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Fターム[5B018QA06]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 時期 (2,030) | 稼働時 (637) | 電源回復時 (67)

Fターム[5B018QA06]に分類される特許

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【課題】省エネ復帰時間を短縮しながらハングアップすることなく確実に復帰させることを目的とする。
【解決手段】省エネモード中の電源を監視して(100)、閾値以上の電圧が検出された場合には、省エネ復帰から通常復帰に切り換えて、メモリに記憶された展開情報を利用せずに、メモリを初期化して新たに情報を展開して復帰する通常復帰が行われるように制御し(104〜112)、閾値以上の電圧が検出されない場合にはメモリに記憶された展開情報を利用する省エネ復帰が行われるように制御する(104)。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリへの書き込み途中で電源がオフとなったことで発生したSUM値不一致の現象と、EEPROMデバイスやハードウェアの異常によりEEPROMのデータの信頼性が欠如した状態を明確に切り分けて判断することができるフィールド機器を実現する。
【解決手段】フィールド機器のCPUがアクセスするデータを保存するための不揮発性メモリが、サブブロックで構成され、前記CPUが各サブブロックに前記データを保存した際にデータのSUM値を前記不揮発性メモリに保持させるフィールド機器において、
前記不揮発性メモリは、前記サブブロックに対応して2個のSUM値を保持する領域を有し、
前記CPUは、前記サブブロックに変更データを保存する際に、1つ目のSUM値を更新した後に前記変更データを前記サブブロックに書き込み、さらに2つ目のSUM値を更新する。 (もっと読む)


【課題】より少ないステータス情報領域で、ステータス異常に対応することができる不揮発性半導体記憶装置およびメモリ管理方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリに対し、メモリセルブロック単位での一括消去処理、予め定められたアドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、メモリセルブロック単位で、データ更新元メモリセルブロックからデータ更新先メモリセルブロックへ予め定められたデータを転送するデータ更新処理の制御を行うメモリ制御部と、を備え、複数のメモリセルブロックは、それぞれ、該メモリセルブロックの使用状態に関する情報を含むステータス情報を記憶するためのステータス情報記憶領域と、該メモリセルブロックのデータ更新処理における更新履歴を含む更新履歴情報を記憶する更新履歴情報記憶領域と、を備え、ステータス情報および更新履歴情報に基づいて、現在使用中のメモリセルブロックを特定する。 (もっと読む)


【課題】電源の遮断時/起動時におけるレジスタデータの退避/復帰を簡易な構成で実現し、通常時のパフォーマンスが低下しないデータ処理装置を提供する。
【解決手段】CPU101、揮発性RAM102、不揮発性FeRAM103、ROM104、CPU101のアクセス対象を選択する選択器105を有する。選択器105は、通常動作時においてはRAM102を選択し、データ処理装置100の電源遮断処理が開始され、且つHALT可能な状態に移行した段階で、FeRAM103を選択する。これにより、電源遮断時において、CPU101が保持しているレジスタ111のデータをFeRAM103に記録できるようにする。また選択器105は、データ処理装置100の電源起動処理が開始され、且つFeRAM103に記録されているレジスタデータをCPU101が読み出してレジスタ111に格納した段階で、RAM102を選択する。 (もっと読む)


【課題】電源が供給された際に復元すべきデータを保存する際の負担を軽減することができる、電気機器を提供することを、目的とする。
【解決手段】不揮発性メモリ34に記憶されている復元すべきデータと、揮発性メモリ18に記憶されている復元すべきデータとを直接比較せずに、不揮発性メモリ34に記憶されている復元すべきデータについての現状チェックデータと、揮発性メモリ18に記憶されている復元すべきデータについての確認チェックデータとを比較して、不揮発性メモリ34に記憶されている復元すべきデータと、揮発性メモリ18に記憶されている復元すべきデータとが一致するか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】セクターが形成される不揮発性メモリーにおいて、セクターの使用効率を向上する。
【解決手段】フラッシュメモリー28の記憶領域に、複数のセクターを形成し、これら複数のセクターに、バンク単位で巡回的にデータを書き込み、複数のセクターうち1のセクターに対してバンクを書き込む際に、書き込みエラーが発生した場合、1のセクターに既に正常に書き込みが終了しているバンクを他のセクターにコピーし、新たなバンクの書き込みは、他のセクターに対して行うようにした。 (もっと読む)


【課題】NAND型フラッシュメモリをブートデバイス用として使用しながら、ソフトの起動が遅れてしまうことがない車両用ナビゲーション装置を提供する。
【解決手段】リセットシーケン3は、バックアップ電源からの給電により起動した場合は、電源スイッチ2をオンすることによりSDカード7に給電し、アクセサリオン信号を受信した場合はCPU5に給電して起動する。起動したCPU5は、リセットシーケンサ3のBUフラグ3bがオフしていたときはSDカード7にアクセスするのを待機する待機処理を実行してからBUフラグ3bをオンすると共にSDカード7からIPLを読取るブート処理を実行し、BUフラグ3bがオンしていたときは待機処理を実行することなくブート処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】ダンプ終了後、システムの再起動なしにメモリを再度二重化する
【解決手段】書込み制御部11は、ダンプフラグ16を参照しダンプの必要があることを確認し、初期化制御部14に対してマスターメモリ2のみ初期化するよう制御する。ダンプフラグが「1」の間は、書込み制御部11、読出し制御部12はマスターメモリ2のみにアクセスするよう制御する。マスターメモリ2の初期化が終了したら、初期化完了のステータスを返信し、OSを起動する。OSの動作中、スレーブメモリ3に対して、メモリダンプの書込み処理を行う。ダンプ書込み制御部17によりスレーブメモリ3のデータを読出し、ディスク4へ書き込む処理を行う。書込みが終了したら、書込み制御部11によりスレーブメモリ3の初期化を行う。また、初期化の終了によりミラー化制御部13によりマスターメモリ2とスレーブメモリ3をミラー化構成にする。 (もっと読む)


【課題】揮発性メモリからアドレステーブルが消失された場合であっても、予備ブロックに対してデータのアクセスを行うことができる記憶装置を提供すること。
【解決手段】データブロック領域と予備ブロック領域とを備える不揮発性メモリ44bと、不良ブロックの先頭アドレスと当該不良ブロックを代替する予備ブロックの先頭アドレスとを対応させて構成されるアドレス対を記憶する揮発性メモリ44aと、アドレス対を参照することによって不良ブロックに代替された予備ブロックにアクセスする制御部45と、を備える。制御部45は、揮発性メモリ44aからアドレス対が消失している場合、予備ブロック領域へアクセスし、予備ブロックの先頭アドレスと当該予備ブロックに記憶されている不良ブロックの先頭アドレスを読み出し、予備ブロックの先頭アドレスと不良ブロックの先頭アドレスのアドレス対を生成し、生成したアドレス対を揮発性メモリ44aに記憶する。 (もっと読む)


【課題】大容量の平準化管理情報を短時間のうちに不揮発性メモリに退避させることを可能にする。
【解決手段】平準化管理情報記憶部13は、レーン接続バス30を介して8つのレーン21それぞれに含まれるバッファ記憶制御部22のBM220に接続され、各レーン21には、バッファ記憶制御部22とNVMチップ23とを接続するチップ接続バス24が設けられている。各レーン21のバッファ記憶制御部22は、平準化管理情報退避・回復処理部14の指示のもとに、平準化管理情報記憶部13から転送される退避データを、チップ接続バス24を介して、互いに独立に並行してNVMチップ23へ転送する。その退避データの中には、平準化管理情報だけでなく、その平準化管理が平準化管理情報記憶部13に記憶されていたときの先頭アドレスが含まれている。 (もっと読む)


【課題】データチェックによりエラーとなったメモリ領域に対して、不揮発性メモリの故障によるエラーなのか、電源の瞬断等により偶然生じたエラーなのか判別することが可能な電子制御装置を提供する。
【解決手段】中央演算処理装置10は、第2の不揮発性メモリ13の領域から制御データを読み出す場合、この制御データを読み出す領域の1つ前の領域のステータスデータを参照して、正常に記憶がされていないと判定したとき、1つ前の領域の故障履歴を参照して、故障の可能性があると判定したとき第2の不揮発性メモリ13が故障したと判定し、故障の可能性がないと判定したとき1つ前の領域の故障履歴に故障の可能性があることを書き込む。 (もっと読む)


【課題】データの消去動作中に電源供給が遮断された場合でも、メモリブロックのデータの消去が正常に行われたか否かの判定を正しく行うことができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリブロックと異なる消去単位であり、記憶されたデータを消去するメモリブロックのアドレス値を表すアドレス情報と、該メモリブロックの消去動作の状態を表すフラグ情報とを関連付けて記憶する情報格納手段と、メモリブロックに対して消去動作を行う前に、消去動作を行うメモリブロックのアドレス値をアドレス情報に設定するとともに、該アドレス値に関連付けられたフラグ情報に第1の値を設定し、メモリブロックに対する消去動作が完了した後に、該メモリブロックのアドレス値に関連付けられたフラグ情報に第1の値と異なる第2の値を設定する設定手段と、フラグ情報に基づいて、メモリブロックの消去動作が正常に完了したか否かを判定する判定手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリの領域を効率良く使用し、使用領域を小さくして、コストおよび実装面積を低減するデータ処理装置およびデータ処理方法を提供すること。
【解決手段】データ処理プログラムを書き換え可能であるとともに、このデータ処理プログラムによって用いられるデータを、一方の領域と他方の領域に2重に記憶する記憶手段40を有するデータ処理装置100において、データ処理プログラムの書き換え前後で、記憶手段40の一方の領域と他方の領域とを切り換える制御手段110を備えたことを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】ユーザに制御結果を誤解させない学習制御の技術を提供する。
【解決手段】車両の電源から導かれる第1系統より電力の供給を受け、不揮発性の第1記憶部にデータを書き込むデータ書込装置は、書込要求に応答して、電源から導かれる第2系統より電力の供給を受け、データを記憶可能な第2記憶部に記憶された書き込みの対象データを、第1記憶部に書き込み、主電源からの電力供給が停止した後に開始する際は所定の初期表示を行う表示装置に、第1記憶部へのデータの書込結果を表示させ、第1記憶部に書込む際に、第1系統からの電力供給が停止された後に開始された場合は、第2記憶部に記憶された対象データを第1記憶部に書き込む第2書込手段は、書込要求を制御手段から受け付けたときに有効化し、書込要求をユーザから受け付けたときに有効化しない。このため、ユーザに制御結果を誤解させない学習制御を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減する。
【解決手段】情報処理装置は、部分的に電源の投入及び切断が可能である部分領域に区分けされており、電源の切断によって記憶されたデータが消失する第1の記憶部と、電源が切断されても記憶されたデータを保持する第2の記憶部と、起動されているタスクに関する使用データであって、第1の記憶部に記憶されている断片化された使用データを再配置する再配置部と、再配置の結果、部分領域の一部に使用データが記憶されており、該部分領域の一部に記憶されている使用データと同一のデータが第2の記憶部に記憶されている場合には、該部分領域の電源を切断する処理部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】バッファメモリのライトデータを、複数の不揮発性メモリデバイスを並列にアクセスして書き込む記憶装置に関し、電源遮断時のデータ消失を防止する。
【解決手段】複数の書き込み可能な不揮発性メモリデバイス(3−1〜3−16)を並列にアクセスするメモリコントローラ(2)が、電源遮断時に、特定の不揮発性メモリデバイス(3−A)のみを書き込み対象にし、バッファメモリ(18−1)から、不揮発性メモリデバイス(3−A)に書き込むデータを、書き込み済みでないライトデータに絞り込むことで、書き込み時に消費する電力を、抑えることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】セルフリフレッシュ機能を有するSDRAMを備える複合機において、消費電力の低減のためにプロセッサを停止させる省電力モードから、通常動作モードへの移行にかかる時間を短縮する。
【解決手段】プロセッサ32は、停止が解除された時及び電源投入時に初期動作プログラムを実行する。プロセッサ32は、初期動作プログラムに基づいて、SDRAM34のセルフリフレッシュモードを解除し、プロセッサ32による外部リフレッシュに切り替える。プロセッサ32は、初期動作プログラムに基づいて、SDRAM34内に通常動作プログラムが正しく保持されていることを確認する。SDRAM34内に通常動作プログラムが正しく保持されていない場合は、プロセッサ32は、初期動作プログラムに基づいて、フラッシュメモリ33内の初期動作プログラムをSDRAM34内に転送する。 (もっと読む)


【課題】分割ブロック単位で一括消去を行ってから書込が行われる不揮発データメモリの一括消去回数を削減する。
【解決手段】各種の制御定数が格納される不揮発データメモリとして、ブロック単位で一括消去が可能なフラッシュメモリが使用され、各分割ブロックは複数のデータ格納領域に仕分けされており、どれかのデータ格納領域において空セクションが無くなると、予め一括消去された他の分割ブロックの該当データ格納領域の先頭セクションに新たなデータが書込まれ、元の分割ブロックの中の他のデータ格納領域に書込まれていた最新のデータは、新たな分割ブロックの該当データ格納領域の先頭セクションに転送格納され、一つの分割ブロックに異なるデータ格納領域を混在させ、各データ格納領域は書込み頻度に対応した複数のセクションによって構成することによって分割ブロックの個数を削減し、しかも一括消去回数を削減することができるようにした。 (もっと読む)


【課題】不揮発回路と揮発回路が混在するシステムにおいて、初期化が必要な揮発回路の存在を不揮発回路に通知する初期化要求機構を提供する。
【解決手段】初期化要求機構は、電源検知部とレジスタとを備える。電源検知部は、揮発回路によって構成される周辺回路を駆動する電源がオフになったことを検知すると、電源がオフになったことを示すレジスタ値をレジスタに記録する。初期化要求機構は、レジスタに、少なくとも一つ以上の電源がオフになったことを示すレジスタ値が記録されている場合、周辺回路の初期化が必要であることを示す初期化要求割込を、不揮発回路によって構成されるプロセッサに送信する。プロセッサは、初期化要求割込を受信すると、プロセッサが保持しているプロセスの実行状態に合わせて周辺回路を起動する。 (もっと読む)


【課題】停電後の不揮発性メモリの回復システムを提供する。
【解決手段】停電後に不揮発性メモリアレイを回複することができる。一実施例では、メモリアレイのページがスキャニングされて、停電後の第1のフリーページを見出す。この第1のフリーページは、使用可能とマークされ、そして使用可能とマークされたページは、次の書き込みサイクルで書き込まれる。 (もっと読む)


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