【課題】磁気記憶素子及びその形成方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合体両側にそれぞれ配置された第１及び第２の書き込み導電体を含む。これにより、第１の書き込み導電体又は第２の書き込み導電体によって磁気トンネル接合体にデータをプログラムできる。 （もっと読む）

【課題】差動動作などを行う場合に、記録、読み出しの条件のばらつきの影響が少ない磁気メモリを提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の配線の上下に形成された第１及び第２の磁気抵抗効果素子と、前記第１の配線の上側及び下側において、前記第１の方向とそれぞれ交差する方向に延在する第２及び第３の配線と、を備え、前記第１の配線に電流を流しつつ前記第２及び第３の配線の少なくともいずれかに電流を流して前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子の少なくともいずれかの記録層に対して電流磁界を印加することにより多値情報のいずれかを記録し、前記第１の配線を介して前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すことにより得られるこれら磁気抵抗効果素子からの出力信号の差分を検出することにより、多値情報のいずれかとして読み出す。 （もっと読む）

【課題】従来技術の非対称性問題を解決する。
【解決手段】磁気抵抗センサの自由層を安定させるスタック内バイアスが提供される。より具体的には、自由層の上に提供された安定化層が傾斜した磁化を有する。この傾斜によって、自由層とピン層の間の中間層結合が減少し、従来技術のヒステリシス問題と非対称性問題が実質的に解消される。さらに、アニール温度差と磁界方向を使用するアニール方法を含む、スタック内バイアスの安定化層を傾斜させる方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の磁気抵抗比に直接依存することなく、論理状態の読み取りマージンを増大させる。
【解決手段】メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。ＭＲ素子104は、電極層52〜57間に挟まれた磁気トンネル効果結合を有する。一つの電極層57に接続する入力ノード118は、基準トランジスタ106のドレインまたはソースと、増幅トランジスタ108のゲートに接続される。増幅トランジスタ106のドレインは、導電プログラム線114を通して感知増幅器116に接続される。メモリセル102は、ＭＲ素子104を流れる電流を使用して、増幅トランジスタ108のゲート・ソース間電圧を制御し、増幅トランジスタ108の電圧降下（電流損失）により、メモリセル102の記憶状態を感知する。 （もっと読む）

本発明は、第１強磁性層、非磁性層、及び第２強磁性層から構成される多重積層部と、前記第１強磁性層の上部に形成される上部電極と、前記第２強磁性層の下部に形成される反強磁性層と、前記反強磁性層の下部に形成される下部電極とを含み、前記第２強磁性層の内部にはナノ酸化物層が挿入されていることを特徴とする電流印加磁気抵抗素子を提供する。前記下部電極は前記第２強磁性層の少なくとも一部に接触することが好ましい。本発明による電流印加磁気抵抗素子は、磁化反転のための臨界電流値が低くて向上した磁気抵抗特性を有する。
（もっと読む）

磁気抵抗読み取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。ピン層は高抵抗性であり、ピン層の少なくとも一部に使用するＣｏ_{１００−ｘ}Ｆｅ_ｘ層を含む。随意選択的には、この材料は少なくともフリー層の一部に使用することもできる。ｘの値は、１０〜７５％±約１０％の各種値とすることができる。ピン層は単層或いは副層間にスペーサを有する合成多層構造である。抵抗率を増大させるべく、ピン層とフリー層のいずれか或いは両方の成膜期間中に酸素を導入する。
（もっと読む）

磁気メモリに用い得る磁気素子を提供するための方法及びシステム。磁気素子は、固定層、非磁性スペーサ層、自由層、及び熱支援スイッチング層を含む。スペーサ層は、固定層と自由層との間に存在する。自由層は、スペーサ層と熱支援スイッチング層との間に存在する。熱支援スイッチング層は、自由層が切り替えられていない時に、好適には自由層との交換結合によって、自由層の熱的な安定性を改善する。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時、スピン転移を用いて切り替えられる。書き込み電流は、好適には、磁気素子を加熱して、熱支援スイッチング層によって提供された自由層の安定化を低減する。他の態様において、磁気素子は、第２自由層、第２非磁性スペーサ層、及び第２固定層を含む。熱支援スイッチング層は、静磁気的に結合された２つの自由層間に存在する。第２スペーサ層は、第２自由層と第２固定層との間に存在する。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（１０）は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）において有用なものであるが、合成反強磁性体（ＳＡＦ）構造である自由層（１４）を有している。このＳＡＦ（１４）は、カップリング層（２８）によって分離される２つの強磁性層（２６，３０）から構成される。カップリング層（２８）は、非磁性のベース材料と、さらにはＳＡＦ（１４）の耐熱性、カップリング強度の制御性、および磁気抵抗比（ＭＲ）を改善する別の材料も有している。好ましいベース材料はルテニウムであり、好ましい別の材料はタンタルである。これらの利点を高めるために、タンタルと強磁性層のうちの１つとの間の界面にコバルト鉄が加えられる。また、カップリング層（２８）はより多く層をさらに（３８，４０）有してもよく、使用される材料は種々に異なり得る。また、カップリング層（２８）は、それ自体が合金であってもよい。
（もっと読む）

磁気記憶素子と磁界発生部とを具備する半導体記憶装置を用いる。磁気記憶素子は、自発磁化の磁化方向に対応させてデータを記憶する。磁界発生部は、磁気記憶素子へのデータ書き込み動作において、磁気記憶素子の近傍に、第１方向の第１磁界を発生した後、記憶されるデータに対応する磁化方向にその自発磁化を向かせるようにその第１方向とは異なる第２方向の第２磁界を発生する。 （もっと読む）