【課題】符号化処理を利用した効率的なメモリ検査を行う。
【解決手段】検査対象のメモリについてパリティ情報を付加したデータをメモリに書き込んだ後、該データをメモリから読み出してランレングス符号化処理を行って符号化データを生成する。符号化装置は、書き込まれたデータについてビット列を参照して符号化データを生成する際に、該ビット列と付加されているパリティ情報とを比較してビット反転エラーを検出する。 （もっと読む）

【課題】メモリ装置の書き込み欠陥からデータを保護するための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】この方法は、データアイテムのセットにわたる冗長情報を計算し、データアイテムを、メモリに記憶するために送信することを含む。冗長情報は、データアイテムがメモリに首尾良く書き込まれるまでの間のみ保持され、次いで、破棄される。データアイテムは、それをメモリに書き込むのに欠陥が生じたとき、冗長情報を使用して回復される。 （もっと読む）

【課題】適切な保護機能によってデータを保護することにより、データの保護機能による処理時間の短縮を図るＩＣチップ、ＩＣチップにおける処理方法、ＩＣチップ用処理プログラム、及びＩＣカード等を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ６は、「カードＯＳによる非更新領域の保護機能」と、「トランザクションによる更新領域の保護機能」とを備え、「トランザクションによる更新領域の保護機能」は、更新前の更新領域が属するページの全ての領域を更新領域として、当該ページに記憶される全てのデータを前記バックアップ領域に書き込み、当該ページに非更新領域が存在しないものとしてカードＯＳに通知して、「カードＯＳによる非更新領域の保護機能」を機能させない。 （もっと読む）

【課題】パリティデータデータの増大を抑えることができるメモリコントローラを得ること。
【解決手段】各しきい値分布に対して、３ビットのデータが割り当てられ、第１のビットが第１ページのデータを表現し、第２のビットが第２ページのデータを表現し、第３のビットが第３ページのデータを表現する３ビット／セルのメモリセルを有する不揮発性半導体メモリを制御するメモリコントローラであって、不揮発性半導体メモリの第１のメモリ領域に、第１〜第３の３ページ分のデータを書き込む場合に、第１のメモリ領域の各メモリセルに書き込まれるデータの第１のビット及び第２のビットから、隣接するしきい値分布への移動によりエラーとなるビットを抽出して仮想ページを生成する制御部と、仮想ページに対する第１の誤り訂正符号を生成する符号化部と、３ページ分のデータと第１の誤り訂正符号とを不揮発性半導体メモリへ書き込むインターフェイス部とを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリの寿命を縮める動作を遅延させるシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品を提供する。
【解決手段】メモリの寿命を縮める動作を遅延させるシステム５００は、複数のストレージデバイス５３０、５４０を含むストレージシステム５０３が含まれている。コマンドの少なくとも一部は、寿命を縮めるコマンドであり、少なくとも一つのモジュール又はブロック５３１、５３２、５３３、５４１、５４２、５４３への悪影響を有する。使用中に、装置５１０は、そのような寿命を縮めるコマンドに拠らず、ストレージデバイス５３０、５４０の寿命を延ばすように働く。使用時に、メモリの寿命に関連する少なくとも一つの特徴が、特定される。このために、メモリの寿命を縮める少なくとも一つの動作が、当該特徴に基づいて遅延される。 （もっと読む）

【課題】コンピュータプログラムを予め記憶したＲＯＭを必要とせず、かつコンピュータプログラムの破損を容易に解消させる、ことを目的とする。
【解決手段】情報処理装置１０は、遠隔操作によって動作する遠隔装置に搭載され、コンピュータプログラムを実行するＣＰＵ２０、及び該コンピュータプログラムを記憶する書き込み可能なＲＡＭを備え、地上局５０が備える送受信装置５２から送信されるコンピュータプログラムを受信し、受信したコンピュータプログラムをＲＡＭへ転送し、ＲＡＭにコンピュータプログラムが記憶されている状態でＣＰＵ２０を起動させる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置は、記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換え可能な不揮発性半導体メモリ１１と、不揮発性半導体メモリ１１の書き換えを制御する書き換え制御部１２と、を備える。書き換え制御部１２は、不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定する。更に、決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを不揮発性半導体メモリ１１の温度に基づいて補正することで、書き換え時に不揮発性半導体メモリ１１に印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定する。 （もっと読む）

【課題】他のデータに対するアクセスにより生じるエラーから特定のデータを保護できるプログラム、情報処理システム、情報処理装置、および情報処理方法を提供する。
【解決手段】例示的な実施の形態は、コンピュータで実行される、１つのメモリセルに複数ビットを記憶可能な半導体記憶手段に対してデータを書き込むためのプログラムを提供する。プログラムは、コンピュータに、第１のデータを記憶するための第１の領域を半導体記憶手段の記憶領域内に割り当てる割当ステップと、第１のデータの書込要求に応答して、第１の領域の境界から所定のサイズを保護領域とし、残りの領域を使用領域として、第１のデータを使用領域のみに書き込む書込ステップとを実行させる。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリを効率的に利用可能なメモリコントローラを提供すること。
【解決手段】実施形態のメモリコントローラ２０は、第１インターフェイス２１と、第２インターフェイス２３と、制御部２４とを備える。第１インターフェイス２１は、ホスト１０との間で信号を送受信する。第２インターフェイス２３は、不揮発性の半導体メモリ３０との間で信号を送受信する。制御部２４は、第１インターフェイス２１で受信した第１コマンドに応答して半導体メモリ３０に予備領域を確保し、半導体メモリ３０に保持されるデータの更新時には予備領域に更新データを書き込む。予備領域のサイズは、第１コマンドに応じて可変である。 （もっと読む）

【課題】 データを確実且つ高速に書き込むことが可能なメモリシステムとその制御方法を提供する。
【解決手段】 メモリシステムは、第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂと、制御部２１を含んでいる。第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂは、それぞれメモリセルアレイ３２を有する。制御部２１は、第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂへ同時に第１のデータを書き込むための書き込みコマンド及びアドレスを受け、第１、第２のディストリクト３１ａ、３１ｂに同時に第１のデータを書き込む。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体メモリをストレージとして用いる場合のトータル的な応答性の向上を図ることのできる情報処理装置を提供する。
【解決手段】この情報処理装置は、複数の半導体メモリそれぞれの物理的特性を評価して、評価結果に見合った用途属性を、少なくとも一部の半導体メモリに割り当てる割当部と、データのライト命令に対して当該データのライト先として最適な用途属性の前記半導体メモリを判定する判定部とを具備する。複数の半導体メモリの物理的特性に個体差がある場合に、その半導体メモリの物理的特性が活かされるようにデータのライト先が判定部にて判定される。これにより、複数の半導体メモリを１つのストレージとして用いた場合のストレージのトータル的な応答性の向上を期待できる。 （もっと読む）

【課題】データの記録方式などが用途に応じて最適になるようにする。
【解決手段】記録媒体に記録されるデータの特性であって、当該データの保持期間を表す寿命値および当該データを読み出したときに発生すると想定されるエラーの割合を表すエラーレートを含む特性に基づいて、前記記録媒体により構成される論理デバイスの記録領域を複数生成するとともに、前記記録領域のそれぞれに適用される記録方式を決定する記録方式決定部と、前記決定された記録方式に基づいて、前記論理デバイスの記録領域のそれぞれを初期化する論理デバイス初期化部とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理中断によりトランザクションが行われた場合であっても、処理時間制約が厳しい方のインターフェイスを用いた処理を正常に行うことが可能なＩＣチップ、ＩＣチップにおける処理方法、及びＩＣチップ用処理プログラムを提供する。
【解決手段】ＩＣチップは複数のインターフェイスに対応した処理手段と、データを記憶するデータ記憶領域と前記データをバックアップするためのバックアップ領域と、を有する不揮発性メモリと、第１の前記インターフェイスを用いた処理により受信されたデータを前記データ記憶領域に書き込む際に前記データ記憶領域に記憶されているデータを前記バックアップ領域にバックアップし、前記第１の前記インターフェイスを用いた処理が中断された場合には、前記バックアップ領域にバックアップされている前記データを前記記憶領域に書き戻す処理を行う制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】別の処理により使用されるメモリ領域に誤ってデータが書き込まれてしまう可能性を抑える。
【解決手段】電子制御装置が備えるＣＰＵは、燃料噴射制御、点火制御及び電子スロットル制御処理を含む複数種類の制御処理を実行する。このＣＰＵは、ベースレジスタが記憶する基準アドレスに、指定された相対アドレスを加算して実効アドレスを算出し、この実効アドレスに基づき、ストア命令及びロード命令に対応するＲＡＭへのアクセスを行う構造を備える。各制御処理では、命令の発行時に、相対アドレスにより、アクセス先のメモリアドレスを指定する。また、各制御処理に対しては、異なる基準アドレスが割り当てられ、各制御処理の実行開始前には、ベースレジスタの値が、これから実行される制御処理に割り当てられた基準アドレスに更新される。この動作により、各制御処理に対しては、重複しない独立性の高いメモリ領域が割り当てられる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおいて第１の誤り訂正符号の訂正能力を超えるエラーが発生した場合でも、格納したデータを正しく読み出すことが可能で、かつ、小さいサイズの書き込みが効率的な不揮発性記憶装置、及びメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置１は、データを記憶する不揮発性メモリ１２と、不揮発性メモリ１２の制御を行うメモリコントローラ１１とを備え、メモリコントローラ１１は、データと同一ページに格納する第１の誤り訂正符号とは別に、第２の誤り訂正符号をも格納する。第２の誤り訂正符号の単位となるパリティグループよりもサイズの小さい書き込みにおいては、パリティグループとは別の領域に暫定的な第２の誤り訂正符号を格納する。データの読み出し時にはデータに付与された第１及び／または第２の誤り訂正符号を用いてエラー訂正を行う。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにてワード線不良によるバースト誤りが発生した場合も、格納したデータを正しく読み出せる不揮発性記憶装置、及びメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、不揮発性メモリの制御を行うメモリコントローラとを備え、不揮発性メモリは、ブロックを複数含み、ブロックは、ページを複数含み、ブロック内には、一つのワード線を共有する２以上のページからなるページの組が少なくとも一つ存在し、メモリコントローラは、データを格納するページであるデータページと、データページの誤り訂正演算のための符号を格納する誤り訂正符号ページとを、夫々一つ以上含む、誤り訂正グループを複数構成し、同一の誤り訂正グループにおける、データページと誤り訂正ページの夫々に対してワード線の異なるページを割り当てる。 （もっと読む）

【課題】画像データをバックアップとして保存する際に不揮発性記憶手段に対する書き換え回数を低減し、不揮発性記憶手段の長寿命化を図る。
【解決手段】データ記憶制御装置２は、所定容量の記憶領域を有する１次メモリ１１と、１次メモリ１１よりも大容量であり、その記憶領域が複数のブロックに分割されると共に、ブロック単位でデータが消去され、データの消去されたブロックに対してデータの書き込みが可能な２次メモリ１２とを備える。制御部２３は、画像データ取得部２１によって取得される画像データのうち、２次メモリ１２における１ブロックの整数倍となるデータ部分を２次メモリに記憶すると共に、残余のデータ部分を１次メモリ１１に記憶し、バックアップデータ取得部２２によって取得されるバックアップデータを１次メモリ１１に記憶させた残余のデータ部分と組み合わせて２次メモリ１２の１つのブロックに記憶する。 （もっと読む）

【課題】より少ないステータス情報領域で、ステータス異常に対応することができる不揮発性半導体記憶装置およびメモリ管理方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリに対し、メモリセルブロック単位での一括消去処理、予め定められたアドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、メモリセルブロック単位で、データ更新元メモリセルブロックからデータ更新先メモリセルブロックへ予め定められたデータを転送するデータ更新処理の制御を行うメモリ制御部と、を備え、複数のメモリセルブロックは、それぞれ、該メモリセルブロックの使用状態に関する情報を含むステータス情報を記憶するためのステータス情報記憶領域と、該メモリセルブロックのデータ更新処理における更新履歴を含む更新履歴情報を記憶する更新履歴情報記憶領域と、を備え、ステータス情報および更新履歴情報に基づいて、現在使用中のメモリセルブロックを特定する。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリにデータを記録する技術において、記憶しているデータが消失する可能性をより低減させる。
【解決手段】ブロック１のデータ消去時に、データの最新値が保存されているブロック２のブロックＩＤを、管理ブロックに書き込み、その後、ブロック１のデータ消去を行う。制御装置がリセットから復帰した後、使用中である旨のブロックステータスとなっているブロックが２個あった場合、当該２個のブロックのうち、管理ブロック中の上記ブロックＩＤを有するブロック（ブロック２）とは異なるブロック（ブロック１）のデータ消去を行う。 （もっと読む）