【課題】プログラムの誤動作の発生を抑制する。
【解決手段】動作制御部は、プログラムを実行するＣＰＵと、プログラムを格納するとともにプログラムの実行に伴って発生するデータを格納するメインメモリ５１２とを有している。メインメモリ５１２は、読み書き可能であって、電源を供給しなくても、記憶している情報を保持することが可能なＭＲＡＭ６１と、電源を供給しないと、記憶している情報を保持することができないＤＲＡＭ６２とを備えており、ＭＲＡＭ６１の一部領域にはプログラム等が格納されるＲＯＭ領域Ａ１が設けられ、ＭＲＡＭ６１の残りの領域およびＤＲＡＭ６２のすべての領域にはデータ等が格納されるＲＡＭ領域Ａ２が設けられる。ＣＰＵがリセットされると、ＲＯＭ領域Ａ１の記憶内容をそのままとする一方でＲＡＭ領域Ａ２の記憶内容を消去し、ＲＯＭ領域Ａ１から読み出したプログラムを実行する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの記憶領域に故障が発生しても、情報の蓄積に支障がないようにする。
【解決手段】イグニッションスイッチがＯＦＦになったことを契機として、不揮発性メモリに故障情報を書き込むときに、故障が発生していない記憶領域を選定し（Ｓ１）、記憶領域の全領域に消去データを書き込み（Ｓ２，Ｓ３）、消去データの確認により消去できたか否かを判定する（Ｓ４，Ｓ５）。記憶領域が消去できなかった場合、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む（Ｓ１６）。また、イグニッションスイッチがＯＮになったことを契機として、不揮発性メモリから故障情報を読み込むときに、チェックサムを利用して異常を検知し、故障が発生していない他の記憶領域に素子異常情報を書き込む。そして、素子異常情報を計数した計数値が所定の閾値以上である記憶領域は、故障が発生していると判定し、その使用を禁止する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに記録されたデータの信頼性を向上させることができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４，６は、ＮＡＮＤフラッシュメモリである。メモリコントローラ３は、ホストシステム１の要求に応じてメモリ４からデータ４５Ｍを読み出し、データ４５Ｍをホストシステム１へ出力する。メモリコントローラ５は、バックアップ用のメモリ６の各ブロックに格納されたデータを検査する。メモリコントローラ５は、メモリ６のページの中から検査対象のブロックを決定し、検査対象のブロックからデータ４５Ｃを読み出す。ＥＣＣ回路５１は、データ４５Ｃのエラーを検出する。データ４５Ｃからエラーが検出された場合、エラー訂正されたデータ４５Ｃが、検査対象のブロックに書き戻される。メモリコントローラ３は、所定の切り替え条件が満たされた場合、アクセス対象をメモリ４からメモリ６へ切り替える。 （もっと読む）

【課題】記録先のブロック中に順次データを記録していき、当該記録先のブロックがデータで満杯になると、次のブロックのデータを消去して新たな記録先のブロックとし、前回の記録先のブロックのデータのうち、一部の必要なデータを現在の記録先のブロックにコピーし、その後、現在の記録先のブロックに順次データを記録していくというフラッシュメモリの書き込み制御において、ブロックの故障に起因してブロック間のデータのコピー頻度が増大するのを防ぐ。
【解決手段】現在の記録先のブロックが満杯状態になって次のブロックの消去を試みたときに（ステップ１５０）、消去が失敗したか否かを判定し（ステップ１６０）、消去に失敗したと判定したことに基づいて、次のブロックが故障したと判定し、使用対象から除外する（ステップ１７５）。 （もっと読む）

【課題】製品寿命の長いメモリカード２を提供する。
【解決手段】実施形態のメモリカード２は、ＳＬＣ領域２２Ａと、ＭＬＣ領域２２Ｂと、を有するメモリ部２２と、ＭＬＣ領域２２Ｂに記憶されたデータの誤りを訂正する誤り訂正部２０と、誤り訂正部２０が誤りを検出したデータを記憶していた多値メモセルの位置情報をＳＬＣ領域２２Ａに記憶し前記位置情報にもとづき消失訂正を行う消失訂正部２１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】情報管理の信頼性を高めること。
【解決手段】記憶装置２は、データの書き込みが複数回可能な複数のブロックを有する第１の記憶領域２ａと、データの書き込みが１回だけ可能な第２の記憶領域２ｂとを有する。フラグ管理情報作成部１ｂは、第１の記憶領域２ａに記憶されているフラグに基づいて、記憶装置２のブロック毎にデータが記憶可能か否かを示す管理テーブル（フラグ管理情報）１ｂ１を作成する。管理情報制御部１ｃは、フラグ管理情報作成部１ｂにより作成された管理テーブル１ｂ１を第２の記憶領域２ｂに記憶させる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへのデータ書き込みの際に、代替ブロックの残量を的確に通知する。
【解決手段】メモリへのデータの書き込みを制御すると共に、代替ブロックの残量が記憶された閾値情報で指定される閾値以下になると通信手段により外部機器に通知する制御手段を備えた記憶装置において、制御手段は通信手段により外部機器から受信した閾値情報を用いて制御手段が通知のために使用する閾値情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】特に高いデータ保持信頼性が要求される読み出し専用のデータに対し、データ保持信頼性向上のためのリフレッシュ処理が適用された場合に、データ保持信頼性を維持する。
【解決手段】論理アドレスを複数の領域に分割し、分割された領域のデータに対しレベリング処理の適用を許可／禁止を示す領域指定テーブル１１２と、読み出し専用の物理ブロックのデータのリフレッシュ時に使用する物理ブロックのアドレスを登録した無劣化ブロックテーブル１１３と、アドレス変換テーブル１０９と、制御部１０８とＥＣＣ回路１０７を有する不揮発性記憶装置１０１において、レベリング処理を禁止する領域の読み出し時に、ＥＣＣ訂正ビット数が所定ビット数以上であることを検出した場合は、無劣化ブロックテーブルの物理ブロックを選択してデータをコピーするリフレッシュ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高優先書き込みの際のブロック並列度の低下を防止する。
【解決手段】通常優先度でフリーブロックを取得する際に、フリーブロック数が第１の閾値より多く存在するフリーブロック管理リストからフリーブロックを取得するよう動作する第１のフリーブロック選択部と、高優先度でフリーブロックを取得する際に、フリーブロック数が第１の閾値より多く存在するフリーブロック管理リストおよびフリーブロック数が第１の閾値より多く存在しないフリーブロック管理リストからフリーブロックを取得するよう動作する第２のフリーブロック選択部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのアクセス時間とＳＤＲＡＭのアクセス時間との整合を図り、大容量フラッシュメモリを含むメモリモジュールとコントローラを提供する。
【解決手段】フラッシュメモリと、ＳＤＲＡＭと、フラッシュメモリ及びＳＤＲＡＭの夫々のアクセスを制御し、外部からのストア命令に従って、ＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送するための制御回路とそれに結合された複数の入出力端子を含む。制御回路は、ストア命令に従ってＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送している間に、ＳＤＲＡＭからのデータ読出し命令が入力された場合において、そのデータ転送を中断し、読み出し命令に従ってＳＤＲＡＭに記憶されるデータを外部に出力するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに対してリアルタイムデータを記録する機器において、書き込みエラーが発生したときに、書き込みを継続するための手段が、ファイルシステムとは無関係な独自形式であるため、ファイルシステムによりデータを記録するシステムには適合できない。
【解決手段】複数のアクセスユニットで構成されるメモリを有する記録装置であって、前記メモリにデータをアクセスユニット単位で記録する記録手段と、前記記録手段で前記データを前記メモリに書き込んでいるときに、書き込みエラーを検出する書き込みエラー検出手段とを備え、前記記録手段は、前記書き込みエラー検出手段で書き込みエラーが検出されたときに、ファイルの書き込みを終了する。 （もっと読む）

【課題】電動パワーステアリング装置の安全性を向上させること。
【解決手段】ＣＰＵ１０１、ＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３は、電動パワーステアリング装置の制御に用いられる。ＲＡＭ１０３は、電動パワーステアリング装置の複数の機能の内の電動パワーステアリング装置の安全性に関する機能で使用される第１の領域と、複数の機能の内の電動パワーステアリング装置の安全性に関しない機能で使用される第２の領域と、に分割されている。ＣＰＵ１０１は、第１の領域及び第２の領域を領域毎に診断する。 （もっと読む）

【課題】データ書き換え回数を増加させると共に、フラッシュメモリを有効活用する。
【解決手段】フラッシュメモリ制御装置は、演算部と、フラッシュメモリとを具備している。フラッシュメモリは、複数の領域ＤＡ１〜ＤＡ３、ＰＡ１〜ＰＡ３を有している。複数の領域ＤＡ１〜ＤＡ３、ＰＡ１〜ＰＡ３は、演算部により実行されるプログラムが格納され、データの書き換えが行われないプログラム領域ＰＡ１〜ＰＡ３と、データが格納され、データの書き換えが行われるデータ領域ＤＡ１〜ＤＡ３とを含んでいる。演算部は、データ領域ＤＡ３／ＤＡ１／ＤＡ２として割り当てられた第１領域に対して、データが書き込まれた累積回数が最大書き換え回数に達したときに、入れ替え処理を実行する。入れ替え処理では、第１領域と、プログラム領域ＰＡ３／ＰＡ２／ＰＡ１として割り当てられた第２領域とを入れ替える。 （もっと読む）

【課題】代替ブロックを有する記録媒体において、ファイルシステム情報の正常な更新をより確実に行えるようにする。
【解決手段】記録装置は、不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対し、所定のファイルシステムに従ってデータをファイルとして記録するとともに、前記ファイルを管理するためのファイルシステム情報を記録する。記録媒体に記録されたデータは所定のファイルシステムに従って管理される。記録装置は、ファイルシステム情報を更新するのに必要なデータサイズに基づいて閾値を設定し、記録媒体における代替ブロックの残量が閾値以下の場合に当該記録媒体に対するデータの記録を禁止する。上記閾値は、前記ファイルシステム情報を更新するのに必要なデータサイズ以上の代替ブロックの残量が確保されるように設定される。 （もっと読む）

【課題】データを効率的に冗長化し、システムの安定化を図ることが可能な情報処理装置、メモリ管理方法、およびメモリ管理プログラムを提供する。
【解決手段】情報処理装置は、データを記憶するための記憶装置を用いる。情報処理装置は、記憶装置よりも高速にアクセス可能であり、複数の記憶領域を論理的に設けることが可能なメモリ１０２と、メモリ１０２を管理するためのメモリ管理部１５１とを備える。メモリ管理部１５１は、複数の記憶領域の中で使用状態が遷移する対象記憶領域が、記憶装置に対象記憶領域のデータのコピーが格納される第１の使用状態へ遷移するか記憶装置に対象記憶領域のデータのコピーが格納されない第２の使用状態へ遷移するかに基づいて、対象記憶領域に他の記憶領域を冗長記憶領域として割り当てて対象記憶領域のデータのコピーを格納するか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】代替ブロックを有する記録媒体において、正常なデータ記録をより確実に行えるようにする。
【解決手段】所定数のバイトからなるブロックを単位としてデータの書き込みが可能なフラッシュメモリを有し、全ブロックのうちの一部を正常なデータの書き込みができなくなった不良ブロックの代替ブロックとして用いる機能を有する記録媒体のためのデータ記録装置は、所定数のブロックに対応するデータ量を書き込み単位として、データファイルの一部としてデータを記録媒体へ送信する。そして、次に送信されるデータの全てが代替ブロックに記録された場合にファイルシステムがデータファイルを管理するための管理情報の記録に必要なブロック数の代替ブロックを確保できなくなると判定されると、以降のデータの書き込みを禁止し、管理情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】揮発性メモリからアドレステーブルが消失された場合であっても、予備ブロックに対してデータのアクセスを行うことができる記憶装置を提供すること。
【解決手段】データブロック領域と予備ブロック領域とを備える不揮発性メモリ４４ｂと、不良ブロックの先頭アドレスと当該不良ブロックを代替する予備ブロックの先頭アドレスとを対応させて構成されるアドレス対を記憶する揮発性メモリ４４ａと、アドレス対を参照することによって不良ブロックに代替された予備ブロックにアクセスする制御部４５と、を備える。制御部４５は、揮発性メモリ４４ａからアドレス対が消失している場合、予備ブロック領域へアクセスし、予備ブロックの先頭アドレスと当該予備ブロックに記憶されている不良ブロックの先頭アドレスを読み出し、予備ブロックの先頭アドレスと不良ブロックの先頭アドレスのアドレス対を生成し、生成したアドレス対を揮発性メモリ４４ａに記憶する。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションプログラムがバッドブロックを意識せずにデータの書き込みや読み出しを効率的に行うことができる電子機器を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリ４４ｂと、不揮発性メモリ４４ｂの所定のブロックに対してアクセスを行う複数のアクセス制御部４５ａと、不良ブロックの先頭アドレスと、当該不良ブロックを代替する正常なブロックの先頭アドレスとが対応付けて構成されるアドレス対を記憶する揮発性メモリ４４ａと、複数のアクセス制御部４５ａのいずれかによって所定のアドレスが指定されて不揮発性メモリ４４ｂの所定のブロックに対してアクセスが行われたときに、当該ブロックが不良ブロックであった場合、アドレス対を参照して当該ブロックに代替する正常なブロックのアドレスを取得し、取得した当該アドレスが付されているブロックにアクセスを実行するアクセス実行部４５ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】予備メモリ切替とページ閉塞とを効率的に連動させてシステムダウンを防止するメモリ障害処理システムを提供すること。
【解決手段】メモリチップ２１および予備メモリチップ２２を有するメモリ装置２と、メモリチップ２１の障害の発生回数総和をカウントする発生回数総和カウント部３１と、発生回数総和が総和閾値を超えると故障したメモリチップ２１を予備メモリチップ２２に切り替える予備メモリチップ切替部３２と、切替後の障害の発生回数をキャッシュライン単位でカウントするキャッシュライン単位カウント部３３と、切替後の発生回数総和が総和閾値を超える前にキャッシュライン単位発生回数がキャッシュライン単位閾値を超えるとメモリページを閉塞し、キャッシュライン単位発生回数がキャッシュライン単位閾値を超える前に切替後の発生回数総和が総和閾値を超えた以降は障害発生毎にメモリページを閉塞するページ閉塞部３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】冗長系を持ちつつ、なお、データ転送速度の要求と書換回数に抗した信頼性の維持が可能とする。
【解決手段】複数のバス（バス０〜３）の各々に接続される複数の不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）で構成される系をＡ系とＢ系の両方の系を有し、Ａ系の不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）が接続されるバス（バス０〜３）が異なるとＢ系の不揮発性半導体素子が接続されるバス（バス４〜７）が異なるように対応づけ、書込要求或いは読出要求に対して、同じバスに接続された不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）が続けて選択されないようにＡ系とＢ系の一方の系における不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）を選択し、選択された不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）に対して前記対応付けに基づいて他方の系における不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）を選択する。 （もっと読む）