【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置（１０Ａ）は、放射線（１６）の入射方向に沿って積層され、該放射線（１６）を放射線画像に変換可能な２つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）と、２つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）に対して残像の発生を抑制するためのリセット処理を実行可能なリセット処理部（２８ｃ、３０、３２、４０）と、２つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）に対するリセット処理を互いに異なる時間帯に実行するようにリセット処理部（２８ｃ、３０、３２、４０）を制御するリセット制御部（４５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置（１０Ａ）は、放射線（１６）を放射線画像に変換可能な少なくとも１つの放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）と、放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）に対して残像の発生を抑制するためのリセット処理を実行可能なリセット処理部（３０、３２）と、放射線変換パネル（２８ａ、２８ｂ）内の少なくとも２つの領域に対するリセット処理を互いに異なる時間帯に実行するようにリセット処理部（３０、３２）を制御するリセット制御部（４５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えることにより、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、トランジスタのゲートに対し、１フレーム期間の１回目のリセット駆動時には第１の電圧、他の回のリセット駆動時には、第１の電圧よりも低い第２の電圧を印加してトランジスタのオン動作を行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】小型画素及び高性能ＣＭＯＳイメージセンサアレイで使用することができる実質
的な画素設計を提供すること。
【解決手段】本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域
と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散
領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電
位井戸とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像駆動の際の動作の自由度を向上させることが可能な撮像装置等を提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、光電変換素子により得られた信号電荷を画素から読み出す読み出し動作を線順次で行うための線順次読み出し駆動と、画素内の信号電荷をリセットするためのリセット動作を線順次で行うための線順次リセット駆動とを行う駆動部とを備えている。駆動部は、線順次リセット駆動を、１フレーム期間内で間欠的に複数回行う。また、一の線順次リセット駆動の際の駆動期間と他の一の線順次リセット駆動の際の駆動期間とのオーバーラップ期間内におけるリセット動作の期間において、上記一の線順次リセット駆動による各リセット動作と上記他の一の線順次リセット駆動による各リセット動作とがいずれも重ならない非オーバーラップ期間が少なくとも一部に設けられるように、複数回の線順次リセット駆動を行う。 （もっと読む）

【課題】より良好な色再現性を有する固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板２２の内部における１画素ごとに、それぞれ異なる深さに、それぞれ異なる波長域の光を光電変換する複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒが積層され、複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのうち、半導体基板の深さ方向に隣接する光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間に、その光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間の領域における光電変換で発生した電荷を排出する排出領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】 例えばブルーミングや混色などの発生をさらに抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置１００では、キャリア極性が第１の導電型である第１不純物層５を含む光電変換部１１上に、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層６、及び、キャリア極性が第１の導電型である第３不純物層７をこの順で形成する。さらに、第３不純物層７を不純物領域部１６と接続し、かつ、第３不純物層７を覆うようにゲート電極３を形成する。この構成により、光電変換期間中に、光電変換部１１から第２不純物層６を介して第３不純物層７に向かう方向に余剰電子のオーバーフロー経路を形成して光電変換部１１の余剰電子を排出する。 （もっと読む）

【課題】飽和信号レベルの低下を抑制しつつ、ブルーミングを低減する。
【解決手段】画素アレイ部１は、光電変換した電荷を蓄積する画素ＰＣがマトリックス状に配置され、垂直駆動回路２は、各画素のＰＣの蓄積期間に画素ＰＣを複数のラインごとに一括して駆動し、画素ＰＣに蓄積された所定レベル以上の電荷を排出させる。前記垂直駆動回路は、前記画素の読み出し期間に前記画素を１ラインごとに駆動し、前記画素に蓄積された全ての電荷を読み出させる。 （もっと読む）

【課題】画素の駆動精度を低下させることなく、高速に連続してグローバルシャッタ動作を行う固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を有する単位画素が１次元又は２次元に配列された画素アレイと、前記単位画素に与えられる信号電圧を選択的に切り換える切換スイッチと、第１信号電圧、第１信号電圧より高い第２信号電圧、及びその第３信号電圧を、前記切換スイッチを切り換えて選択的に前記単位画素に印加して前記単位画素を駆動する画素駆動部とを備え、前記画素駆動部は、前記第１信号電圧と前記第２信号電圧とを交互に前記複数の単位画素に印加するとともに、前記第１信号電圧から前記第２信号電圧に切り換える際、及び、前記第２信号電圧から前記第１信号電圧に切り換える際に、前記単位画素に前記第３信号電圧を経由して印加することで、複数の前記単位画素の前記光電変換素子に発生する前記光電子の蓄積、保持、転送、リセット、排出のいずれかを一斉に行う。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】像消失期間を短縮することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、静止画撮影による画素信号の読み出しと動画撮影による画素信号の読み出しとを並行して行うことが可能である。動画撮影の露光開始時刻から静止画撮影の露光期間内の所定の時刻までに画素２８の光電変換素子に蓄積された第１の信号電荷に基づく第１の画素信号と、所定の時刻から動画撮影の露光終了時刻までに画素２８の光電変換素子に蓄積された第２の信号電荷に基づく第２の画素信号とが読み出される。加算器２９は、第１の画素信号と第２の画素信号とを加算し、加算後の画素信号を動画用信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部６は、Ｍ行のうち或る行を構成する各画素Ｐ_ｍ、ｎの読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させ、積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値を第１の保持回路Ｈ_Ｏ１、ｎに保持させたのち、転送用スイッチＳＷ_３２を接続状態にして該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎに転送し、その後、該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎから順次に出力させる動作と、Ｍ行のうち他の行を構成する各画素Ｐ_{ｍ＋１、ｎ}の読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させる動作とを並行して実施する。 （もっと読む）

【課題】１フレーム当たりの読み出し期間が長くなるのを抑制すると共に、残像特性の影響を抑制できる。
【解決手段】画素２０は、フォトダイオードとなる半導体層２１を短絡させるために、行毎に、制御端子が走査配線５２に接続されたTFTスイッチ５０を備えている。TFTスイッチ４及びTFTスイッチ５０がオフ状態において、センサ部１０３では、放射線に応じて半導体層２１で発生した電荷が下部電極１１に蓄積される。TFTスイッチ５０をオフ状態のまま、TFTスイッチ４をオン状態にし、センサ部１０３に蓄積された電荷を読み出す。電荷の読み出し終了後、TFTスイッチ４をオフ状態にし、TFTスイッチ５０をオン状態にし、センサ部１０３を短絡させてセンサ部１０３に飽和量である電荷量Ｑを蓄積させる。センサ部１０３の短絡動作が終了すると、TFTスイッチ５０をオフ状態にし、TFTスイッチ４をオン状態にして、センサ部１０３から電荷を放出させてリセットする。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を図る。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。また、単位画素５０における配線層より下層には、フォトダイオード６１の受光部を除く単位画素５０の略全ての表面を遮光する遮光膜７３が形成される。リセットトランジスタ６６による電荷排出時には、遮光膜７３に印加される電圧が第１の電圧とされ、転送ゲート６４による電荷転送時には、遮光膜７３に印加される電圧が前記第１の電圧より高い第２の電圧とされる。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 CMOSセンサの画素を複数のグループに分割する分割方法と、分割して読み出した画像の合成方法を制御することで、分割した画像間で歪みの程度が違うことによる画像の劣化を低減する。
【解決手段】 光を受光し画像信号に変換する複数の画素を有するCMOSセンサと、前記CMOSセンサの蓄積及び読み出しを制御する駆動制御手段と、前記CMOSセンサから読み出された画像信号に現像処理を行うカメラ信号処理手段を備え、前記駆動制御手段は前記CMOSセンサから読み出す画素を第１の画素グループと第２の画素グループに分けて、第１の画素グループを読み出した後に第２の画素グループを読み出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置においてフォトダイオードの面積のばらつきに伴う不都合を抑制しつつ、２つの画素間でリセットトランジスターを共有化する。
【解決手段】第１の色の光を受光する第１のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第２の色の光を受光する第２のフォトダイオードと、第２のフォトダイオードの第２の方向の隣に配置された第１の色の光を受光する第３のフォトダイオードと、第３のフォトダイオードの第１の方向の隣に配置された第３の色の光を受光する第４のフォトダイオードと、第１及び第２のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第１のリセットトランジスターと、第３及び第４のフォトダイオードにおいて発生した電荷を排出させる第２のリセットトランジスターと、を具備し、第１のフォトダイオードの面積と第３のフォトダイオードの面積との差が小さい。 （もっと読む）

【課題】リニアログ特性を持つ固体撮像装置において、対数特性部のみの感度を制御する。
【解決手段】転送部を直列接続された２段の転送トランジスタＴＸＬ，ＴＸＨで構成する。転送トランジスタＴＸＨは転送トランジスタＴＸＬよりもオン抵抗が大きい。よって、転送トランジスタＴＸＨを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は少なくなるため、対数特性部の感度が上がる。一方、転送トランジスタＴＸＬは転送トランジスタＴＸＨよりもオン抵抗が小さい。よって、転送トランジスタＴＸＬを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は多くなるため、対数特性部の感度が下がる。 （もっと読む）