【課題】 分割画素を有する撮像素子を用いた撮像装置において、欠陥画素の検出精度を上げること。
【解決手段】 マイクロレンズ（４４２）と、該マイクロレンズを共有する複数の光電変換部（４０１ａ〜４０１ｄ）とを各々が有する複数の画素を備えた撮像素子と、前記光電変換部のうち、欠陥のある光電変換部を検出する画像補正回路（１１４）とを有する撮像装置において、前記画像補正回路は、前記複数の光電変換部それぞれを順次検出対象とし、前記検出対象の光電変換部から出力される出力信号と、前記検出対象の光電変換部を有する画素の周辺の画素に含まれる、前記検出対象の光電変換部と前記マイクロレンズに対する位置関係が対応する光電変換部からの出力信号とを比較することによって、前記検出対象の光電変換部に欠陥があるかどうかを判定する第１の欠陥画素検出方法を用いて判定を行う。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、カラーフィルタの剥離を抑制する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子１１を有する画素１１２と、画素１１２に対応して形成され、複数の色目フィルタ成分を有するカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換素子１１に集光するマイクロレンズ１６と、カラーフィルタ１５の各色目フィルタ成分間に配置される遮光膜１７と、カラーフィルタ１５と遮光膜１７との間に設けられ、非平坦化された密着性膜１９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】色再現性の低下を抑制可能とする固体撮像装置及びカメラモジュールを提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置であるイメージセンサ１２は、画素アレイと、赤外光除去部であるＩＲカットフィルタ２６と、を有する。画素アレイは、複数の画素セル２１がアレイ状に配置されている。画素セル２１は、光電変換素子２３を備える。画素アレイは、色配列に従って、各色光の信号レベルを画素セル２１ごとに分担して検出する。ＩＲカットフィルタ２６は、光電変換素子２３へ進行する光から赤外光を除去する。ＩＲカットフィルタ２６は、画素セル２１ごとに対応させて設けられている。ＩＲカットフィルタ２６は、画素セル２１が検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されている。 （もっと読む）

【課題】 モジュールのサイズを縮小する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、第１の面と前記第１の面に対向する第２の面を有する半導体基板１０と、半導体基板１０内に設けられ、第２の面側のレンズを介して照射された光を光電変換する画素３と、第１の面上の素子７を覆う絶縁膜９２，９６上に設けられ、溝６９を有する支持基板１９と、絶縁膜９２，９６上に設けられ、支持基板１９の溝６９内に格納されるデバイス６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質劣化を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換素子ＰＤを有する画素Ｐと、画素Ｐに対応して形成されたカラーフィルタ１３と、カラーフィルタ１３を介して入射光を光電変換素子ＰＤに集光するマイクロレンズ１５と、カラーフィルタ１３とマイクロレンズ１５との間に形成され、マイクロレンズ１５より屈折率が小さい層内レンズ１４と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学的な混色やＭｇフレアを抑制するとともに、感度を向上させる。
【解決手段】半導体基板に設けられ、フォトダイオードを含む画素が複数配列された画素領域と、半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、画素領域に配列される複数の画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、半導体基板とカラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の画素は、カラーフィルタの色により、互いに隣接する画素として、カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、画素間遮光部は、異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する。 （もっと読む）

【課題】金属遮光膜のストレス（応力）に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行う。
【解決手段】半導体基板６の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域２が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域２の外周側に、有効画素アレイ領域２からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域３が設けられ、オプティカルブラック領域３の外周側に周辺回路領域４が設けられた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４に入射光を遮光する金属遮光膜８ａ，８ｂが設けられ、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４における金属遮光膜８ａ，８ｂの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部５が設けられている。スリット５ａは、有効画素アレイ領域２およびその外周側のオプティカルブラック領域３の平面視４角形の外周囲に渡って形成されている。 （もっと読む）

【課題】画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供する。
【解決手段】入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。
【解決手段】シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードＰＤと、前記画素領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｍのメタルライン（Ｍは、１より大きい自然数）と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｎのメタルライン（Ｎは、Ｍより大きい自然数）と、前記画素領域の前記第Ｍのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも１つのダミーメタルラインＤＭ１，ＤＭ２と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズＭＬとを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】光線クロストークを防止しながら撮像装置の構成を簡素化する。
【解決手段】撮像装置１００は、光透過性の基板３２と、基板３２の第１面３２１に対向する複数のレンズ４４と、基板３２の第２面３２２に形成されて各レンズ４４の光軸が通過する開口部３６を有する遮光層３４と、第２面３２２に間隔をあけて対向する受光面５６をレンズ４４の光軸が通過するように配置された複数の受光素子５４とを具備する。レンズ４４の有効径Ｄと、開口部３６の直径ａと、受光面５６と遮光層との距離ｈと、受光面５６の直径ｄと、受光面５６とレンズ４４の中心との距離ｓと、各受光素子５４のピッチｐと、基板３２の屈折率ｎとは、ａ＜（ｈ・Ｄ＋ｈ・ｄ−ｓ・ｄ）／ｓおよびｔａｎ^−１｛（ｐ−ａ／２−ｄ／２）／ｈ｝＞ｓｉｎ^−１（１／ｎ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズ基板にスペーサーを形成する工程を簡素化する。
【解決手段】工程Ｐ1および工程Ｐ2では、基板１２のうちスペーサー１６が形成される領域１３Aの周囲に反射パターン１８を形成する。工程Ｐ3では、反射パターン１８が形成された基板１２上にポジ型の感光性材料で感光層５２を形成する。工程Ｐ4では、感光層５２のうちマイクロレンズ１４およびスペーサー１６の各々に対応する領域以外の領域を露光する。工程Ｐ5では、マイクロレンズ１４に対応する第１パターン７２とスペーサー１６に対応する第２パターン７４とを感光層５２の現像により形成する。工程Ｐ6では、第１パターン７２および第２パターン７４の各々の表面を加熱により曲面状に変形させることでマイクロレンズ１４およびスペーサー１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図ることができる。
【解決手段】シリコンウェハ３１の上面側の内部にメタルパッド３２が形成され、シリコンウェハ３１の上面にガラスシール材３３が積層され、メタルパッド３２がシリコンウェハ３１の上面に露出するようにシリコンウェハ３１およびガラスシール材３３に加工された開口部にストッパ層３４が形成される。そして、シリコンウェハ３１の下面からストッパ層３４まで開口するように縦孔３５が形成され、縦孔３５の先端部においてストッパ層３４を介してメタルパッド３２に電気的に接続され、シリコンウェハ３１の下面まで延在するようにメタルシード層３７が形成される。本発明は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 撮影画質を低下させることなく、高速な焦点調節を行うこと。
【解決手段】 撮像素子の出力に応じた被写体像のコントラストに基づき、撮像光学系のフォーカシングレンズ群を光軸方向に移動させて焦点調節を行うフォーカシング手段を備えた撮像装置において、撮像素子は、各画素に対応する複数のマイクロレンズを有し、これらマイクロレンズの各位置をそれぞれ光軸方向に異ならせて設け、光軸方向の異なる各位置に複数の結像面を形成し、フォーカシング手段は、撮像素子の複数の結像面に対応する各電気信号に基づいてコントラスト値の高くなるフォーカシングレンズ群の移動方向を判定する。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の微細化が可能な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 本開示に係る電界効果型トランジスタは、基板１０と、基板１０上に形成され、フィン領域１３と該フィン領域１３の両端にそれぞれ形成されるソース領域１４とドレイン領域１５とを有する半導体層と、フィン領域１３の少なくとも２面の一部と接する凸部１７１を有するゲート電極１７と、を備える。 （もっと読む）