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Fターム[4M118GD07]の内容

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Fターム[4M118GD07]に分類される特許

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【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部110を覆うとともに、転送ゲート120の転送ゲート電極121の光電変換部110側の側面に沿って延在して転送ゲート電極121の上面1210を覆う第1保護膜220を備え、第1保護膜220と光電変換部110との間に、第1保護膜220の屈折率及び光電変換部110の屈折率よりも低い屈折率を有し、第1保護膜220と界面を成す第1領域11が設けられ、第1保護膜220と転送ゲート電極121の上面1210との間に、転送ゲート電極121の屈折率及び第1保護膜220の屈折率よりも低い屈折率を有し、第1保護膜220と界面を成す第2領域22が設けられており、第1領域11の光学膜厚をT、第2領域22の光学膜厚をT、光電変換部110へ入射する光の波長をλとして、T<T<λ/2−Tを満たす。 (もっと読む)


【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードに入射する光の多様な入射角に対する対応能力を提供する。
【解決手段】3次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素は、半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオード14および、前記フォトダイオードの光電荷量を外部に転送するためのパッド17を備える第1のウエハ10と、前記フォトダイオードを除いたトランジスタ構成の規則的な配列を持つ画素アレイ領域、前記画素アレイ以外のイメージセンサの構造を持つ周辺回路領域、及び前記各画素を接続するためのパッド21を備える第2のウエハ20と、前記第1のウエハのパッドと前記第2のウエハのパッドとを接続する連結手段30と、を含む。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】 光電変換素子間の分離構造を適切なものとすることにより、複数の光電変換素子の信号を用いて1つの信号とする場合に所望の信号を得ることを目的とする。
【解決手段】 光電変換ユニットに含まれる光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第1導電型の第1半導体領域を含み、光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の間には第2導電型の第2半導体領域が配され、隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の間には第2導電型の第3半導体領域が配され、第2半導体領域の不純物濃度は、前記第3半導体領域の不純物濃度よりも低い。 (もっと読む)


【課題】赤外線の受光感度および解像度を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板13、反射体17、および半田ボール20、を具備する。半導体基板13は、表面にフォトダイオードを含む感光領域を有し、その裏面は鏡面仕上げされている。反射体17は、半導体基板13の裏面上に形成されており、感光領域に入射された赤外線を反射する。半田ボール20は、感光領域に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】高画質化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像素子、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、上面に複数の画素が形成されたセンサ基板と、複数のマイクロレンズが形成されたマイクロレンズアレイ基板と、前記マイクロレンズアレイ基板における前記マイクロレンズ間の領域に一端が接合され、前記上面に他端が接合された接続ポストと、を備える。 (もっと読む)


【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体31と、半導体基体31の第1主面上に形成された、Geを含む第1半導体層32とを備える固体撮像素子30を構成する。この固体撮像素子30は、半導体基体31の第2主面に形成された転送トランジスタTr1と、第1半導体層32を含む領域に形成されたフォトダイオード33とを備える。 (もっと読む)


【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 (もっと読む)


【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口22aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率rの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をSとしたとき、マスク開口52の開口面積Smが、Sm<S/rであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 (もっと読む)


【課題】感度特性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第1レンズ層31と、第2レンズ層32とを備え、第1レンズ層31により形成される第1マイクロレンズ32の少なくとも外周部に第2レンズ層33が形成されている。そして、第1マイクロレンズ32の中心部に、外周部よりも厚さの小さい、又は、厚さのない第2レンズ層33を有する。 (もっと読む)


【課題】画素セルが3つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル11に対して、リセットトランジスタ117をON状態とすることで、増幅トランジスタ113のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル11に対して、選択トランジスタ115及びリセットトランジスタ117を同時にON状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ113のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル11から列信号線141に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ117がON状態とされている時に選択トランジスタ115がON状態とされる。 (もっと読む)


【課題】より容易により多様な光電変換出力を得ることができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、入射光を光電変換する光電変換素子が形成される光電変換素子層と、前記光電変換素子層の、前記入射光の入射面とは反対の側に形成される、前記光電変換素子から電荷を読み出すための配線が形成される配線層と、前記光電変換素子層および前記配線層に積層され、他の光電変換素子を有する支持基板とを備える。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】回路基板への撮像素子の実装面積を低減して小型化を図るとともに、低背化しても撮像素子の外力に対する強度を確保できる。また、発熱による影響を受けにくく、ノイズに強い固体撮像装置及びカメラモジュールを提供する。
【解決手段】固体撮像装置100は、受光領域11の外側に外部接続用のパッドが配置されたボンディングパッド領域13を有する撮像素子15と、少なくとも撮像素子15の受光領域11とボンディングパッド領域13との間に配置され、ボンディングパッド領域13に対応するパッドが配置された第1のパッド領域17を有する配線部材と、を備える。撮像素子15のボンディングパッド領域13と配線部材19の第1のパッド領域における対応するパッド同士をワイヤーボンディング接続した。 (もっと読む)


【課題】クラック及び汚染発生の抑制が容易で、パーティクルの除去が容易な、無機物を
マイクロレンズにしたイメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に無機物薄膜を蒸着するステップと、前記無機物薄膜上に半球状のフ
ォトレジストパターンを形成するステップと、前記無機物薄膜に全面エッチバック工程を
行い半球状無機物薄膜のマイクロレンズを形成するステップとを有することを特徴とする
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【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第1の面及びそれと反対側の第2の面を有する半導体基板11と、半導体基板11内のフォトダイオード12と、半導体基板11の第1の面側においてフォトダイオード12の全体を覆い、半導体基板11の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板11の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層13と、半導体基板11の第2の面の全体を覆い、半導体基板11の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層14とを備える。 (もっと読む)


【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第1面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第2面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第2面から前記第1面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第1面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第1面に接触して配置された第1の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第1の誘電体膜との間に配置された、前記第1の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第2の誘電体膜と、を備える。 (もっと読む)


【課題】平坦化処理における着色パターンの表面荒れを抑制することができるカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第1の着色層を第1の着色組成物により形成する工程、第1の着色層に複数の第1の貫通孔が形成されるようにドライエッチングによりパターニングする工程、第1の着色層上に第2の着色組成物による第2の着色層を積層する工程、第1の貫通孔とは別の複数の第2の貫通孔をドライエッチングによりパターニングして、複数の第1の着色画素を形成する工程、第1着色層上に、第3の着色組成物による第3の着色層を含む1層以上の着色層を積層する工程、及び第1の着色層上に積層された1層以上の着色層を第1の着色層が少なくとも露出するまで平坦化処理する工程を有するカラーフィルタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 (もっと読む)


【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明(「BSI」)イメージセンサピクセル(400)は、フォトダイオード領域(420)と、ピクセル回路(430)とを含む。フォトダイオード領域は、BSIイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 (もっと読む)


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