【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 複数の撮影モードに対応可能な検出装置において、駆動配線と信号配線の容量を低減して、更なる高速動作性と更なる高Ｓ／Ｎ比とを両立する。
【解決手段】 変換素子１２０と、第１チャネル領域と第２チャネル領域とを含む半導体層１３１と、第１ゲート電極１３４と、第２ゲート電極１３５と、を含むトランジスタ１３０と、第１ゲート電極１３４と接続された第１駆動配線１４１と、第２ゲート電極１３５と接続された第２駆動配線１４１と、第１導通電圧を第１駆動配線１４１に供給する第１導通電圧供給部１７１と、第２導通電圧を第２駆動配線１４２に供給するための第２導通電圧供給部１７２と、第２駆動配線１４２と第１導通電圧供給部１７１との間の第１の接続と、第２駆動配線１４２と第２導通電圧供給部１７２との間の第２の接続と、のいずれかを選択する選択部１７４と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】放射線が照射されると、当該放射線に応じて発生した電荷の電荷蓄積期間に放射線検出用の画素２０Ｂから出力された電気信号に基づいて、制御部１０６が信号検出回路１０５の増幅回路５０の増幅率を決定し、決定した増幅率を増幅回路５０に対して設定することにより、増幅回路５０の増幅率を制御する。放射線検出素子１０の信号検出回路１０５では、当該電荷蓄積期間に蓄積された電荷に応じた電気信号が、設定された増幅率により増幅回路５０で増幅され、ＡＤＣ５４によりデジタル信号に変換されて制御部１０６へ出力される。 （もっと読む）

【課題】ビニングして撮影する場合にダイナミックレンジの低下を抑えることができる放射線検出器および放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】駆動制御部３３は、ビニングの有無により、すなわち、ゲート駆動回路１９によりスイッチング素子１５を複数列ごとに駆動させるビニングする場合と、ゲート駆動回路１９によりスイッチング素子１５を１列ごとに駆動させるビニング無しの場合とで、バイアス電源９から変換層３に印加するバイアス電圧を変化させている。そのため、ビニングして撮影する透視モードの場合は、ダイナミックレンジの低下を抑えることができる。また、ビニング無しで撮影する撮影モードの場合には、空間解像度を高くすることができる。すなわち、動作モードに応じて高いダイナミックレンジと空間解像度を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非破壊読み出し型の光電変換素子の伝送回路において垂直走査回路や水平走査回路の出力は非選択時にオープンとなり、走査回路に接続される行信号線、画素回路の出力線となる列信号線はフローティングになる。特に行信号線、列信号線がフローティングになると不定電位が発生する。読み出し回路内に残留電荷や不定電位が存在した状態で画像の読み出しを行うと、それらがノイズとしてオフセットに重畳し、良好なオフセット補正が行えなかった。
【解決手段】 非破壊読み出し型の光電変換素子のサンプリング容量に基準電圧をサンプリングし、読み出し回路内部で簡易走査をすることにより、読み出し回路内のフローティング部にロジック電圧、サンプリングした基準電圧を初期電位として印可し、フローティング部の電位を固定化することにより画像読み出し時のオフセットを安定させ、良好なオフセット補正を可能にする。 （もっと読む）

【課題】電荷の収集速度をさらに向上する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子と光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を信号線へ出力するための画素内読出回路とを有する固体撮像装置が提供される。光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の上に配されており、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体領域と、第２半導体領域の内側に配されており、第２半導体領域よりも不純物濃度が高い第２導電型の第３半導体領域と、第３半導体領域の内側に配されて画素内読出回路に接続されており、第３半導体領域よりも不純物濃度が高い第２導電型の第４半導体領域とを含む。第３半導体領域は、第１部分と、第１部分から延びている複数の第２部分とを含む。第３半導体領域の第１部分の内側に第４半導体領域が配されており、第３半導体領域の平面視における形状は、第３半導体領域を３つ以上の部分に分割する１本の直線を定義可能な形状である。 （もっと読む）

【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各領域Ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子１４とが一面３ａ側に設けられた基板３と、基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられ各走査線１０および各信号線１１の端部にそれぞれ設けられた入出力端子１７と、各入出力端子１７に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板２３とを備え、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触が遮断されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子とシンチレータとの間に設けられる保護層による光電変換素子の量子効率の低下の度合を低減し、かつ、光電変換素子等が腐食することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ４が一方の面５ａに形成された第一の基板５と、シンチレータ４により変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換素子１４が一方の面３ａに形成された第二の基板３とを備え、第二の基板３の、光電変換素子１４が設けられた側の面３ａ上には、第一の基板５の面５ａ上に形成されたシンチレータ１４と接触する保護層２０が形成されており、保護層２０は、光電変換素子１４のシンチレータ４に対向する受光面１４ａ上の部分では、シンチレータ４から離間する状態で凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】放射線が照射されている最中にもデータの読み出し処理を続けて行って得られた画像データに基づいて生成される放射線画像中に筋状の像が現れることを防止可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１の放射線検出素子７は、第１電極７３と、照射された放射線のエネルギに応じて電荷を発生させる半導体層７５と、半導体層７５を挟んで第１電極７３の対極側に配置される第２電極７６と、第１電極７３と半導体層７５との間に設けられた絶縁層７４とを備えて構成されており、全放射線検出素子７からデータＤを読み出す期間を１フレームとするとき、制御手段２２は、フレームごとに読み出し処理を繰り返すとともに、データＤの値に基づいて放射線の照射が開始された時点で読み出し処理を行っているフレーム以降の所定数の各フレームで読み出された放射線検出素子７ごとのデータＤを記憶手段４０に記憶する。 （もっと読む）

【課題】開口数の大きな被検光学系の光学特性計測に用いることが可能な光検出装置、同装置を用いた光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の一表面上に配置された開口パターンと、前記基板の前記一表面に対向する表面上に形成された蛍光膜とを有する蛍光ユニットと、複数の光ファイバーを束ねて構成された導光部材と、前記導光部材の一表面に接して配置された撮像素子とを有する撮像ユニットを備えた光検出装置とし、前記蛍光ユニットの前記蛍光膜側の表面を、前記撮像ユニットの前記導光部材側の表面に対面して配置する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に付着した不純物に起因して発生するリーク電流を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】この撮像装置１００は、基板１の表面上に形成される薄膜トランジスタ７と、薄膜トランジスタ７のドレイン電極２５に電気的に接続される下部電極２７と、下部電極２７の表面上に設けられる光電変換層３０と、光電変換層３０の表面上に設けられる透明電極３４とを備え、光電変換層３０の側面は、平面的に見て、透明電極３４の側面３４ａと略一致しているか、または、光電変換層３０の側面の少なくとも一部が透明電極３４の側面３４ａよりも内側に形成されている。 （もっと読む）

イメージセンサーは、画素アレイに複数の画素を有している。各画素は、絶縁層下の光電変換ユニットと、光を光電変換ユニットへ透過させる光導波路と有している。一方向に配列された５以上の画素にわたって、前記光導波路の間の間隔は、前記５以上の画素にわたって非単調に変化している。連続する光導波路の間の幅及び／又は水平ピッチは、同画素にわたって非単調に変化していてもよい。波長の短い光のみを検出する画素の光導波路は、波長の長い光を検出する他の画素の光導波路よりも狭くてもよい。カラーフィルターが前記光導波路と結合されていてもよい。連続する複数のカラーフィルターの間の空隙の幅は、同画素にわたって非単調に変化していてもよい。前記空隙の間のピッチは、同画素にわたって非単調に変化していてもよい。 （もっと読む）