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Fターム[4M118GD07]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 集光要素 (6,518) | レンズ (5,839) | 形状 (1,994) | 凸レンズ (1,705)

Fターム[4M118GD07]に分類される特許

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【課題】色再現性や入射角度依存性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】各画素に設けられ、光電変換が行われる受光部1と、1つの面に多層膜によりダイクロイックミラー4A,4B,4Cが形成されており、受光部1の上方に設けられ、複数個を1組として、複数個の組み合わせにより入射光を複数の波長帯域の光に分離して、それぞれの波長帯域の光を異なる画素の受光部1に入射させる構成であり、ダイクロイックミラー4A,4B,4Cの反射面の向きが撮像領域の中央線Cに対称となるように配置された、ダイクロイックプリズム11,12,21,22と、ダイクロイックプリズム11,12,21,22の下方で、かつ受光部上に配置された、カラーフィルタ2B,2G,2Rとを含む固体撮像素子を構成する。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサの対応する画素同士のアライメントを正確に行うことができるイメージセンシング装置を得る。
【解決手段】光信号を受光して信号を出力する複数個の受光素子と、受光素子の面上に複数積層された光学層とを含むイメージセンシング装置において、複数積層された光学層は、それぞれ異なる光学的機能を有している。 (もっと読む)


【課題】素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像素子は、画素アレイ部31が形成された素子基板21を備える。素子基板21の周辺部21aの厚さd1が、素子基板21における周辺部21aにより囲まれた部分の厚さd2よりも厚い。素子基板21における周辺部21aにより囲まれた部分に、画素アレイ部31が配置される。透光性板22の周辺の部分が、素子基板21の周辺部21aに接着剤23にて接着される。 (もっと読む)


【課題】 撮像素子の画素が微細化された場合に、焦点検出用画素の瞳分割性能を良好に維持する。
【解決手段】 撮像素子は複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、光電変換部(PD−A、PD−B)と、マイクロレンズ(ML)と、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、前記マイクロレンズの光軸から偏心した位置に開口部が形成された遮光層(SL−A、SL−B)と、前記遮光層と前記マイクロレンズとの間に形成された層内レンズ(ML2)と、前記層内レンズと前記遮光層との間を充填する高屈折率層(HL)と、前記マイクロレンズと前記遮光層との間を充填する、前記マイクロレンズ及び前記高屈折率層の屈折率以下の屈折率を有する低屈折率層(LL)とを有する。 (もっと読む)


【課題】光導波路の形成による暗電流等のノイズ成分の増加を抑制することである。
【解決手段】光導波路を有する撮像装置の製造方法において、光電変換素子2上に高屈折率領域3を形成した後に、高屈折率領域3を埋め込む絶縁層4を形成する。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジの変更の自由度が高く、感度を上げることができ、画素数の向上が容易で、かつ画質の劣化を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】導電性要素(配線層M1(FD)および導電層BC1)は、転送トランジスタTxのドレイン領域SDと増幅トランジスタAmiのゲート電極層GEとを電気的に接続している。容量配線MM(Cs)は、転送トランジスタTxのドレイン領域SD、リセットトランジスタResのソース領域SD、増幅トランジスタAmiのゲート電極層GE、および導電性要素のうち少なくとも1つと容量Csを構成するように配置されている。容量配線MM(Cs)は、リセットトランジスタResがオフ状態のときに、少なくとも2つの電位V1、V2を選択的に印加されるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】複数画素共有の互いに寄った受光部を持つ固体撮像素子において、受光感度およびシェーディングをより改善する。
【解決手段】マイクロレンズ14と受光部3との間の層間絶縁膜9に光導波路を構成する断面平行四辺形状のライトパイプ10が形成され、ライトパイプ10は、下端面が受光部3の上方位置で平面視で受光部3の中央部を含むように開口し、上端面がマイクロレンズ14の下方位置で平面視でマイクロレンズ14の中央部を含むように開口して、上下の各端面領域が平面視で互いに領域がずれて異なっている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤグリッド偏光子を備えた信頼性に優れる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部が形成された光電変換素子を準備する工程と、光電変換素子の表面に絶縁層26を形成する工程とを有する。また、支持基体34上にワイヤグリッド偏光子30を形成する工程を有する。そして、光電変換素子表面の絶縁層26上に、支持基体34のワイヤグリッド偏光子30形成面を接合する工程と、ワイヤグリッド偏光子30から支持基体34を除去する工程とにより、固体撮像装置を製造する。 (もっと読む)


【課題】 撮像素子のマイクロレンズの集光位置をより好ましく調整する。
【解決手段】 撮像素子モジュールは、複数の画素と、各々の画素上に配置されたマイクロレンズと、マイクロレンズの位置を光軸方向に調整するレンズ調整部とを備える。 (もっと読む)


【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】縦方向と横方向の曲率に対して最適なレンズ形状とすることにより、平面視で縦方向と横方向の長さが異なる照射対象に対しても中央部分に確実に集光させて集光効率を向上させる。
【解決手段】平坦化膜上に感光性レジスト膜を成膜する感光性レジスト膜成膜工程と、透過率階調マスクを用いて照射光量を平面的に制御して、感光性レジスト膜をレンズ形状に形成するレンズ形状形成工程とを有し、レンズ形状を、マイクロレンズ37として、平面視縦方向および横方向のうちの少なくともいずれかの方向に端部同士が重なりを有したアレイ状に形成する。平面視外形が円形のレンズ形状から、縦方向および横方向の少なくともいずれかの方向に重なりを有したアレイ状に形成する。 (もっと読む)


【課題】CMOSイメージセンサに代表される固体撮像素子において、裏面受光構造を採ることにより、画素の微細化および高開口率化を可能とした固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード37を有するシリコン層31と、シリコン層31における受光面と逆側の他方の面上に設けられた配線層と、シリコン層31内における他方の面側の表面層に設けられたP+層45とシリコン層31内に設けられたN−型領域41からなる光電変換領域と、光電変換領域よりも高濃度の第2導電型であって、シリコン層31内におけるP+層45とN−型領域41からなる光電変換領域との間に設けられたN+領域44とを備えた固体撮像素子である。 (もっと読む)


【課題】感度を劣化させることなく、短時間で、かつ低コストで製造することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のフォトダイオード層14を有する半導体基板13の主面上に、互いに離間するように複数のブロック状のレンズ体20を形成する工程と、複数のブロック状のレンズ体20を加熱して溶融することにより、互いに離間するように、半球状の複数の第1のレンズ体12−1を形成する工程と、第1のレンズ体12−1よりもエッチングレートが早い透明樹脂層19−2を、複数の第1のレンズ体12−1を含む半導体基板13上を覆うように形成する工程と、透明樹脂層19−2の全面を、第1のレンズ体12−1の頂部Oが露出するまでエッチングすることにより、第1のレンズ体12−1の頂部Oを除く表面に、透明樹脂層19−2からなる第2のレンズ体12−2を形成する。 (もっと読む)


【課題】駆動回路や電極に影響を及ぼすことなく、この上部に結晶性に優れた半導体薄膜からなる光電変換部を積層形成することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1基板21上に光電変換部となる半導体薄膜23を成膜する。第2基板21の表面側にトランジスタTrや画素電極43を含む駆動回路を形成する。駆動回路に半導体薄膜を接続する状態で、第1基板21と第2基板31とを対向配置して張り合わせる。第2基板31側に半導体薄膜23を残す状態で、半導体薄膜23から第1基板21を除去する。 (もっと読む)


【課題】より低コストで、平坦性に優れ、可能な限り積層構造全体を薄く形成することができる半導体装置の製造方法、および上記製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】本製造方法においては、半導体基板SUB内に光電変換素子PDが配置される画素領域PDRと、画素領域PDRの周辺部に配置される周辺領域PCRとが形成される。半導体基板SUBの主表面上には最上層配線AL3と、最上層配線AL3上の第1の層間絶縁膜II4とが形成される。第1の層間絶縁膜II4の最上面ISFが平坦化される。最上面ISFを平坦化する工程の後において、画素領域PDRにおける第1の層間絶縁膜II4の最上面ISFは平坦であり、周辺領域PCRにおける第1の層間絶縁膜II4の最上面ISFには段差HP2が形成されている。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置においてフォトダイオードの面積のばらつきに伴う不都合を抑制しつつ、2つの画素間でリセットトランジスターを共有化する。
【解決手段】第1の色の光を受光する第1のフォトダイオードと、第1のフォトダイオードの第1の方向の隣に配置された第2の色の光を受光する第2のフォトダイオードと、第2のフォトダイオードの第2の方向の隣に配置された第1の色の光を受光する第3のフォトダイオードと、第3のフォトダイオードの第1の方向の隣に配置された第3の色の光を受光する第4のフォトダイオードと、第1及び第2のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第1のリセットトランジスターと、第3及び第4のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第2のリセットトランジスターと、を具備し、第1のフォトダイオードの面積と第3のフォトダイオードの面積との差が小さい。 (もっと読む)


【課題】基板電位が安定した縦型オーバーフロードレイン構造を実現する。
【解決手段】実施形態に係わる裏面照射型固体撮像装置は、第1の導電型を有する半導体基板1と、半導体基板1の表面側に配置される第2の導電型を有する複数のフォトダイオード3と、複数のフォトダイオード3の間に配置され、半導体基板1に電位を与える第1導電型を有する拡散層6と、半導体基板1の裏面側に配置される第2導電型を有するオーバーフロードレイン層17と、半導体基板1の表面側からオーバーフロードレイン層17まで伸び、半導体基板1の表面側からオーバーフロードレイン層17にバイアス電位Vbを与えるオーバーフロードレイン電極18と、半導体基板1の表面上に配置される配線層9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】分光特性が良好で、かつ解像度の高い着色層のパターン形成ができる固体撮像素子用着色感光性組成物とそれを用いた固体撮像素子用カラーフィルタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、(A)着色剤、(B)モノマー、(C)ポリマー、(D)光開始剤、(E)溶剤、(F)重合禁止剤からなる着色感光性組成物であって、全固形分に対する(A)着色剤の含有量が40質量%〜60質量%、(F)重合禁止剤が1.0×10−3質量%〜1.0×10−1質量%であり、(F)重合禁止剤と(B)モノマーの質量の割合が0.1%〜5.0%で、(F)重合禁止剤と(D)光開始剤の質量の割合が0.25%〜30%であることを特徴とする着色感光性組成物である。 (もっと読む)


【課題】感度向上と混色低減とを実現した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、固体撮像装置1は、半導体基板10と、市松状の配置で半導体基板10に形成された各々複数の光電変換部11g、11b、11rと、光電変換部11b、11rに対応する各位置に設けられた複数のマイクロレンズMLb、MLrを含むマイクロレンズ配列MLA1と、光電変換部11gに対応する各位置に設けられたマイクロレンズMLgを含み、マイクロレンズ配列MLA1よりも受光面側に配されたマイクロレンズ配列MLA2とを有する。マイクロレンズMLgの周縁部とマイクロレンズMLb、MLrの周縁部とが重なっている。 (もっと読む)


【課題】混色による画質の劣化を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10に行列状に形成された複数の光電変換部11と、半導体基板10の上に形成された第1の屈折率の層間絶縁膜20と、複数の光電変換部それぞれの上であって、層間絶縁膜20に形成された複数の穴部23と、各穴部23内と、層間絶縁膜20よりも上方とに形成された第2の屈折率の複数の光導波路30と、複数の光導波路30の上に形成された第3の屈折率の平坦化膜40とを備え、前記第2の屈折率は前記第1の屈折率および第3の屈折率よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


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