防止膜３３が形成される。少なくとも第２の無機膜３２は、隣り合う第２の無機膜の境界に非レンズ領域を存在させない状態で形成される。 （もっと読む）

【課題】導波路構造を有しシェーディングが抑制された固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】各マイクロレンズ１２の中心位置と各カラーフィルタ１０の中心位置と各導波路１５の入口中心位置と遮光層６の各開口部の中心位置とを、対応する受光素子３の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせるシフト量を、カメラレンズの射出瞳中心から各マイクロレンズの中心位置に入射した主光線が、境界両側の材質の屈折率の違いに対応して屈折し受光素子の中心に至る光路をとるものと想定して求められる前記光線の光路上の位置と、受光素子の中心に対応する位置との差から得られる想定シフト量に、収差補正係数ａ1を乗じた値と収差補正係数ａ2を乗じた値を求め、収差補正係数ａ1と前記収差補正係数ａ2を０．３９〜１．２６の範囲内で、ａ1＜ａ2の関係とする。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、隣接画素間の混色（クロストーク）を抑制することを目的とする。
【解決手段】複数の画素を配列してなり、画素毎に撮像信号を生成する撮像領域と、該画素を構成する回路素子を駆動する駆動回路とを備えた固体撮像装置１００において、画素は、半導体基板１０１の裏面側領域に形成され、入射光を光電変換する光電変換部１０２と、該半導体基板の表面側に形成され、該入射光の光電変換により得られた光電変換信号を該光電変換部から該撮像信号として読み出す信号処理回路とを有し、該半導体基板の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光反射性部材からなる隆起部１１２が選択的に形成され、該半導体基板の裏面上に絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】不良有効画素の特定がより容易である半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢ内に、平面視において主表面に沿った方向に互いに間隔を隔ててアレイ状に配置された光電変換素子ＰＤと、光電変換素子ＰＤ上に、平面視における光電変換素子ＰＤの座標を示す座標表示マークＡＤＭと、平面視において光電変換素子ＰＤが配置される領域と重なる位置に形成される遮光メタル層ＳＭＬとを備える。上記座標表示マークＡＤＭは、平面視において前記遮光メタル層ＳＭＬの内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】裏面入射型の固体撮像素子の製造工程を簡略化する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入することによって前記半導体基板に光電変換部を形成する第１注入工程と、前記半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入することにより、第１不純物半導体領域および第２不純物半導体領域を含む混在領域を前記半導体基板に形成する第２注入工程と、前記半導体基板を前記第２面の側から薄化して前記混在領域を露出させる薄化工程と、前記第１不純物半導体領域のエッチングレートと前記第２不純物半導体領域のエッチングレートとが異なるエッチャントを用いて前記混在領域をエッチングすることによって前記混在領域に段差を有するマークを形成するエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性の向上、製造効率の向上を実現する。
【解決手段】反射防止膜１５０などの被覆膜の上面において、パッド電極１１１Ｐの接続面の部分が開口し、その接続面以外の部分を被覆するように、レジストパターンＲＰを形成する。レジストパターンＲＰをマスクとして用いると共に、カーボン系無機膜３００をエッチングストッパー膜として用いて、その被覆膜についてエッチング処理を実施し、カーボン系無機膜３００の上面にて接続面に対応する面を露出させる。レジストパターンＲＰとカーボン系無機膜３００にて接続面に対応する部分とについてアッシング処理を実施し、両者を同時に除去する。 （もっと読む）

【課題】光電変化部の上方に配置された各色の光フィルタ間に混色防止膜を設けながらも、光フィルタの専有面積を拡大して光電変換部での受光量の向上を図ることが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１の表面側に配列された複数の光電変換部２１のうちの一部の光電変換部２１上に、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとして独立した島状の第１パターンを形成する。次に、第１パターンの側壁に混色防止膜３１を形成する。その後、複数の光電変換部２１のうちの残りの光電変換部２１上に、第１パターンとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で白色フィルタＷとして独立した島状の第２パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子が封止される中空部の圧上昇を抑制し、固体撮像素子とレンズの位置関係を正確に保持できる固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、基板１０に形成された貫通孔３０の内部に通気性樹脂３２を充填する工程と、基板に固体撮像素子４０を搭載する工程と、レンズを保持するレンズ保持体４８と基板によって形成された中空部５０の内部に固体撮像素子が封止されるように、光熱硬化性樹脂からなる接着剤樹脂５２により、レンズ保持体を基板に固定し搭載する工程を含む。通気性樹脂は、通気度が３０ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以上であるシリコーン樹脂からなる。シリコーン樹脂は、フェニルシリコーン系樹脂又はメチルシリコーン系樹脂である。貫通孔は、固体撮像素子が搭載された搭載領域の内側、外側の何れに形成されてもよく、中空ビアであってもよい。 （もっと読む）

【課題】画素領域中央部での電圧降下を抑制することができる固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００が二次元配置されてなる画素領域６１を有する固体撮像装置１であって、半導体基板５と、半導体基板５上に形成された層間絶縁膜２０〜２２と、層間絶縁膜２０〜２２上に形成された下部電極４０と、下部電極４０上に形成された光電変換膜４１と、光電変換膜４１上に形成された透光性を有する上部電極４２と、を有し、上部電極４２は画素領域６１全体に拡がっており、上部電極４２における少なくとも一部には、隣接する画素部１００の間を通り、上部電極４２を構成する材料よりも電気抵抗率が小さい材料からなる金属配線４５が積層されていることを特徴とする固体撮像装置１とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、動作時のトランジスタやダイオード等の能動素子からの発光の光電変換部への侵入を抑制し、画質の向上を図る。
【解決手段】固体撮像装置２８は、基板の光入射側に形成され、光電変換部ＰＤを含む画素が複数配列された画素領域２３と、画素領域２３の基板深さ方向の下部に形成され、能動素子を含む周辺回路部２５を有する。さらに、画素領域２３と周辺回路部２５との間に形成されて、能動素子の動作時に能動素子から放射される光の光電変換部への入射を遮る遮光部材８１，８１′を有する。 （もっと読む）

【課題】混色を抑えた固体撮像素子、その製造方法、カメラを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、２次元配列された複数の光電変換部を有する基板と、前記基板に対して積層され、前記各光電変換部に向けて特定の波長域の光を透過させる複数のカラーフィルタと、を備える。前記各カラーフィルタは、相対的に屈折率の異なる第１の層と第２の層との積層構造を有する積層構造部と、２次元方向に周期性を有する周期構造部であって、透過波長域ごとに周期が異なる周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】転送電極間の容量を低減することで、高画素化と低消費電力化とを実現することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置１００は、半導体基板１１０と、半導体基板１１０に行列状に形成されており、入射光を電荷に変換する複数の光電変換部１２０と、半導体基板１１０に形成され、複数の光電変換部１２０により変換された電荷を転送するための垂直転送領域１３０と、垂直転送領域１３０上に形成されているゲート絶縁膜１３１と、ゲート絶縁膜１３１を介して、垂直転送領域１３０の上方の単一の電極層に、転送方向に沿って並んで形成されている複数の垂直転送電極１４０とを備え、複数の垂直転送電極１４０のうち隣り合う転送電極間の空間である電極間ギャップの上部の転送方向の幅Ａは、電極間ギャップの下部の転送方向の幅Ｂより広い。 （もっと読む）

【課題】さらなる高性能化を実現する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電荷に変換する光電変換素子が平面的に配置されたフォトダイオード層２５と、フォトダイオード層２５の上面に配置される導体構造体層２４とを備える。導体構造体層２４は、フォトダイオード層２５の受光面と平行な平面内で所定の周期間隔の微細加工が施されて形成された微小導体粒子であるアイランド２８を有する微小粒子層２９が複数積層されて形成されている。本発明は、例えば、デジタルスチルカメラに適用できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイまたは固体撮像装置の製造工程の単純化および／またはマイクロレンズ間のアライメントずれの防止に有利な技術を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイまたは固体撮像装置の製造方法は、複数の受光部を含む構造体の上にレジスト膜を形成する工程と、複数のマイクロレンズを形成するための複数のレンズパターンが配列されたフォトマスクを用いて前記レジスト膜を露光する工程と、露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを熱処理して前記複数のマイクロレンズを形成する工程とを含み、前記複数のレンズパターンは、露光光の光透過率分布が互いに異なるレンズパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】高画質な画像と位相差方式の焦点検出機能を両立する撮像素子を提供する。
【解決手段】それぞれの画素が、第１半導体層３１１を有する第１副画素と、第１半導体層と極性が異なる第２半導体層３１２を有する第２副画素と、第１半導体層と極性が等しい第３半導体層３００と、マイクロレンズ３０５とを備え、第１半導体層が第２半導体層に包含され、第２半導体層が第３半導体層に包含されている、複数の画素を有する撮像素子であって、第１半導体層の受光面の重心位置が、第１半導体層と第２半導体層を合わせた受光面の重心位置と異なる。 （もっと読む）

【課題】簡易的な構造で高機能化を実現する。
【解決手段】撮像素子は、画像の取得に利用される複数の画素が配置される撮像領域５２と、色スペクトルの取得に利用される複数の画素が配置される分光領域５４と、分光領域５４にある画素の上方に形成され、所望の波長の電磁波を透過させるフィルタとを備える。このフィルタが、所定の周期間隔で凹凸構造を持つ導体金属の構造体であるプラズモン共鳴体により構成されており、撮像領域５２と分光領域５４とが単一のチップに設けられている。本発明は、例えば、デジタルスチルカメラに適用できる。 （もっと読む）

【課題】導波路構造を有しシェーディングが抑制された固体撮像素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】各マイクロレンズ１２の中心位置、あるいは、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタ１０の中心位置が、対応する受光素子３の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトしたものとし、このシフト量を、境界両側の材質の屈折率の違いに対応して屈折し導波路１５の入口中心に至る光路をとるものと想定して求められる光線の光路上の位置と、受光素子の中心に対応する位置との差から得られる想定シフト量に収差補正係数ａを乗じて設定し、この収差補正係数ａを、各マイクロレンズの中心位置のみがシフトしているときは０．４６≦ａ≦０．８１の範囲とし、各マイクロレンズの中心位置と各カラーフィルタの中心位置とがシフトしているときは０．５９≦ａ≦１．３４の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】界面ダメージを回避し、信頼性や密着性を劣化させることなく暗電流の発生を抑制する。
【解決手段】受光部を有する半導体基板２２と、半導体基板表面に形成された酸化膜１３と、同酸化膜の上層にＴｉの密着層１５を介して形成された遮光膜１９とを備える。更に、酸化膜１３と密着層１５との間に、同酸化膜よりも酸化エンタルピーが小さな材料であるＴａ_２Ｏ_５からなる金属酸化膜１４が配置されている。 （もっと読む）