【課題】炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ ＮａｎｏＴｕｂｅ）薄膜を利用したＳＲＡＭを提供する。
【解決手段】少なくとも第１ＣＮＴトランジスタを備える第１ＣＮＴインバータと、少なくとも第２ＣＮＴトランジスタを備え、第１ＣＮＴインバータに連結された第２ＣＮＴインバータと、少なくとも第１ＣＮＴインバータに連結された第１スイッチングトランジスタと、少なくとも第２ＣＮＴインバータに連結された第２スイッチングトランジスタと、を備えるＳＲＡＭである。 （もっと読む）

【課題】予備メモリセルの使用を容易な構成とすることにより、効率的な歩留まり向上が可能なメモリを搭載した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】メモリセルと、予備メモリセルとを有するメモリセルアレイと、メモリセル及び予備メモリセルに接続されたデコーダと、デコーダと接続されたデータ保持回路と、データ保持回路に電力を供給するバッテリーとを設け、データ保持回路からの出力に応じて予備メモリセルを動作させる。 （もっと読む）