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Fターム[5B018LA06]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 電源 (239) | 瞬断対策 (49)

Fターム[5B018LA06]に分類される特許

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【課題】電源瞬断に対して僅かな時間でアドレス変換テーブルの再構築が可能な記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法を提供する。
【解決手段】制御部22は、コマンドに応じてユーザーデータの書き込みが実施される際、ユーザーデータをフラッシュメモリデバイス29内の適当な空き領域に、ページ単位で格納しその際入力アドレスに基づく論理ページアドレスとフラッシュメモリデバイス上の格納先ページアドレスとの対応を、アドレス変換テーブル32に記録し、各ページの予備領域に対応する論理ページアドレスを特定するための情報を格納し、記憶装置を起動する際、少なくとも直近のテーブル保存以降にユーザーデータの書き込みが行われたページ群を検出し、このページ群の予備領域を検査し、テーブル保存以降のテーブル更新状態を再生することでテーブルを再構築する。 (もっと読む)


【課題】不必要にデータ書き込み処理の速度を低下させることなく、簡単な構成(低コスト)で電源遮断対策のできるメモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システムを提供すること。
【解決手段】アクセス装置に、ロック機構など、カードが電源遮断対策に対応した機構があるかないかを入力する電源遮断対策情報入力手段301を備える。書き込みコマンドに先立ち、アクセス装置から不揮発性記憶装置100に電源遮断対策の要否を通知する。これにより、電源遮断対策を具備せず高速に記録を行うことが可能な第1の不揮発性メモリ制御手段303を用いてデータの書き込みを行うか、電源遮断対策を具備した第2の不揮発性メモリ制御手段304を用いてデータの書き込みを行うかを切り替える。 (もっと読む)


【課題】休止状態でバッテリが取り外された場合および休止状態でバッテリが取り外されなかった場合のそれぞれにおいて、より迅速に起動する。
【解決手段】ミドルウェア63は、サスペンド状態に遷移するとき、インデックスのサムネイル画像を表示させるためのデータを格納しているファイルのそのデータを、ファイルを閉じることなくNAND型フラッシュメモリに書き込ませる。アプリケーションプログラム62は、サスペンド状態またはハイバネーションに遷移するとき、撮影した画像のデータを格納するファイルを閉じることでそのファイルを記憶媒体に書き込ませる。本発明は、デジタルスチルカメラに適用できる。 (もっと読む)


【課題】セルフシャット処理中にバックアップデータをフラッシュメモリに書き込む電子制御装置において、バックアップデータの書き込みを極力行わせつつ、電源スイッチのオンに対応する定常処理の再開が過剰に遅延されてしまうことを防止する。
【解決手段】電源スイッチがオフされると、定常処理を停止させ、バックアップデータのフラッシュメモリへの書き込みを行わせる。バックアップデータの書き込み中に電源スイッチがオンされると、電源スイッチのオンから所定時間T1は、バックアップデータの書き込みの継続を許容し、所定時間T1が経過した時点でバックアップデータの書き込みが終了していない場合には、書き込みを中断させて定常処理を開始させる。 (もっと読む)


【課題】電池不使用、ランダムなライトアクセス可能、実用上の書込回数制限無し、ビット単価が安価といった条件を満たす不揮発メモリシステムおよび不揮発メモリ制御方法を提供する。
【解決手段】NOR型のフラッシュメモリからなる第1不揮発メモリ11と、第1不揮発メモリ11に記憶されるデータの一部を記憶するためのランダムアクセス可能な第2不揮発メモリ12(たとえばFeRAMで構成)とを設け、制御部14は、外部からデータのライト命令を受けたとき、そのライトアドレスに対応する前記第1不揮発メモリ11内の領域にライトデータと同一データが記憶されていないことを条件に、ライトデータをライトアドレスに関連付けて第2不揮発メモリ12へ書き込むと共に、所定の起動条件の成立時に第2不揮発メモリ12内のデータをセクタ単位に第1不揮発メモリ11へ書き移す整合処理を行う。 (もっと読む)


【課題】DRAMを用いたシステムにおいて、意図しないシステムリセットや電源切断などが発生した際に、すでにDRAM内にあるデータだけでなく、DRAMを用いたシステムにおいて設定されているレジスタ値も保持し、DRAMを用いたシステムを出来るだけ短い時間で元の状態に復旧させることが可能な、メモリ制御装置を提供すること。
【解決手段】リセット要因発生時にシステムリセットを生成するリセット生成部9と、レジスタ1とDRAM16との間で、レジスタ1に記憶されている設定値の転送を制御するレジスタ転送制御部5と、を備え、レジスタ転送制御部5は、リセット生成部9によりシステムリセットが生成されたことを通知されると、DRAM16にレジスタ1の設定値を転送し、システムリセットが行われた後に、レジスタ1の設定値を、DRAM16から再びレジスタ1に転送する。 (もっと読む)


【課題】消去及び書き込み処理中に動作電源が遮断されても記憶情報が不所望に消失しないメモリカードを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ(2)は、そのメモリ領域の物理アドレス毎に空き情報フラグを対応付けた消去テーブル(20)と、論理アドレス毎にメモリ領域の物理アドレスを対応付けたアドレス変換テーブル(21)とを有し、空き情報フラグは対応メモリ領域が消去許可か否かを示す。制御回路(5)は、消去テーブルの空き情報フラグを参照して書き換えデータを書き込むメモリ領域を決定し、データを書き込んだメモリ領域の物理アドレスと論理アドレスとを対応をアドレス変換テーブルに反映し、消去テーブルの空き情報フラグを更新する。書き換えデータを書き込むメモリ領域は消去テーブルの空き情報フラグを参照して決定し、書き換え前のメモリ領域と同じメモリ領域で書き換えを行わない。 (もっと読む)


【課題】揮発性のキャッシュメモリのバックアップに必要なバッテリーの容量を削減する。ストレージシステムに備えた不揮発性メモリの劣化を抑える。
【解決手段】ストレージシステムに、揮発性のキャッシュメモリの他に、給電の有無に関わらずデータを記憶し続けることが可能なタイプのメモリである不揮発性メモリを備える。上位装置からのアクセスコマンドに従うデータの一時格納先は、揮発性キャッシュメモリとする。一次電源から揮発性キャッシュメモリへの給電が無くなった場合に、バッテリーからの給電により、揮発性キャッシュメモリに記憶されているデータを不揮発性メモリにコピーする。 (もっと読む)


【課題】 フラッシュメモリのデータを書き換える際の信頼性を向上させること。フラッシュメモリの消去回数を削減することにより、劣化を低減する。
【解決手段】 フラッシュメモリ101と、フラッシュメモリ101の消去単位のデータを記憶する消去ブロックバッファ103と消去単位番号を記憶する消去単位番号保持領域202と書き込み禁止フラグ領域603を有する不揮発性メモリ102と、フラッシュメモリへの書き込み要求データを消去ブロックバッファ103に書き込む書き込み制御手段111と、消去ブロックバッファのデータをフラッシュメモリ101に書き込む書き込み手段302と、書き込み禁止フラグ領域603に書き込み許可を意味する値を書き込む書き込み許可指示手段612と、書き込み禁止フラグ領域603に書き込み禁止を意味する値を書き込む書き込み禁止指示手段613とを備える (もっと読む)


【課題】電源オフ時に揮発メモリから不揮発メモリへより多くのデータを退避させることのできる情報処理装置を提供する。
【解決手段】電源電圧が、瞬断判別閾値以下のとき瞬断検知信号PSを出力し、電源電圧が瞬断判別閾値より低い停電判別閾値以下のとき停電検知信号PDを出力する瞬断/停電検知回路32を設ける。プロセッサ11は、瞬断検知信号PSを検知したとき、システムメモリ14から不揮発メモリ16へのデータ退避を開始し、その後、停電検知信号PDを検知した場合は、データ退避を継続すると共に、装置のシャットダウン処理を行なう。 (もっと読む)


【課題】 仮想的なセクタ消去の最中に電源が切れてしまっても、差分のデータが損なわれることのない記録方式を提供する。
【解決手段】 複数のブロック化された記録単位領域を有する不揮発記録媒体に対し、その各記録単位領域に連続的な書込み動作を行い、かつ記録単位領域毎に一括消去動作を行うようにした記録方式であって、新たにファイルを上書き保存する際に、記録単位領域の既に書き込まれた既存ファイル直後の空き領域から書込み動作を開始するとともに、かかる書込み動作終了するまでの間、記録単位領域に書き込まれている上書きファイル対応のファイルを保持するようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】記憶領域を過分に増加させることを抑制しつつ、しかも書き込み異常が生じた場合にデータ修復を可能とする。
【解決手段】CPUからの読み出し要求に応じて、前回のカウンタ値CN(01111111)がカウンタ値RAMCNとしてRAM上に読み出される(段階[1])。次に、カウンタ値RAMCNに対して加算演算(+3演算)が行われる(段階[2])。その後、加算演算後のカウンタ値RAMCN(10000010)がEEPROMのサブ保存領域にカウンタ値CPCNとして書き込まれ(段階[3])、次に、加算演算後のカウンタ値RAMCNについて所定ビット位置の値がエラー判定ビットERRに書き込まれる(段階[4])。さらに、加算演算後のカウンタ値RAMCN(10000010)がEEPROMのメイン保存領域にカウンタ値CNとして書き込まれる(段階[5])。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電源の瞬断に対して、メモリ内のデータ保護を適切に行うことができる、データ保持装置の提供を目的とする。
【解決手段】所定のデータを保持するRAM25を有するデータ保持装置であって、RAM25の電源30の電源電圧を検出するとともにその電源電圧の変動速度を検出し、所定速度以上の電源30の電源電圧の変動速度が検出されるとともに電源30の電源電圧が所定電圧以下の場合には電源30とその電源30から電力供給を受ける所定の電気負荷70との間の電力供給経路をトランジスタTr2によって遮断することを特徴とする、データ保持装置。 (もっと読む)


【課題】ブロック単位に書き込みが行われる不揮発性メモリに対する差分ファイルによるソフト更新に適したメモリ管理方法およびこれを用いた携帯端末装置を提供する。
【解決手段】 ブロック単位に書き込みが行われる不揮発性メモリの複数のブロックを、管理情報を格納する少なくとも1個のブロックからなる管理領域と、プログラムコードを書き込む複数のブロックのコード領域と、不良ブロックを代替する複数のブロックからなる代替領域と、前記管理領域と前記代替領域との間に設けられる少なくとも1個のブロックからなる干渉領域とに割り当てる。管理領域内の管理情報として、少なくとも、代替先の不良ブロックと代替領域のブロックとの対応情報を記憶する。不良ブロックの利用時に、前記対応情報に基づいて不良ブロックに代えて代替領域のブロックを用いる。 (もっと読む)


【課題】データ書き込み中の電源断でもデータの一貫性を維持できるメモリ管理を行うにあたり、処理を単純化することの可能な、集積回路チップ、データ読み出し方法、およびデータ書き込み方法を提供する。
【解決手段】データの書き換えが可能でありデータを二重化して記憶するメモリを備えた集積回路チップであって、前記メモリは、ページ単位でのデータ消去が不要で、バイト単位でのデータ書き換えが可能な不揮発性メモリであることを特徴とする。消去が不要で、バイト単位での直接書き換えが可能なNVM、例えばFeRAMなどを利用するので、RAMへのコピーが不要となり、データ更新時は二重化されたデータの無効面を更新し、最後に有効面と無効面を切り替えるといった単純な処理に置き換えることが可能である。また、データ構造からセグメントテーブルを削除することが可能である。 (もっと読む)


【課題】記憶された情報の正否について信頼性に優れる判定機能を備えた記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複合機は、ASIC10、SDRAM20、電源回路40、バックアップ電源80、バックアップ電源監視用IC60などから構成される。電源回路40は図示しない電源コードを介して供給された主電源からの交流電圧を整流した後、所定の低い直流電圧に降圧して各装置に供給するためのものである。バックアップ電源80は、主電源を通じての電力供給が断たれたときに、SDRAM20に電源電圧を供給する。本実施形態では、バックアップ電源監視用ICを用いて、バックアップ電源80の電源電圧の変動を監視し、これに基づいて、バックアップ中の記憶情報の正否を判断することとした。電源電圧の変動は、SDRAM20ついて不具合(記憶不良)を生じさせる根本原因となるものであるので、これに基づいて記憶されたデータの正否を判定してやれば、必然的に信頼性の高い判定結果が得られる。 (もっと読む)


【課題】揮発性記憶デバイス及びそれを有するシリアルミックス記憶システムを提供すること。
【解決手段】このシステムは、アクセスコントローラ、データ伝送インターフェース、揮発性記憶モジュール、電源モジュール、拡張インターフェース、及び不揮発性記憶モジュールを備える。揮発性記憶モジュール及び不揮発性記憶モジュールは、拡張インターフェースを介して直列に接続される。揮発性記憶モジュール及び不揮発性記憶モジュールを使用してアクセスコントローラの制御下でデータを記憶することができる。更に、揮発性記憶モジュールに記憶されたデータを維持、又はそのデータを不揮発性記憶モジュールに転送し、それによって電力の遮断により引き起こされるデータ喪失を回避するために、電源モジュールは蓄積された電力をアクセスコントローラ、揮発性記憶モジュール、及び不揮発性記憶モジュールに供給できる。 (もっと読む)


【課題】多値フラッシュメモリを用いた不揮発性記憶装置において、データの書き込み途中で電源遮断が起こると、書き込み中のデータ以外のデータも破壊されるという問題がある。
【解決手段】物理ブロックPB5に2値モード書き込みで2値データを書き込む。既に集約処理がなされた書き込み完結ブロックPB4の多値データに、PB5の2値データを集約し、新たな別の物理ブロックPB6には多値データとして書き込む。PB4のデータと同じ論理ページ番号でPB5に書かれたデータはPB4のデータと置き換えて、そうでないデータはPB4のデータのままでPB6に書き込む。 (もっと読む)


【課題】電源切断後の不揮発性の記録媒体への情報記録を確実に行うことのできる情報記録装置を提供する。
【解決手段】電源切断後の不揮発性の記録媒体への情報記録を確実に行うため、電源供給部と、不揮発性記録部と、電源供給部からの電力供給を受けて不揮発性記録部への情報の記録を行う制御部と、を具備し、制御部が、電源供給部が供給する電力を監視し、当該電力が予め定めた記録限界のしきい値を下回るまで、情報の記録を実行する情報記録装置である。 (もっと読む)


【課題】論理・物理マッピング手法を用いてフラッシュメモリのアクセス時に性能低下を最小限に抑える方法、フラッシュメモリに論理・物理マッピングに関する情報を効率よく格納し管理する方法及びそれらの方法を用いたフラッシュメモリを提供する。
【解決手段】書き込みたいデータの最も最近に書き込まれた論理ページ番号を有する物理ページに書き込みたいデータとオフセットが一致するセクターが空いているかどうかを判断するステップと、判断の結果、オフセットが一致するセクターが空いていると、物理ページのオフセットが一致するセクターにデータを書き込むステップと、判断の結果、オフセットが一致するセクターが空いていないと、空いているた物理ページを選択し、データとオフセットが一致するセクターにデータを書き込み、選択された空いた物理ページにデータに対する論理ページ番号を書き込むステップとを含む。 (もっと読む)


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