説明

Fターム[4M118GD07]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 集光要素 (6,518) | レンズ (5,839) | 形状 (1,994) | 凸レンズ (1,705)

Fターム[4M118GD07]に分類される特許

61 - 80 / 1,705


【課題】 オンチップレンズとフォトダイオードとの間で発生する混色を低減できるようにする。
【解決手段】 撮像素子は、光を受光するフォトダイオード部と、フォトダイオード部の少なくとも一部と対向する第1のカラーフィルタと、第1のカラーフィルタと対向する第2のカラーフィルタとを含む第1の単位画素を備え、第1のカラーフィルタと第2のカラーフィルタとは離間している。本技術は、撮像素子または撮像装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】感度を向上させ、出力画像に混色が発生することを抑制することができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置12は、複数のフォトダイオード19、カラーフィルタ層21、複数のマイクロレンズ16、および補助レンズ17を具備する。複数のフォトダイオード19は、半導体基板18に形成される。カラーフィルタ層21は、複数のフォトダイオード19が形成された半導体基板18上に形成される。複数のマイクロレンズ16は、カラーフィルタ層21上に形成される。補助レンズ17は、カラーフィルタ層21上に、複数のマイクロレンズ16より低い屈折率を有する材料によって、複数のマイクロレンズ16を覆うように形成される。補助レンズ17は表面に湾曲部17aを有し、湾曲部17aに入射された光を、実質的に垂直な方向から複数のマイクロレンズ16に入射させる方向に屈折させる。 (もっと読む)


【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板404に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜408を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 (もっと読む)


【課題】高感度かつ高い波長分解能を有する可視・近赤外線用の分光・撮像デバイスを実現することが可能で、空間解像度の高い2次元分光マッピングを可能にする固体撮像素子および撮像システムを提供する。
【解決手段】2次元画素アレイと、2次元画素アレイの画素領域に対向するように配置され、検出すべき波長よりも短い周期的な微細パターンを有する分光機能を備えた複数種類のフィルタと、を有し、各フィルタは、2次元画素アレイの各画素の光電変換素子よりも大きく、隣接する複数の光電変換素子群に対して1種類のフィルタが配置されたて一つのユニットを形成し、複数種類のフィルタは、隣接するユニット群に対して配置されてフィルタバンクを形成し、フィルタバンクが2次元画素アレイの画素領域に対向するように、NxMユニット(但し、N,Mは1以上の整数)配置されている。 (もっと読む)


【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部20が配列形成された画素領域4を有するセンサ基板2と、センサ基板2の受光面Aとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板2における受光面A上に設けられ、画素領域4の膜厚が周辺領域7の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層14と、受光面A側における周辺領域7に設けられた配線8と、絶縁層14上に光電変換部20に対応して設けられたオンチップレンズ19とを備えた固体撮像装置1-1である。 (もっと読む)


【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第1の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第1の転送電極間に挟まれるように配置された第2の転送電極と、第1の転送電極の上に配置され、複数の第2のコンタクトを介して第1の転送電極と接続する第2の遮光膜と、第2の転送電極の上に配置され、複数の第1のコンタクトを介して第2の転送電極と接続する第1の遮光膜とを有し、第1の遮光膜には、第1の転送電極の上において、第1の開口部と第2の開口部が設けられており、第1の開口部には、第2のコンタクトが配置されており、第2の開口部には、第2のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第1の開口と第2の開口との内部に金属材料を埋め込んで第1プラグと第2プラグとを設けると共に、第1プラグと第2プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマCVD法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、SiOなどの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】異なる屈折率を有するマイクロレンズが画素毎に精度良く形成された固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロレンズの形成時において、まず始めに、無機材料からなる無機マイクロレンズ21を形成する。その後、有機材料からなる有機マイクロレンズ層22aを形成したのち、熱リフローすることで有機マイクロレンズ層22aを変形させ、半球状の有機マイクロレンズ22を形成する。これにより、始めに形成されるマイクロレンズが、無機材料で形成されるため、レンズ特性を維持した状態で、有機マイクロレンズ22を形成できる。これにより、屈折率の異なるマイクロレンズを精度良く形成できる。 (もっと読む)


【課題】接続部間のクリアランスを確保する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第2の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第1の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含む画素セルを複数含み、当該画素セルに対応して前記接続部が設けられており、いずれかの前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第1の接続領域は、他の前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第2の接続領域の位置に応じた位置にあることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板10内に設けられ、光が照射される複数の第1の光電変換部を有する第1の領域2と、半導体基板10内に設けられ、第1の領域2に隣接する第2の領域3と、受光面に対して垂直方向において第1の領域2と重なる位置に配置され、第1の光電変換部にそれぞれ対応する複数の第1のレンズ9と、記第1の領域2と第1のレンズ9との間において2つの領域2,3との境界部の段差に隣接し、第1の領域2に対応する第2のレンズ7Aと、を含む。 (もっと読む)


【課題】裏面照射センサーの共注入システムを提供する。
【解決手段】イメージセンシングシステムと方法が開示される。実施例は、画素領域を有する基板を含み、基板は表面と裏面を有する。共注入工程は、基板表面に沿って位置する感光素子の反対にある基板裏面に沿って実行される。共注入工程は、プレアモルファス領域を形成する第一プレアモルファス化注入工程を利用する。その後、ドーパントが注入され、プレアモルファス領域は、感光領域中のドーパントの拡散やテーリングを抑制または減少させる。反射防止層、カラーフィルターおよびマイクロレンズも、共注入領域上に形成される。 (もっと読む)


【課題】ウェハレベル撮像モジュールに特に適合する固体撮像素子用の透明導電性膜を所定の箇所に配設する固体撮像素子の製造方法、それにより製造された前記透明導電性膜、これを有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電膜を内部部材表面上に有する固体撮像素子の製造方法であって、導電性金属粒子、導電性金属ナノワイヤ、導電性酸化物粒子、及び導電性ポリマーのいずれか一種を少なくとも含有する透明導電性膜を、前記内部部材に配設する固体撮像素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズの高透過率化を目的としてマイクロレンズ表面に形成する反射防止膜に、クラックによる欠陥が発生しない、高感度の固体撮像素子の構造を提供すること。
【解決手段】半導体基板2上に複数の光電変換素子3を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側に、光電変換素子の各々に1対1に対応してマイクロレンズ7を受光有効領域Aに備えた固体撮像素子1において、受光有効領域に隣接する周辺領域Bに、受光有効領域を取り囲むように複数の凸状体72をマイクロレンズと同一の材料で設け、マイクロレンズと凸状体の表面を均一に覆う反射防止膜8を形成した。 (もっと読む)


【課題】半導体素子上にカバー部材が貼り合わされることによってパッケージングされた半導体装置において、半導体素子へのクラックの発生を抑制し、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】半導体素子2上にリング状のシール部材3を介してカバー部材4を貼り合わせた構成の半導体装置1において、シール部材3の内周面の形状を、半導体素子2からカバー部材4に向けて側段階的に変化するように形成する。半導体素子1側からカバー部材側に押圧する外力が加えられた場合、内周面が、半導体素子1の面に対して垂直方向に段階的に変化するように形成されることにより、半導体素子1にかかる応力が緩和される。 (もっと読む)


【課題】画素間に遮光パターンを有する色再現性の良好なカラー固体撮像素子に使用するための画素剥がれのない良好な形状のオンチップカラーフィルタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上に複数の光電変換素子を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面に、遮光パターンと複数色の着色透明パターンとを色別に順次平面配置するカラーフィルタ形成工程において、初期遮光パターンを、着色透明パターンの1色目の画素部になる箇所が開口部となるように黒色材料により形成する工程、1色目の着色透明材料を塗布して硬化する工程、1色目の画素部になる箇所を全て含む領域を選択的に覆うようにエッチングレジストパターンを形成する工程、エッチングレジストパターンの開口部に露出する1色目の着色透明材料とその下層の黒色材料とを除去する工程、を含む各工程を順に実施する。 (もっと読む)


【課題】 1画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合に、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を低減すること。
【解決手段】 撮像素子(103)は、複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部(402a、402b)と、マイクロレンズ(442)と、複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズ(445a、445b)とを有し、複数の層内レンズは、複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する複数の光電変換部に入射させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】検出感度を向上するとともに、低コスト化を実現することができるようにする。
【解決手段】イメージセンサにおいては、光電変換部の受光素子上に、中央部分に凹部(窪み)が形成された平凸形状の構造体が形成されている。構造体の凹部を除く表面には、光反射性の薄膜が形成されている。そして、構造体の凹部には、測定対象のゲル状、または液体状の試料が貯留されている。本開示は、例えば、試料を測定対象とする検査装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 (もっと読む)


【課題】撮像面に凹凸が存在する場合であっても、カラーフィルタ及びマイクロレンズの損傷を避けるとともに、画素間のクロストークを低減することが可能なカラー裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】p型半導体層21、22にn型半導体層23が積層されてなる光電変換部29を含み、p型半導体層21、22側に撮像面20aを有する裏面照射型撮像素子20と、裏面照射型撮像素子20の各画素に対応して配置される複数のカラーフィルタ42、及び、複数のカラーフィルタ42を透過した被写体光を各画素に集光する複数のマイクロレンズ43が形成された透光性基板41と、を備え、マイクロレンズ43は凸曲面状の出射面を備えており、凸曲面状の出射面の頂点と撮像面20aとの間に、撮像面20aにおける凹凸の影響を受けずに画素間のクロストークを低減するための間隔が設けられている。 (もっと読む)


【課題】高品質な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置11は、凹状の湾曲部28を有する湾曲ガイド15と、レンズによって集光された光を受光し、受光量に応じて電荷を発生するセンサ部18を表面に有するとともに、裏面に湾曲ガイド15が固定され、センサ部18を含む領域が、湾曲ガイド15の湾曲部28に沿って下に凸状に湾曲したセンサ基板14と、センサ基板14の表面のうち、センサ部18の周囲に、センサ部18を囲うように形成された第1の接着剤16と、この接着剤16によってセンサ基板14上に固定された板状の透明基板17と、センサ基板14の裏面に形成され、センサ基板14に設けられた貫通電極25を介してセンサ部18に電気的に接続される外部電極23と、を具備する。 (もっと読む)


61 - 80 / 1,705