【課題】低速階層及び高速階層を有するデータストレージシステムにおいて、階層間でデータを効率的に移行させる。
【解決手段】高速データストレージデバイス１０６のリザーブスペースを備えている。プロセッサ１０２は、メモリ１０４に記憶されたリザーブスペーステーブルを参照して、低速データストレージデバイス１０８に記憶されたデータへのアクセスが高頻度となることによりホットデータとなると、該データを高速データストレージデバイス１０６のリザーブスペースに移し、該ホットデータを高速データストレージデバイス１０６上に保持する。データ移行は、一方向性であることが多く、データは低速階層から高速階層へ移行し、通常動作中のオーバーヘッドを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ストレージアレイでミラー化されたキャッシュボリュームを用いることでドライブオーバーヘッドを軽減する方法及び／又は装置を提供する。
【解決手段】ドライブアレイを複数のハード・ディスク・ドライブと、ソリッドステートデバイスと、抽象化レイヤとしてのコントローラで構成する。ソリッドステートデバイスは、書き込みキャッシュ領域と読み出しキャッシュ領域とを含む。読み出しキャッシュ領域は、書き込みキャッシュ領域のミラーである。抽象化レイヤは、（ｉ）複数のＩＯ要求を受信し、（ｉｉ）複数のＩＯ要求を処理し、（ｉｉｉ）複数のＩＯ要求を書き込みキャッシュ領域と前記読み出しキャッシュ領域とにマップするように構成される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力動作が可能で、且つキャッシュヒット率が向上したキャッシュメモリと、その駆動方法を提供する。
【解決手段】キャッシュメモリが有するメモリセット内の１つのメモリセルに２つのデータ格納部（第１格納部、第２格納部）と、１つのデータ転送部を設ける構成とし、２つのデータ格納部間でデータ転送部を介してそれぞれのデータを移行できる構成とする。さらに、２つのデータ格納部のうち、いずれか１つのデータ格納部は、外部から入力されるデータを格納可能で、且つメモリセットに対に設けられる比較回路にデータを出力可能な構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＭＲＡＭバンクを仮想接地により分割する方法を提供する。
【解決手段】ＣＡＭバンクが、ＣＡＭドライバ回路を対応数だけ用意することなく、サブバンクを有する入力内の放電回路を選択的に活性化することにより、２個又はそれ以上のサブバンクに機能的に分割される。少なくとも１個の選択的に活性化されるスイッチング回路がサブバンクの放電回路内の各放電コンパレータの仮想接地ノードと回路接地との間に挿入される。スイッチング回路が非導通状態のときは、仮想接地ノードは回路接地より充分に高い電圧レベルに維持されてＣＡＭアクセス時間内に接続された整合ラインの放電を防止する。スイッチング回路が導通状態のときは、仮想接地ノードは回路接地に低下し、接続された整合ラインはコンパレータの非整合動作により放電される。アドレスビットから復号化により形成された制御信号がスイッチング回路に分配され、ＣＡＭサブバンクが選択される。 （もっと読む）

【課題】演算速度が遅い制御部を用いても、アクセス速度の低下を抑制することが可能な情報処理装置のキャッシュ制御方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、情報処理装置は、記憶装置と、揮発性メモリと、プロセッサとを具備する。記憶装置は、制御部と、第１の不揮発性記憶部と前記第１の不揮発性記憶部よりアクセス速度が速い第２の不揮発性記憶部とを有する。プロセッサは、前記揮発性メモリにロードされた、オペレーティングシステムとキャッシュドライバとを実行する。キャッシュドライバは前記第２の不揮発性記憶部の少なくとも一部の領域を第１の不揮発性記憶部のキャッシュとして用いる。 （もっと読む）

【課題】動作速度を低下させることなくシステムの信頼性を向上させることが可能なメモリシステムおよびその動作方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリシステム２は、ブロック（ページ）単位でデータのアクセスが行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１（第１の不揮発性メモリ）と、ワード単位でデータのランダムアクセスが行われるＮＶＲＡＭ２２（第２の不揮発性メモリ）と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１およびＮＶＲＡＭ２２の動作の制御を行うＮＶＭコントローラ２３（制御部）とを備えている。ＮＶＲＡＭ２２のデータに適用されるエラー訂正コードＥＣＣ２が、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１内に保持されている。ＮＶＲＡＭ２２に対するアクセス速度の低下が回避されつつ、このＮＶＲＡＭ２２におけるデータ保持特性が改善される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリに記憶されているデータを、高速アクセス可能な記憶装置にアクセス発生前に記憶し、効率的なアクセスを実行する。
【解決手段】実施形態に係るメモリ管理装置３は、履歴管理部１６、アドレス変換テーブル１３、アドレス管理部１７、先読みデータ管理部１８を含む。履歴管理部１６は、メインメモリ４として使用される不揮発性半導体メモリ６１〜６ｋに記憶されているデータに対するアクセス履歴を管理する。アドレス変換テーブル１３は、データについての論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを含む。アドレス管理部１７は、アドレス変換テーブル１３の第１の論理アドレスに対するアクセスの後にアクセスされる第２の論理アドレスをアクセス履歴に基づき決定し、第２の論理アドレスに対応する第２の物理アドレスを第１の論理アドレスに対応付けてアドレス変換テーブル１３に登録する。先読みデータ管理部１８は、第２の物理アドレスに対応するデータをバッファ１１に格納する。 （もっと読む）

【課題】取り外されたキャッシュ装置を再度取り付けた場合に、キャッシュ装置内のキャッシュデータを有効に用いること。
【解決手段】情報処理装置は、メモリと、取り外し要求検出手段と、設定手段と、無効化手段とを具備する。メモリには、キャッシュ装置に格納されているキャッシュデータを管理するための情報が記述されているキャッシュ管理情報が格納される。取り外し要求検出手段は、キャッシュ装置の取り外し要求を検出する。設定手段は、取り外し要求が検出された場合に、キャッシュとしてのキャッシュ装置の使用を中断するキャッシュ無しモードに設定する。無効化手段は、キャッシュ無しモードにおいて記憶装置に第１データを書き込む場合、キャッシュ管理情報内の第１データに対応する第１キャッシュデータに係わる情報を無効化する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般にハイブリッドメモリのためのシステム、方法及び装置に関する。一実施例では、ハイブリッドメモリは、パッケージ基板を有してもよい。ハイブリッドメモリはまた、パッケージ基板の第１サイドに付属されるハイブリッドメモリバッファチップを有してもよい。高速入出力（ＨＳＩＯ）ロジックは、プロセッサとのＨＳＩＯインタフェースをサポートする。ハイブリッドメモリはまた、ＨＳＩＯインタフェース上のパケット処理プロトコルをサポートするパケット処理ロジックを有する。さらに、ハイブリッドメモリはまた、ハイブリッドメモリバッファに垂直方向にスタックされる１以上のメモリタイルを有する。
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【課題】情報処理装置におけるデータのＨＤＤに対する記録再生処理を高速化する。これによる装置の大型化、システムの変更や不具合を伴うことなく実現する。
【解決手段】ＨＤＤに対して記録再生するデータのための、例えばフラッシュメモリによるキャッシュメモリをＨＤＤ側ではなく、ＯＤＤ側に設ける。ＨＤＤの交換があった際に、記録データのキャッシュとして用いては不具合がある場合には、再生データのキャッシュとしてのみ使用し、キャッシュメモリのデータとＨＤＤのデータの整合性がとれない場合には、キャッシュしたデータを無効とする。 （もっと読む）

フローデータを、限られたコストに対する伝送データ処理能力を変更することなく記憶するために、フローアウェアネットワークノード内でデータパケットを処理するための方法および装置が開示される。フローアウェアネットワークノード内でデータパケットを処理するための方法および装置には、高速アクセス内部メモリと、待ち時間は低レベルであるが包括的フローアウェアネスを提供する、アクセス速度がより遅い外部メモリの代替使用が含まれている。フローアウェアネットワークノード内でデータパケットを処理するためのこの方法は、当分野で知られているフローアウェアネットワークノードの高速アクセスメモリを大量に使用する必要性を克服するためにはとりわけ有用である。
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【課題】ストレージアレイ（又はコントローラ）は、コントローラキャッシュの使用を制限されている。ライトスルーキャッシュポリシーモードにおいて、入力／出力（ＩＯ）書き込み要求は、特定のハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の応答時間に依存しないストレージアレイを提供する。
【解決手段】ストレージアレイ１０６’をソリッドステートデバイス１１２’と抽象化レイヤ１１０を含んで構成する。ソリッドステートデバイスは、書き込みキャッシュ領域１１６と読み出しキャッシュ領域１１８とを含んでいても良い。読み出しキャッシュ領域は、書き込みキャッシュ領域のミラーであっても良い。抽象化レイヤは、（ｉ）複数のＩＯ要求を受信し、（ｉｉ）複数のＩＯ要求を処理し、（ｉｉｉ）複数のＩＯ要求を書き込みキャッシュ領域と読み出しキャッシュ領域とにマップするように構成されても良い。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリにおける局所的な書換回数の増大による劣化を防ぐメモリシステムを提供する。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、コントローラと、を備え、コントローラは、特定パターンのデータが第１の記憶部に書込まれたと判定された場合に、書込まれたデータに対応する第１の管理情報に、特定パターンであることを示す特定パターン識別情報を付し、第１の記憶部に書込まれたデータを第２の記憶部に追い出す場合に、データに特定パターン識別情報が付されている場合に、データを第２の記憶部に書込む処理を行わず、データに対応する第２の管理情報に、第２の記憶部で使用されない無効なアドレス値を設定する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ストレージ装置（高分子強誘電性メモリ装置）のメモリのセルが現在の状態に刻印(imprinted)または膠着されるのを防止するためのリフレッシュ・サイクルを発行するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】ホスト制御インターフェイス（ＨＣＩ）は、大容量ストレージに周期的なメモリ・リフレッシュ・サイクルを提供し、セルの状態が固定化されるのを防止する。時間に基づいたリフレッシュは、キャッシュ・ストレージ装置２０，２２，・・・，２４，２６中の高分子メモリ装置が現在の状態に「刻印される(imprinted)」または膠着されるのを防止する。ＨＣＩ１８は、電源投入時にすべてのアドレスを経由する最初のループを提供し、規則的な時間間隔で通常のアクセス時間の読み出しが後続し、電源オン中にセルが刻印されないことを保証する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性キャッシュの空き領域不足に起因する書き込み動作の遅れの発生を防止することが可能な情報記録装置を実現する。
【解決手段】コントローラ１６は、バッファ１４に格納されたライトデータをハードディスク１３に書き込むことを指示するホスト装置２０からのコマンドを受信した場合、不揮発性メモリ１５の空き容量が所定のデータサイズよりも少ないか否かを判別し、空き容量が所定のデータサイズよりも少ない場合には、不揮発性メモリ１５に格納されている所定のデータの内で、ハードディスク１３上に同一のデータが存在する同期データを削除して空き容量を増加させ、バッファ１４に格納されたライトデータを不揮発性メモリ１５にライトする。 （もっと読む）

【課題】キャッシュコヒーレンシを維持するため、データ記憶領域と、これに対応する情報記憶領域とに対するアクセスを同時に行うことができ、かつシステムにおけるメモリのオーバーヘッドを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】複数のビット線及びワード線の交点に配置された複数のメモリセルからなり、データを記憶する複数のビット単位の単位データ領域からなるデータ記憶領域と、単位データ領域各々に対応し、単位データ領域に記憶されるデータに関する情報を記憶する単位情報領域からなる情報記憶領域とからなるメモリセルアレイと、ワード線を選択するロウアドレスデコーダと、ビット線を選択するカラムアドレスデコーダと、カラムアドレスの一部または全てを用い、情報記憶領域におけるデータ単位領域に対応した単位情報領域のビット線を選択する情報記憶領域アドレス生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＮＶメモリに格納された保護したいプログラムを、オペランドアクセスに対しては読み出し不可としつつ、命令フェッチに対しては高速にアクセス可能とする。
【解決手段】リセット解除後、ＣＰＵコア３０からのアクセスに応じる前に、ＢＰモニタレジスタ１４はＦｌａｓｈモジュール２０の各ＢＰビット情報を保持している。ＲＡＭ転送処理部１２は、Ｆｌａｓｈモジュール２０内の保護対象ブロックのプログラムをＣＰＵコア３０からのアクセスに応じる前に読み出して、各ブロックと同一サイズのＰｒｏｔｅｃｔ−ＲＡＭ１１に転送する。Ｆｌａｓｈ ＩＦ１０は、ＣＰＵコア３０からの命令フェッチのアドレスとＢＰモニタレジスタ１４の値とを比較し、アクセス先が保護対象ブロックであるときには、セレクタ処理部１３はＰｒｏｔｅｃｔ−ＲＡＭ１１からの読み出しを選択して、読み出した保護対象ブロックのプログラムをＣＰＵコア３０に出力する。 （もっと読む）

【課題】ホスト計算機データを常置する媒体として不揮発メモリを搭載するストレージにおいて、常置領域のＩ／Ｏ処理に必要な一時領域を割り当てる不揮発メモリ容量を決定する。
【解決手段】当該ストレージが搭載するディスク装置や当該ストレージのストレージ仮想化機能により管理される外部のストレージ装置のディスク装置などのホスト計算機データ常置領域の容量やアクセス頻度などに応じて、常置領域全体に対して確保要な一時領域容量を算出し、当該容量の不揮発メモリを一時領域として定義し、ホスト計算機からのデータ入出力を処理する際に、ホスト計算機データを一時格納するために用いる。また、外部ストレージの増減設や不揮発メモリの増減設といった構成変更などのイベントに応じて、必要な不揮発メモリ一時領域容量を再算出し、必要に応じて、不揮発メモリ一時領域容量を増減するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】高速にページをスワップアウトでき、少ないメモリ容量で多くのアプリケーションを的確に使用することができる記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法を提供する。
【解決手段】コンピュータシステム１０は、ファイルをフラッシュメモリデバイス１７の仮想的なページアドレスたる論理ページアドレス上の特定アドレス範囲内に仮想的に格納する機能と、ファイルが常に消去ブロックの下詰の未使用ページに書き込みがなされるように、フラッシュメモリデバイス１７の物理ページアドレスを発生させる機能と、物理ページアドレスに従ってフラッシュメモリデバイス１７にファイルを格納するとともに、この論理ページアドレスと物理ページアドレスとの対応をルックアップテーブルに記録する機能と、を含む。 （もっと読む）