【課題】 光電変換装置において、デジタル回路間の電圧変動により生じるノイズを低減する。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、画素駆動部と、所定の信号処理を行うデジタル回路を有する信号処理部と、が同一半導体基板に配された光電変換装置であって、前記画素駆動部のデジタル回路には第１電圧と前記第１電圧と値の異なる第２電圧とが供給され、前記信号処理部のデジタル回路には第３電圧と前記第３電圧と値の異なる第４電圧とが供給され、前記画素駆動部のデジタル回路に第１電圧を供給する第１導電体の主たる部分と前記信号処理部のデジタル回路に第３電圧を供給する第２導電体の主たる部分とが分離されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 生成する画像中のノイズを抑制するとともに容易に製造することが可能な固体撮像素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 転送トランジスタ３は、ｐ型の基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電子を蓄積するｎ型の受光部２１と、基板１０中に形成される受光部２１よりもｎ型不純物の濃度が高いｎ型の浮遊拡散領域４と、基板１０上に設けられる絶縁層３１と、絶縁層３１上かつ少なくとも受光部２１及び浮遊拡散領域４の間に設けられるｎ型のゲート電極３２と、を備える。ゲート電極３２は、浮遊拡散領域４側ほどｎ型不純物の濃度が高く、受光部２１側ほどｎ型不純物の濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】白キズや飽和電荷量を改善し、微細化に適した固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像素子は、３画素で出力回路を共有化したブロック基本ブロックを２個準備し、一方を１８０度回転させリセットドレインを共有化して配置した６画素１セルとし、これを正方格子状または市松状に配置することで、画素と隣接する出力回路間の素子分離領域を極力減らし、かつ画素廻りの配線本数を減らし、セルを微細化しても白キズ、飽和電荷量に対するマージンを高めた固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】高輝度被写体の撮像時に、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが損傷せず、かつ、黒焼付き現象が発生しない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、複数存在し、各々が単位画素を構成する第１電極と複数の第１電極上に形成された光電変換膜と光電変換膜上に形成された第２電極とを有する光電変換部と、複数の第１電極と電気的に接続され、半導体基板上に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域をドレイン領域とする、若しくは、電荷蓄積領域をドレイン領域と電気的に接続したリセットトランジスタとを備え、リセットトランジスタのソース領域６０６及びドレイン領域６０７の少なくともいずれかは、リセットトランジスタのゲート酸化膜６０５の下方に伸長しかつゲート酸化膜６０５に接しないパンチスルーパス６０８ａ、６０８ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】１画素内において、複数の光電変換部それぞれで発生する電荷の移動を制御できるように、光電変換部間を分離する分離領域のポテンシャル障壁の高さを変えられるようにした撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素を有する撮像素子であって、各画素が、前記撮像素子より被写体よりに配置された光学系２０２の異なる射出瞳領域を通過した複数の光束をそれぞれ受光して電荷を蓄積する複数の光電変換部２０３、２０４と、前記複数の光電変換部の間を分離する分離領域３０７と、前記分離領域の電位を、複数の電位のいずれかに選択的に設定する設定手段３０６とを有し、前記複数の光電変換部から、蓄積された電荷に応じた信号を独立に読み出すことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】ＰＤの飽和電荷数を増加させ、より画質の向上を図ることが出来るＣＭＯＳ固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素は、半導体基板６１に形成された光電変換部３１と、光電変換部３１の側面に形成された側面ピンニング層８２と、光電変換部３１の表面側に形成された表面ピンニング層８１とを備えている。画素の製造工程では、光電変換部３１が形成される領域の側面部分に画素分離部を埋め込むためのトレンチ６２’を形成し、そのトレンチ６２’が開口している状態でイオン注入を行うことにより側面ピンニング層８２および表面ピンニング層８１が同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】より高品質の画像を得ることができ、且つ固体撮像装置が形成されるチップ面積の縮小化を図ることができる。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部を介して電気的に接続される固体撮像装置を備える補正処理装置であって、前記固体撮像装置が有する画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記第１の基板から前記接続部を介して前記第２の基板に送られた信号を出力する水平読み出し回路と、を有し、当該補正処理装置は、前記第１の基板と前記接続部との接合部分を示す接合領域の前記第１の基板上における配置パターンに応じて、前記画素から出力される信号の補正を制御する補正処理部をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い遮光性能を有する遮光膜を有する固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタと、を含む画素を有する固体撮像装置において、光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタとの上部に配される第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の開口に配され、複数のトランジスタのソースあるいはドレインに配置された導電体と、第１の絶縁膜に配され、電荷保持部の上に配された遮光膜を有する。 （もっと読む）

【課題】 遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板に配された光電変換部と、電荷保持部と、フローティングディフュージョン部と、半導体基板上に配され、光電変換部と電荷保持部との間に配された第１のゲート電極と、半導体基板上に配され、電荷保持部とフローティングディフュージョン部との間に配された第２のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、電荷保持部の上と、少なくとも第１のゲート電極と第２のゲート電極のいずれかの上に配された第１の部分と、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に配され、前記半導体基板の表面側に前記第１部分から延在した第２の部分とによって構成される遮光部を有する。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出用の画素の露光タイミングを適切に制御可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】 撮像装置は、複数の焦点検出用画素および複数の撮像用画素が配置された画素アレイを有している。各焦点検出用画素は、入射光を光電変換して電荷を生成する第１光電変換部と、第１光電変換部から転送される電荷を蓄積するメモリ部と、メモリ部を遮光する遮光部とを有している。また、各撮像用画素は、入射光を光電変換して電荷を生成する第２光電変換部を有している。 （もっと読む）