【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明（「ＢＳＩ」）イメージセンサピクセル（４００）は、フォトダイオード領域（４２０）と、ピクセル回路（４３０）とを含む。フォトダイオード領域は、ＢＳＩイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑制する。
【解決手段】センサチップは、複数のＰＤが配置された半導体基板を有している。信号処理チップは、センサチップに積層され、センサチップを駆動するためのロジック回路が形成された半導体基板を有している。そして、センサチップの半導体基板と、信号処理チップの半導体基板との間に、信号の送受信を行う配線を有する配線層が配置されており、その配線層において配線が形成されていない領域に、遮光性を備えた遮光膜が配設される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】平坦化された層上に発生する残渣を抑制することができるカラーフィルタの製造方法。
【解決手段】第２色目の着色層を平坦化処理により平坦化して除去すること、及び、第３色目の着色層をフォトリソグラフィーの技術を利用して、露光、現像することにより除去カラーフィルタの製造方法において、前記平坦化処理する工程は、前記第２の着色層を積層する工程の後、前記ドライエッチングによるパターニング工程の前に行われるか、又は、前記ドライエッチングによるパターニング工程の後、前記第３の着色感放射線性層を積層する工程（オ）の前に行われ、前記第１の着色組成物が着色剤と樹脂とを含有し、前記第１の着色組成物の全固形分に対する前記着色剤の含有量が６０質量％以上であり、かつ、固形分酸価が最も大きな樹脂の固形分酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、カラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図る裏面照射型のＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、半導体基板３１に対して光が入射する側に積層される有機光電変換層３３を備えており、有機光電変換層３３に有機光電変換膜４３が配置され、半導体基板３１に２つのＰＤ４１、４２が配置されている。そして、有機光電変換層３３では、有機光電変換膜４３を挟み込むように１対の透明電極５４−１，５４−２が設けられており、半導体基板３１側の透明電極５４−１が、光が入射する側に突出する曲面を有して形成され、有機光電変換膜４３が、この透明電極５４−１が有する曲面に倣って曲面形状を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素を含み、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、半導体層に形成された第１光電変換部と、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部に向けて反射する第１反射領域とを含み、前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第２光電変換部と、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２光電変換部に向けて反射する第２反射領域とを含み、前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】 緑色画素形成用の緑色層を色分離が非常に優れた状態で形成できるとともに、緑色層にドライエッチングを適用して緑色画素を形成した場合に、緑色層における分光特性と、緑色画素における分光特性との差が小さく、緑色層が発現する優れた色分離特性を、緑色画素に確実に引き継ぐことができる、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 着色顔料を含有する、緑色フィルタ形成用着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色顔料の含有量が６０質量％以上であり、かつ、前記着色組成物から得られる膜厚０．６μｍを有する膜の波長５５０ｎｍにおける光透過率が８０％以上であり、前記膜の波長４５０ｎｍにおける光透過率が５０％以下である、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子において、画素部１０１のうち、転送スイッチ２０３およびＦＤ２０４およびリセットスイッチ２０７および増幅ＭＯＳアンプ２０５が第１半導体基板に形成され、列読み出し回路１０３または出力回路１０７または駆動回路の少なくとも一部が第１半導体基板以外の第２半導体基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】外的ノイズなどに対して安定した動作を実現可能な光電変換装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】光電変換装置４０Ａは、基板４１上において、透光性電極５２と、透光性電極５２と基板４１との間に配置された光反射性電極５４と、透光性電極５２と光反射性電極５４とに挟持された光電変換層５３とを有する光電変換素子としてのフォトダイオード５１と、フォトダイオード５１に電気的に接続された３つのトランジスター６１，６２，６３を具備する画素回路と、フォトダイオード５１と３つのトランジスター６１，６２，６３とは、基板上において異なる層に配置されており、光反射性電極５４と同層に配置され、３つトランジスター６１，６２，６３の半導体層６１ａ，６２ａ，６３ａ上に平面的に重なると共に固定電位に接続された遮光膜６５Ａと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】より適切にクランプ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の信号処理装置は、撮像素子の有効画素領域外に設けられたOPB領域の、互いに異なる位置の画素値を用いて、前記有効画素領域の画素値の黒レベルを補正するOPBレベルの候補を複数決定する決定部と、前記決定部により決定された複数の前記候補の比較を行う比較部と、前記比較部による複数の前記候補の比較結果に基づいて、前記候補のいずれかを前記OPBレベルとして選択する選択部とを備える。本開示は信号処理装置および方法、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】カメラモジュールのさらなる低背化を可能にする技術を提供する。
【解決手段】半導体素子１２０が搭載された第１の素子搭載用基板１１０にはんだボール２７０を介してレンズ２９０およびチップ部品２２０が搭載された第２の素子搭載用基板２１０が積層されている。第２の素子搭載用基板２１０に、半導体素子１２０の設置領域に対応して開口部３００が設けられている。開口部３００に透明部材３１０が嵌め込まれており、透明部材３１０の外周は、開口部３００に露出する第２の素子搭載用基板２１０の内壁に接着剤３２０により固着されている。 （もっと読む）

【課題】色バランスと色再現性とがよく、薄い撮像素子を提供すること。
【解決手段】色成分を抽出するフィルタは、透明フィルタと、黄フィルタと、赤フィルタと、可視光波長域において透過抑制特性を有し、可視光波長域より長波長側において透過特性を有する補正フィルタとを含み、補正フィルタは、波長４００ｎｍ〜５５０ｎｍの光に対する透過率が５％以下、分光透過率特性における５０％透過率の波長範囲が６２０ｎｍ〜６９０ｎｍ、波長７００ｎｍの光に対する透過率が７０％以上。補正フィルタが、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９の各顔料を含む着色樹脂組成物で形成されたこと。 （もっと読む）

【課題】集光効率が高く、かつ画素間のクロストークが少ないイメージセンサ及びその製造方法並びに検査装置を提供する。
【解決手段】複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光源変換部と、各受光素子の直上域に配置され、その直下に位置する受光素子に向けて光を集光する複数のレンズと、このレンズ上に形成され、光透過材料からなる絶縁層とを備えるイメージセンサにおいて、絶縁層の表面に、受光素子毎にそれぞれ離間して形成され、その中心が、各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置する検出領域を設ける。そして、検出対象の試料を、少なくともこの検出領域に固定する。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】一度の撮影で複数の異なる被写体面の像のカラー画像を同時に取得可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】
一度の撮影で複数の異なる被写体面の像を取得可能な撮像素子であって、複数の異なる焦点距離を有する光学系５と、複数の画素を備えた撮像素子部６と、少なくとも３つの異なる波長域の色光から、複数の画素のそれぞれに応じた波長域の色光を選択する波長選択手段８とを有し、複数の画素のうち、同一の波長域の色光に対応し、かつ、同一の被写体面の像を取得する複数の画素は、互いに隣接しないように配列されている。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜で反射した光の影響を低減する。
【解決手段】 遮光膜４０の上面４１は銀色を呈する材料で構成されており、第１膜１０が遮光膜４０の上面４１に近接して遮光膜４０と通過部４４を覆い、第１膜１０の屈折率とは異なる屈折率を有する第２膜２０が、光路部４５および通過部４４に位置するとともに第１膜１０と界面２００を成しており、界面２００と光電変換部２との距離Ｄ_３が、通過部４４の出射端４４２と光電変換部２との距離Ｄ_２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】基板を貼り合わせて電極接合を行う半導体素子において、電極の腐食を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接合部４０と第２接合部６０とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置において、第１接合部４０の絶縁層５１と、絶縁層５１の表面に形成された接合電極４１と、絶縁層５１表面に形成され、絶縁層５１を介して接合電極４１の周囲を囲む保護層４４とを備える。さらに第２接合部６０の絶縁層７１と、絶縁層７１の表面に形成された接合電極６１と、絶縁層７１表面に形成され、絶縁層７１を介して接合電極６１の周囲を囲む保護層６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成によって混色の発生を防止する。
【解決手段】赤色、緑色、青色の光に感度を有するフォトダイオードが形成される素子層と、この素子層から電荷を転送するための配線を構成する配線層１４とを備える裏面照射型固体撮像素子において、前記素子層と前記配線層１４との間に、前記素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率膜３４、３５、３６を形成した。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板の貼り合わせによって電極間接合がなされた構成において、電極材料の拡散を防止しつつも貼り合わせ強度が確保され、これによって信頼性の向上が図られた三次元構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電極３３、および第１電極３３の拡散防止材料で構成され第１電極３３の周囲を覆う第１絶縁膜３５を含むと共に、第１電極３３と第１絶縁膜３５とで貼合せ面４１が構成された第１基板２と、第１基板２に貼り合わせて設けられ、第１電極３３に接合された第２電極６７、および第２電極６７の拡散防止材料で構成され第２電極６７の周囲を覆う第２絶縁膜６９を含むと共に、第２電極６７と第２絶縁膜６９とで第１基板２に対する貼合せ面７１が構成された第２基板７とを備えた。 （もっと読む）