【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を確保しつつ、転送電極からの光の透過の影響を小さくして精度良く焦点検出が可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮影レンズからの光を光電変換して被写体の像を生成する撮影用画素と、前記撮影レンズの射出瞳の一部の領域を通る光を受光する第１の焦点検出用画素及び第２の焦点検出用画素と、を有する撮像素子であって、前記第１の焦点検出用画素及び前記第２の焦点検出用画素は、光電変換部と、前記光電変換部の少なくとも一部の領域を覆うように前記光電変換部の端部に設けられる電極部と、開口を有して前記光電変換部の前記少なくとも一部の領域とは異なる領域を覆う遮光部とを有し、前記第１の焦点検出用画素の電極部と前記第２の焦点検出用画素の電極部は、前記第１の焦点検出用画素と前記第２の焦点検出用画素の瞳分割方向において互いに反対側の前記光電変換部の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】より高品質の画像を得ることができ、信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制することができる。
【解決手段】画素に含まれる光電変換素子が複数配置された第１基板に設けられた第１電極パッドと、画素の信号を読み出す読出し部を有する第２基板に設けられた第２電極パッドと、一端を第１電極パッドに接合し、他端を第２電極パッドに接合することで、第１電極パッドと第２電極パッドとを電気的に接続する接続部と、を有し、複数の画素を、単位画素セルまたは複数画素をまとめたセル毎に複数の領域に区分し、その区分された区分領域のそれぞれには、第１〜第ｎの第１電極パッド、および第１〜第ｍの第２電極パッドが割り当てられており、同一の区分領域に割り当てられた第１〜第ｎの第１電極パッド、および第１〜第ｍの第２電極パッドは、複数の接続部を介して電気的に接続されるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、第１半導体部と、第２半導体部とを備える構成とする。第１半導体部には、接合界面側の表面に形成されかつ第１の方向に延在する第１電極１６を設ける。そして、第２半導体部には、接合界面で第１電極１６と接合されかつ第１の方向と交差する第２の方向に延在する第２電極２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】モジュールの薄型化を図る。
【解決手段】平板状の薄型プレートには、半導体チップとしてのイメージセンサがダイボンディングにより固定され、その薄型プレートにおいてイメージセンサが固定される領域の周囲の一部または全部には、配線層を含む配線基板が配置される。そして、イメージセンサと配線基板とは、例えば、ワイヤボンディングにより電気的に接続される。本技術は、例えば、イメージセンサをパッケージングするイメージセンサパッケージに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】厚塗り適性があり、得られた膜の塗布均一性が良好で、段差追従性があり、且つ赤外線領域の遮光性に優れる遮光性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか１種、（Ｂ）粒径分布における極大値を示す粒子径が１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲にあるフィラー、及び（Ｃ）粒径分布における極大値を示す粒子径が５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲にあるフィラーを含有する遮光性組成物であって、前記遮光性組成物中の前記フィラー（Ｂ）及び前記フィラー（Ｃ）の混合後におけるフィラー全体の粒径分布が、５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲及び１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲のそれぞれの範囲に極大値を有する遮光性組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤグリッド偏光子へのダストの付着を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子２１と、光電変換素子２１上に設けられたワイヤグリッド偏光子３０と、光電変換素子２１に設けられる導体層２４とワイヤグリッド偏光子３０とを電気的に接続する導体膜３５とを備える固体撮像装置２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置１００において、光入射効率を高める多重干渉効果に加えて、第１に、シリコンのもつ引張応力を緩和し、第２に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することを可能とする。
【解決手段】固体撮像装置１００において、シリコン基板１０１の第２面上に光透過膜１２３を形成し、該光透過膜１２３を、該シリコン基板１０１の該第２面上に形成されたシリコン酸化膜（第１の透明絶縁膜）１０２と、該シリコン酸化膜１０２上に形成され、該シリコン酸化膜の屈折率より高い屈折率を有するシリコン窒化膜（第２の透明絶縁膜）１０３とを、該シリコン窒化膜の厚みの増大に伴って、該シリコン基板の第２面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該シリコン窒化膜１０３の厚みを、該反射率の極小値として２周期目の極小値のみを含む範囲に設定した。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】マルチスペクトルＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサは、半導体基板と、第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサとを有している。第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成された第１から第３の画素と、第１から第３の画素の各々に設けられた転送電極とマイクロレンズを備えている。転送電極は、第１のゲート電極、第２のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。第１の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内と第２の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内とにおいて、マイクロレンズの光軸上に設けられた電極が異なっている。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の分割に伴い生じる低感度帯の影響を抑制すること。
【解決手段】 撮像素子は、第１の方向に第１の分割数に分割され、前記第１の方向と垂直な第２の方向に第２の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第１画素と、前記第１の方向に第３の分割数に分割され、前記第２の方向に第４の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第２画素とをそれぞれが備えた、複数の撮像画素群を含み、第１画素及び前記第２画素を構成する複数の光電変換部は、撮像光学系からの光束のうち分割された光束により形成された複数の像を光電変換して位相差の検出に用いられる焦点検出信号を出力する機能を備えており、第１の分割数と第３の分割数が互いに素の自然数であり、第２の分割数と第４の分割数が互いに素の自然数であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換層より深い位置に配線層が配置された固体撮像素子において、光電変換層を通過する光に対する感度を抑え、色再現性を向上させる。
【解決手段】光電変換素子が配設される光電変換層と、少なくとも１層の金属膜と、前記金属膜の周囲を埋める層間絶縁膜とからなる配線層と、を有し、前記配線層が前記光電変換層に対して光入射側と反対側の前記光電変換層より深い位置に配設された固体撮像素子において、前記配線層の金属膜のうち、少なくとも前記光電変換層に最も近い位置に配設された第１の金属膜を、前記光電変換層を通過した所定範囲の波長の光が照射されない領域に配置した。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの膜厚が不均一となるのを抑制することができる画像撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、画素領域３に相当する上面が周辺回路領域５に相当する上面より低い下地層（２５）と、下地層（２５）の画素領域３に相当する上面に二次元配置された複数のカラーフィルタ２７と、各カラーフィルタ２７間に配された隔壁２９とを備え、下地層（２５）における画素領域３に相当する上面に対して直交する断面において、周辺回路領域５に接する外側部分（９）に配されている隔壁２９の占有面積が、画素領域３の中央部分（１１）に配されている隔壁２９の占有面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】分光感度のバラツキや色滲みのなく高感度・高解像性であるとともに、隣接する画素部への光の混入を防ぐことができる構成の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の内部には、複数のフォトダイオード１０２が内部に形成されている。配線層１０３は、絶縁膜１０５と配線１０４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上に形成されている。複数のカラーフィルタ１０６は、配線層１０３の上方において、複数のフォトダイオード１０２の各々に対応して形成されている。カラーフィルタ１０６の上には、平坦化膜１０７とマイクロレンズ１０８が順に積層されている。固体撮像装置１では、カラーフィルタ１０６の各々において、平坦化膜１０７よりも屈折率が高いとともに、Ｚ軸方向の上面が凹形状である。 （もっと読む）

【課題】 ビア形成時のエッチングによる基板や配線への影響を抑制しつつ積層された半導体ウェハの回路どうしを接続する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１基板と第１基板の一面と接するように形成された第１絶縁層を有する第１の半導体ウェハと、第２基板と第２基板の一面と接するように形成された第２絶縁層を有する第２の半導体ウェハを接合する工程と、第１基板の他面に第３絶縁層を形成する工程と、第３絶縁層、第１基板、及び第１絶縁層を貫通し第２絶縁層に形成された第２の配線上に第２絶縁層が残るようにエッチングを行い第１接続孔を形成する工程と、第１接続孔に絶縁膜を形成する工程と、第２の配線上の第２絶縁層及び絶縁膜のエッチングを行い第２接続孔を形成し第２の配線を露出させる工程と、第１及び第２接続孔の内部に形成され第２の配線と接続する第１のビアを形成する工程とを備え、第１基板の他面に形成された第１接続孔の径は第３絶縁層に形成された前記第１接続孔の径より大きい。 （もっと読む）

【課題】受光素子での光検知の空間分解能を向上させることが可能な検知装置を提供する。
【解決手段】検知装置は、複数の受光素子１と、各受光素子１と協働する回路部品２と、各受光素子１が収納されたパッケージ３とを備えている。検知装置は、回路部品２もパッケージ３に収納されている。検知装置は、パッケージ３内において各受光素子１が互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】透明電極が形成された固体撮像素子において、感度低下の防止が図られた固体撮像素子を提供する。また、その固体撮像素子を用いた撮像装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に形成され、入射した光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部ＰＤと、基板１１上部に形成された透明電極１４を備える固体撮像素子１において、透明電極１４を、複数の開口を有するナノカーボン材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】 構成要素の位置の製造上のばらつきによる焦点検出用画素の瞳強度分布のばらつきを抑制した撮像素子を提供する。
【解決手段】 複数の画素の各々の受光側に設けられたマイクロレンズと、マイクロレンズが集光した光を受光する光電変換部とを有する撮像素子である。例えば、焦点検出用画素が、マイクロレンズと光電変換部との間に、瞳分割を行うための遮光層を有する構造を有しているとする。この場合、マイクロレンズの焦点位置が、遮光層よりもマイクロレンズ側に位置し、マイクロレンズの焦点位置から遮光層までの距離が、０より大きくｎＦΔより小さくなるように構成する。ただし、ｎはマイクロレンズの焦点位置での屈折率、Ｆはマイクロレンズの絞り値、Δはマイクロレンズの回折限界である。 （もっと読む）