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Fターム[5B125FA00]の内容

リードオンリーメモリ (43,397) | 図面、表情報 (5,864)

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対象の記憶素子にワードライン電圧が伝播した直後であり、かつ、対象ではないその他の記憶素子に伝播するよりも前に、対象の記憶素子を検出することによって、不揮発性メモリデバイスの読み出しスループットを増加させる。電圧がワードライン全体に伝播するまで待つことにより生じる遅延を回避する。検出は、プログラミング中に検証動作として、又は、プログラミング後に、ユーザデータが読み出された場合に実施することができる。さらに、例えば検出アンプによって、複数の記憶素子を同時に検出してもよい。対象の記憶素子からのデータは処理され、それ以外の記憶素子からのデータは破棄される。どの記憶素子が検証中であるか、又は、読み出しコマンドが要求したデータを含んでいるかを識別することで、対象の記憶素子の検出を行う時間を設定することができる。
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