【課題】 光電変換部の飽和電荷量が増大した場合にも、光電変換部の後段に設けられた読み出し回路のダイナミックレンジに制限を受けることなく信号を読み出すことを目的とする。
【解決手段】 本発明は、光電変換部と、フローティングディフュージョンと、電荷保持部と、前記光電変換部で生じた後、前記電荷保持部で保持された電荷を前記フローティングディフュージョンへ転送する転送トランジスタと、を有する複数の画素と、を有し、前記転送トランジスタには、前記転送トランジスタが導通状態となる導通パルスと、前記転送トランジスタが非導通状態となる非導通パルスと、前記導通パルスと非導通パルスとの間の波高値を有する中間レベルパルスとが、選択的に供給されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大光量時に発生する余剰電荷を確実に排出することができるようにする。
【解決手段】複数の受光部は、水平垂直方向に２次元的に配列され、入射光を電荷に変換する。垂直転送レジスタは、垂直列の受光部に対応して配置され、垂直方向に電荷を転送する。水平転送レジスタは、垂直転送レジスタから転送された電荷を水平方向に転送する。余剰電荷除去部は、垂直転送レジスタと水平転送レジスタの間に、所定の電極に印加する電圧を変化させることにより形成される、ドレイン領域に接続された経路として配置される。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、グランド配線３２及びグランド接続端子３４と一体的に形成されており、グランド接続端子３４を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。導電膜３０をグランド接続端子３４を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板６０の表面に表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現する。
【解決手段】撮像装置１には、撮像部２における複数の画素１０からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部１０と、撮像部２の各画素３から電荷を順次転送する電荷転送部２０とが設けられており、更に、電荷転送部２０によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部３０が設けられている。また、撮像部２の各画素の出力として、電荷読み出し部１０によって読み出される電荷、又は電荷転送部２０によって転送され且つ電荷増倍部２０によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】撮像領域に対する１水平走査期間内で電子シャッタ状態および読み出し状態を設定する垂直選択回路において、電子シャッタ動作用と読み出し動作用とで回路を共有化する。
【解決手段】画素アレイ部１１は、光電変換した電荷を蓄積する画素１２がマトリックス状に配置され、垂直信号線ＶＬＩＮ１〜ＶＬＩＮＭは、画素１２から読み出された画素信号を垂直方向に伝送し、垂直選択回路１７は、画素アレイ部１１の各選択行に対して電子シャッタ状態および読み出し状態を時分割多重で設定し、パルスセレクタ回路１８は、選択行に属する画素１２を電子シャッタ状態および前記読み出し状態に応じて駆動し、タイミングジェネレータ回路１９は、垂直選択回路１７およびパルスセレクタ回路１８の動作タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】高フレームレートの映像出力に適した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配列された複数の光電変換部と、列ごとに設けられ、各光電変換部で生成された信号電荷を電荷パケットとして転送する複数の垂直転送器とを含む撮像部１０１と、撮像部１０１から複数の電荷パケットを受け取って転送する水平転送器１０６と、水平転送器１０６における所定個数の転送段ごとに１つの転送段は分岐転送段１０６Ａであり、各分岐転送段１０６Ａに、隣接する転送段１０６Ｂとは異なる方向に隣接して設けられ、分岐転送段１０６Ａから電荷パケットを取得して保持する複数の取り出し部１０７と、各取り出し部１０７に隣接して設けられ、取り出し部１０７から電荷パケットを取得し、電圧信号に変換して出力する複数の出力回路１０８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、３値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記３値の電圧は、少なくとも、第１電圧と、前記第１電圧より高い第２電圧と、前記第１電圧より大きく且つ前記第２電圧より小さい第３電圧とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＭ−ＣＣＤのＣＭＧ駆動回路からＥＭ−ＣＣＤの出力信号への飛び込みを低減しながら、負荷容量ＣＭＧ電圧の振幅の減衰を防ぎ、矩形波特性を改善する。
【解決手段】論理バッファとＰｃｈＭＯＳとＮｃｈＭＯＳのゲート間にフェライトビーズとダイオードの並列接続を挿入し、ＭＯＳがターンオフする方向にダイオードが接続されているスイッチング回路において、ＰｃｈＭＯＳのドレインソース間導通抵抗が２オーム以上あり、ＰｃｈＭＯＳのドレインとＮｃｈＭＯＳのドレインとが１オーム以上の抵抗で接続され、ＰｃｈＭＯＳのドレインと容量負荷間に、スイッチング基本波周波数におけるインピーダンスがスイッチング基本波周波数における前記容量性負荷のインピーダンスの１／２より低いインピーダンスのフェライトビーズを直列接続する。 （もっと読む）

【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。 （もっと読む）

【課題】黒点発生の検出精度の劣化を抑制しつつ、黒点発生の検出にかかる時間を短くする。
【解決手段】レベルシフト回路１０−１、１０−２は、画素ＰＣから垂直信号線Ｖｌｉｎを介してリセット信号が読み出される時に垂直信号線Ｖｌｉｎの電位をシフトさせ、画素信号出力制御部４ａは、レベルシフト回路１０−１、１０−２にてシフトされた垂直信号線Ｖｌｉｎの電位を基準とした時の垂直信号線Ｖｌｉｎの電位変化に基づいて画素信号の出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ダイナミックレンジを広くすることができる光センサを提供する。
【解決手段】光センサは、光検出素子と、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）に対して電位差ΔＶ＿ＲＳＴ（Ｖ１）の第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）を発生させるパルス信号を、リセット信号として供給するリセット信号配線と、読み出し信号を供給する読み出し信号配線と、センシング期間（Ｔ１）に、光検出素子が受光した光量に応じて電位が変化する蓄積ノードと、蓄積ノードの電位変化に応じた信号を、出力配線へ読み出すセンサスイッチング素子とを備える。リセット信号配線では、センシング期間の少なくとも一部において、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）と第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）との間の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】画素領域中央部での電圧降下を抑制することができる固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００が二次元配置されてなる画素領域６１を有する固体撮像装置１であって、半導体基板５と、半導体基板５上に形成された層間絶縁膜２０〜２２と、層間絶縁膜２０〜２２上に形成された下部電極４０と、下部電極４０上に形成された光電変換膜４１と、光電変換膜４１上に形成された透光性を有する上部電極４２と、を有し、上部電極４２は画素領域６１全体に拡がっており、上部電極４２における少なくとも一部には、隣接する画素部１００の間を通り、上部電極４２を構成する材料よりも電気抵抗率が小さい材料からなる金属配線４５が積層されていることを特徴とする固体撮像装置１とする。 （もっと読む）

【課題】電子増倍画像センサー及び対応する方法を提供する。
【解決手段】活性画素の画像センサーが提供され、各画素は半導体活性層１２の表面において、電荷蓄積領域１８に隣接する移送ゲートＴＲの近くに光ダイオード領域ＰＨＤを含み、移送ゲートは、それが移送パルスを受けるとき、光ダイオード領域から蓄積領域への電荷の移送を可能にする。光ダイオード領域は、半導体活性層から絶縁された加速ゲートＧＡに隣接する。移送パルスに先立つ集積段階の期間中に、加速ゲートに対して、光ダイオード領域と加速ゲートの下に位置する活性層領域との間に、一方の方向と他方の方向へ交互に電界を誘起する一連の高電位／低電位の交番を印加するように、切り替え手段が提供される。格子の原子による衝撃は、二次電子を作り出し、それによってセンサーの感度を増加させる。 （もっと読む）

【課題】画素の選択トランジスタについては、単なるスイッチでしかないと考えられていたことから、選択トランジスタの有限なオン抵抗に起因する１／ｆノイズやバーストノイズに対する考慮はなされておらず、設計上のケアもなされていなかった。
【解決手段】選択トランジスタ２５をディプレッション型トランジスタとし、選択トランジスタ２５をオフするときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ２５が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することで、選択トランジスタ２５の有限なオン抵抗に起因する１／ｆノイズやバーストノイズを低減する。
また、選択トランジスタ２５を、外部から与えられる物理量を検出する検出部が検出した信号を増幅する増幅トランジスタ２４に対して信号線１２２側に直列に配置することにより、選択トランジスタ２５のゲートに負電圧を与えても、ゲート−ドレイン間の電位差が小さく抑えられる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の光学特性を低下させずに、光電変換部で発生した電荷を保持する電荷保持部の最大蓄積電荷量を大きくする。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。フォトダイオードからメモリ部への電荷の転送を終了するとき、転送ゲートＴＲＸをオフし、ＴＲＸバリアの高さがＰＤ空乏電位より高くなった後、電源ＶＤＡの電位をＶＤＡ（Ｌ）に設定し、フォトダイオードの電位を、ＴＲＸバリアの電位とＰＤ空乏電位との間の電位に設定する。本発明は、例えば、グローバルシャッタに対応したＣＭＯＳイメージセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】フローティングディフュージョンのダイナミックレンジの確保と電界起因ノイズの抑制とを両立して実現可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】ＦＤのリセット時では垂直信号線にバイアス電圧を印加せず、垂直信号線に電流源１５を接続して増幅トランジスタ２３にソースフォロワ回路を構成させてリセットトランジスタ２２をオンしＦＤを電源に接続する。その後、垂直信号線から電流源１５を切り離し前記ソースフォロワ回路を解消させ、垂直信号線にバイアス電圧を印加してＦＤの電圧を降圧または昇圧し、この状態で読み出しトランジスタ２１をオンしてＰＤの蓄電信号電荷をＦＤに読み出す。読み出しトランジスタ２１をオフした後、垂直信号線に電流源１５を接続して前記ソースフォロワ回路を構成させる。バイアス電圧は、ＦＤダイナミックレンジが不足していない場合は垂直信号線のリセットレベルよりも低い電圧である。 （もっと読む）

【課題】有機材料又は無機材料からなる光電変換膜を一対の電極で挟んで構成された光電変換素子を基板上部に備える固体撮像装置において、電荷蓄積時における暗電流の発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置の製造方法、駆動方法、及びその固体撮像装置を用いた電気機器を提供する。
【解決手段】有機材料又は無機材料からなる光電変換膜１９を第１の電極１８及び第２の電極２０で挟んで構成された光電変換素子２１を基板１３上部に備える固体撮像装置において、第１の電極１８をアンプトランジスタＴｒ１のアンプゲート電極２４にのみ接続する。そして、画素信号の読み出しは、第１の電極１８側から行い、リセット動作は、第２の電極２０側から信号電荷を排出することで行う。 （もっと読む）

【課題】太陽黒点補正と行選択ブランク期間の電圧降下防止とを、できるだけ回路規模を拡大せずに、簡易な回路構成で実現する。
【解決手段】イメージセンサ内に太陽黒点補正／電圧降下防止回路としての電圧出力回路を１組設け、この電圧出力回路により列信号線に対して所定電圧値を印加する。この所定電圧値の印加期間は、先の行を選択するための行選択信号の出力の終了に応じたタイミングから、次の行の選択中において画素をリセットさせる期間の終了に応じたタイミングまでの期間とする。これにより、１組の電圧出力回路のみによって太陽黒点補正と行選択ブランク期間の電圧降下防止の双方を実現する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧低下時、過大な出力を抑制可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】感光素子列１１に隣接し、感光素子列１１が発生する信号電荷の読出しを制御するシフトゲート１３と、シフトゲート１３に隣接し、信号電荷をゲートに供給される転送クロック信号φ１、φ２Ａ、φ２Ｂに基づいて順次転送するシフトレジスタ１５と、シフトレジスタ１５に接続し、信号電荷をゲートに供給される転送クロック信号φ２Ｂに基づいて次へ送る最終段シフトレジスタ１６と、最終段シフトレジスタ１６に接続し、信号電荷を蓄積するフローティング拡散領域２４と、リセットゲート電極２９を介してフローティング拡散領域２４と接続し、正の電源電圧ＯＤが供給されるリセットドレイン領域２５と、電源電圧ＯＤが規定値より低下したときに、接地電圧を最終段シフトレジスタ１６のゲートに供給する電圧設定回路３０とを備える。 （もっと読む）