【課題】複数のトンネル接合素子の間隔を短縮すること。
【解決手段】上面に凹部２６が形成された下地層２４と、前記凹部の内面と前記凹部の両側の下地層上とに形成された下部電極２８と、前記凹部の両側の前記下部電極上に形成され、トンネルバリア層と前記トンネルバリア層を上下に挟む磁化固定層および磁化自由層とを含む磁気トンネル接合層３０と、前記磁気トンネル接合層上に形成され、前記凹部の上方において電気的に分離された複数の上部電極４０と、を具備する磁気デバイス。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高いシフトレジスタ型記憶装置及びデータ記憶方法を提供する。
【解決手段】一態様によれば、一方向に沿って連なり、その特徴方向が前記一方向に延びる回転軸についてそれぞれ回転可能な複数の回転子を備えたシフトレジスタが提供される。前記複数の回転子には一軸異方性が付与され、前記複数の回転子は、隣り合う２つの前記回転子毎に複数の対に組分けされており、同一の前記対に属する２つの前記回転子には、前記特徴方向を反平行とするような第１の力が作用し、隣り合う前記対に属する隣り合う２つの前記回転子には、前記第１の力よりも弱く、前記特徴方向を反平行とするような第２の力が作用する。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層１１１の一端には第１電極１２１、他端には第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、強磁性材料層１１１の少なくとも一部に接して、反強磁性材料から成る反強磁性領域１３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フリー層の磁化方向を反転させるのに必要な反転電流を低減しつつ、磁化方向を反転させた場合の抵抗の変化率を大きくした磁気記憶素子および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】スピン偏極した電子により磁化方向を反転させる磁気記憶素子であって、第１ピン層と、第１トンネル絶縁層と、第１フリー層との積層構造を含む第１単位磁気記憶素子と、第２ピン層と、第２トンネル絶縁層と、第２フリー層との積層構造を含む第２単位磁気記憶素子と、第１ピン層と第２ピン層を電気的に接続して、第１単位磁気記憶素子と第２単位磁気記憶素子とを直列に接続する接続電極とを含み、電子の移動方向に垂直な方向の第２単位磁気記憶素子の断面積が、第１単位磁気記憶素子の断面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリの大容量化と製法の提供。
【解決手段】第１の固定層Ｐｓ１と第１の記録層Ｆｓと前記第１の固定層及び前記第１の記録層の間に設けられた第１の非磁性層Ｔｓ１とを有し、前記第１の固定層及び前記第１の記録層の電流の向きに応じて磁化方向が平行状態又は反平行状態となる１重トンネル接合素子ＭＴＪｓと、第２及び第３の固定層Ｐｗ１，Ｐｗ２と第２の記録層Ｆｗと前記第２の固定層及び前記第２の記録層の間に設けられた第２の非磁性層Ｔｗ１と前記第３の固定層及び前記第２の記録層の間に設けられた第３の非磁性層Ｔｗ２とを有し、前記第２の固定層及び前記第２の記録層の間に流す電流の向きに応じて前記第２の固定層及び前記第２の記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる２重トンネル接合素子ＭＴＪｗと、互いに並列接続された前記１重トンネル接合素子及び前記２重トンネル接合素子を有するメモリセルＭＣ。 （もっと読む）

【課題】製造が容易でありマルチレベルの記録状態を実現できる磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ２は、セル１０の磁気抵抗素子領域２０の同一平面内に、磁気抵抗素子３０ａ，３０ｂを備え、磁気抵抗素子３０ａ，３０ｂは、形状磁気異方性が異なるために、外部磁界によって磁化が反転するときに外部磁界の大きさがそれぞれ異なり、磁気抵抗素子３０ａ，３０ｂの一方の磁化が反転することによって、セル１０中において生成される磁化状態に対して、セルの高抵抗状態と低抵抗状態の中間状態を割り当てたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 動作マージンの大きな磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。第１書き込み線４ａは、第１方向に沿って延び、第１方向に向かう電流のみが供給される。第２書き込み線４ｂは、第１方向に沿って延び、第１方向とは逆向きの第２方向に向かう電流のみが供給される。第３書き込み線３ａは、第１方向と直交する第３方向に沿って延びる。第１電極５４ａは、第１、第３書き込み線間に設けられる。第１プラグ５５ａは第１電極に接続され、第１書き込み線より第３方向に沿って下側に設けられる。第２電極５４ｂは、第２、第３書き込み線間に設けられる。第２プラグ５５ｂは、第２電極に接続され、第２書き込み線より第３方向に沿って上側に設けられる。磁気抵抗効果素子は、第１書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置、第２書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置に配置される。 （もっと読む）