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Fターム[5C024HX46]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 回路構成 (15,472) | 電源 (560)

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Fターム[5C024HX46]に分類される特許

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【課題】CMOS型イメージセンサを用いた撮像装置において、高輝度光が入射したときの横筋状又は横帯状のノイズの発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素が二次元に配列され、光を受光する開口画素領域と、基準となる遮光されたオプティカルブラック領域とを含むCMOS型の撮像素子と、撮像素子の開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光している場合の撮像素子の出力から得られる情報を予め記憶する記憶部と、開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光しているか否かを判定する判定部と、判定部により特定の領域が高輝度被写体からの光を受光していると判定された場合に、記憶部に記憶された情報に基づいて、撮像素子からの出力を補正する補正部とを備える。 (もっと読む)


【課題】 OB画素を用いたクランプの誤動作を改善する。
【解決手段】 第2垂直走査回路VSR2を2回動作させ、続いて第1垂直走査回路VSR1を動作させることで、電圧変動の影響を受けているVOB2およびVOB2aと、電圧変動の影響を受けていないVOB1を出力させることができるので、VOB2およびVOB2aをクランプすることによりクランプ電圧が電圧変動に素早く追随するとともに、VOB1による通常のVOBクランプ動作が可能になる。 (もっと読む)


【課題】ストリーキングの補正精度を向上可能な撮像装置及びストリーキング補正方法等を提供すること。
【解決手段】撮像装置は、画素配列部2と、垂直走査部5と、列処理部6と、を含む。画素配列部2は、有効領域VRと、第1遮光領域OB1と、第2遮光領域OB2と、を有する。列処理部6は、第1列処理部CL1と、第2列処理部CL2と、を有する。第1列処理部CL1は、有効領域VR及び第1遮光領域OB1の画素からの画素信号を処理する。第2列処理部CL2は、第2遮光領域OB2の画素からの画素信号を処理する。第1列処理部CL1及び第2列処理部CL2に対して電源電圧を供給する電源ライン及び接地電圧を供給する接地ラインは、それぞれ異なる電源ラインVL1、VL2及び接地ラインGL1、GL2である。 (もっと読む)


【課題】チップ内の熱勾配を緩和することが可能で、ひいてはダークシェーディングを緩和することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第1チップは画素アレイ部が配置され、第2チップはロジック部およびレギュレータが配置され、レギュレータは、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、複数の出力段トランジスタと、基準電圧と複数の出力段トランジスタの共通化された出力電圧を比較する演算増幅器とを含み、演算増幅器の出力は複数の出力段トランジスタのゲートに接続され、出力段トランジスタの出力経路は一つのノードに接続され、演算増幅器にフィードバックされ、複数の出力トランジスタの電源側端子は外部電源電圧が供給される供給電源端子に接続され、演算増幅器は、基準電圧と複数の出力段トランジスタのノードで共通化された出力電圧を比較して複数の出力段トランジスタのゲート電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】画質の低下を抑制することができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】画素20の列毎に、バイアス線25が備えられており、複数のバイアス線25のうち、10mm間隔で設けられたバイアス線25Aが電流検出器120を介してバイアス電源110に接続されている。また、残りのバイアス線25Bは、電流検出器120を介さずに直接バイアス電源110に接続されている。画素20では、照射された放射線量に応じて放射線検知素子103で電荷が発生すると、発生した電荷に応じて、バイアス線25に電流が流れる。電流検出器120は、バイアス線25Aに流れる電流を検出し、制御部106は、検出した電流(電流値)が閾値以上になった場合を、放射線の照射開始のタイミングとして検出し、放射線画像の撮影を開始させる。 (もっと読む)


【課題】カメラモジュールから、レンズの駆動を制御する。
【解決手段】撮像センサは、レンズにより集光された光を受光する受光面を有し、TSVは、受光面を有する、撮像センサの面に形成されて給電を行い、電極及びバンプは、TSVと、TSVからの給電に応じてレンズを駆動するアクチュエータに設けられた電極とを電気的に接続し、封止部材は、電極及びバンプを封止することにより形成される。本開示は、例えば、撮像センサを有するカメラモジュール等に適用できる。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサ内の画素の画素アンプを一度に起動すると突入電流が発生し、イメージセンサが出力する画像に悪影響が及ぶ場合が在るため、画素アンプを起動するタイミングを撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御とを行う制御手段により、突入電流を抑える。
【解決手段】画素アンプを有する複数の画素が撮像領域内に配置されたイメージセンサと、前記画素アンプを起動するタイミングを前記撮像領域の部分領域毎に異ならせる制御と、該起動された画素アンプを介して得られる各画素からの電気信号を読み出す制御とを行う制御手段とにより、突入電流を抑え、突入電流に起因する不要輻射の発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制し、かつ、消費電流の増大を抑制する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、第1〜第n(nは2以上の整数)の画素に分類された複数の画素を有し、当該複数の画素のそれぞれは、前記第1の基板に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、前記第2の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する信号蓄積回路と、を有し、前記第1〜第nの画素の前記増幅回路に排他的に駆動電流を供給する制御を行う制御部を有する。 (もっと読む)


【課題】撮像装置の使用状態に応じて画素配列からの信号の読み出し動作を適切に行う。
【解決手段】撮像装置は、第1の画素と第2の画素とを含む複数の画素が配列された画素配列と、前記画素配列から列信号線を介して信号を読み出し、読み出した信号を保持する第1の保持部と第2の保持部とを含む読み出し部と、前記第2の保持部に接続された出力線と、前記第2の画素から読み出された信号が前記第1の保持部へ転送される動作と前記第1の画素の信号が前記第2の保持部から前記出力線へ読み出される動作とを並行して行う第1の読み出しモードと、前記第1の画素の信号が前記第2の保持部から前記出力線へ読み出される動作と前記第2の画素の信号から読み出された信号が前記第2の保持部へ転送される動作とを順次に行う第2の読み出しモードとのいずれかで動作するように前記読み出し部を制御する制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数のA/D変換手段による発熱を低減できる撮像システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、配列における行を1つ選択する行選択手段と、選択している行の複数の画素の中から画素の信号を読み出す読み出し手段とを含み、読み出し手段は画素配列における各列に設けられた複数のA/D変換手段と、画素配列における各列の画素の信号をA/D変換手段へ転送する転送手段とを含み、供給手段は、1ライン期間において複数のA/D変換手段のうち、転送手段により画素配列における画素の信号が入力されるA/D変換手段へ電源を供給し、転送手段により前記画素配列における画素の信号が入力されないA/D変換手段へ電源を供給せず、読み出し手段は、供給手段から電源が供給されたA/D変換手段を用いて、画素配列における画素の信号をA/D変換して、デジタル画像信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】
従来、ビデオカメラに比べて高解像度でサイズが大きい撮像素子が搭載された一眼レフカメラでは、消費電力や撮像素子の発熱量も大きくなるという問題があった。
【解決手段】
本発明では、二次元状に配置された複数の画素を電力供給の異なる予め設定された複数の領域に分け、前記画素に入射する光を電気信号に変換する画素部と、前記画素部から電気信号を読み出すための制御信号を前記画素部に出力する走査部と、前記走査部が出力する制御信号により前記各画素から読み出された電気信号を外部に出力する出力部と、前記画素部への電力供給を前記領域毎にオンオフを制御する電源部とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】放射線検出パネルの外周部に設けられた機能素子に対する電源部からのノイズの影響を抑制する。
【解決手段】放射線を検出する放射線検出パネルと、前記放射線検出パネルの外周部の4辺のうち3辺に設けられ、所定の機能を有し、少なくとも1つがA/D変換器である機能素子と、前記放射線検出パネルの裏面に配置され、かつ、平面視における前記放射線検出パネルの中心部に配置され、前記放射線検出パネルを含む構成部の少なくとも一部へ電力を供給する電源部と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】放射線の照射により発生するラグを放射線検出素子内から速やかに除去することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置1は、検出部P上に二次元状に配列された複数の放射線検出素子7と、各放射線検出素子7にバイアス電圧Vbiasを印加するバイアス電源14と、少なくともバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧Vbiasを制御する制御手段22を備え、制御手段22は、各放射線検出素子7のリセット処理の際に各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧Vbiasを、少なくとも各放射線検出素子7から画像データDを読み出す画像データDの読み出し処理の際に各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧Vbiasよりも低い電圧に可変させる。 (もっと読む)


【課題】電源線および接地線の電位変動に起因する画質の劣化を抑制するための有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の行および複数の列を構成するように複数の単位セルが配列された画素アレイを有する固体撮像装置は、前記複数の単位セルの各々は、画素を含み、前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する画素内読出回路とを含み、前記複数の単位セルは、電源線および接地線を介して電力が供給され、前記複数の単位セルの少なくとも1つの単位セルは、前記電源線に接続された第1電極と前記接地線に接続された第2電極とを有する容量素子の少なくとも一部分を含む。 (もっと読む)


【課題】低い電圧でリング状ゲート電極下に蓄積された電荷を基板に排出し得、かつ、一括シャッタも実現し得る固体撮像素子を高精度に製造する。
【解決手段】nウェル33中のソース近傍p型領域83内にp+領域89を形成した後、リング状ゲート電極35をマスクとしたイオン注入法を適用して、p+領域89中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面n+層90を形成する。続いて、リング状ゲート電極35の開口部の内壁にLDDサイドスペーサ91を形成する。そして、リング状ゲート電極35をマスクとしたイオン注入法を適用して、LDDサイドスペーサ91を通して表面n+層90及びp+型領域89内にひ素を高濃度で注入し、n+型のソース領域36を形成する。ソース領域36の形成に伴いリング状のp+型領域84が残る。ゲート電極35とLDDサイドスペーサ91のセルフアラインでn+型のソース領域36とp+型領域84を形成できる。 (もっと読む)


【課題】装置全体の駆動停止を防ぎながら、高い周波数で高速掃出しを実行する。
【解決手段】一眼レフカメラ10はTG12、撮像素子駆動回路15、電源回路16、バッテリコネクタ17、キャパシタ回路30、および撮像素子40を有する。電源回路16はバッテリコネクタ17を介して接続されるバッテリ25から電力を取得する。電源回路16は一眼レフカメラ10の各部位を駆動するために用いる出力電力を生成する。キャパシタ回路30はバッテリ25の電力を用いて蓄電する。TG12が高速掃出し信号を送信するときにキャパシタ回路30は蓄電された電力を電源回路16に供給する。TG12が高速掃出し信号を送信するときに撮像素子駆動回路15は撮像素子40に高速掃出しを実行させる。 (もっと読む)


【課題】新しい構成を有する画素を提供することによって、マスク数及び工程数を増加させることなく、高い開口率を実現した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置を用いることにより、電源供給線が必要なくなるため、従来の半導体装置に比べて、パネル作成プロセスにおけるマスク枚数や工程数の増加を伴うことなく、より高い開口率を実現することが出来る。また、各画素が高い開口率をもつことにより、光の利用効率が向上し、半導体装置の省電力化および小型化が達成できる。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成で精度の高い熱検出が可能な熱センサー用検出回路、熱センサーデバイス及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】熱センサー用検出回路は、熱センサー素子CFの一端のノードである検出ノードN1と第2の電源ノードVDDとの間に設けられる充電回路20と、検出ノードN1と第1の電源ノードVSSとの間に設けられる放電回路30とを含む。放電回路30は、検出ノードN1と第1の電源ノードVSSとの間に直列に設けられる放電用抵抗素子RA及び放電用トランジスターT2を有する。充電回路20は、第2の電源ノードVDDと検出ノードN1との間に設けられる充電用トランジスターT1を含む。 (もっと読む)


【課題】両チップ間の接続部によるノイズの影響を低減でき、通信に特別な回路を必要とせず、結果的にコスト削減を図ることができる半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第1チップ11と、第2チップ12と、を有し、第1チップ11と第2チップ12は貼り合わされた積層構造を有し、第1チップ11は、高耐圧トランジスタ系回路が搭載され、第2チップ12は、高耐圧トランジスタ系回路より低耐圧な低耐圧トランジスタ系回路が搭載され、第1チップと上記第2チップ間の配線は、第1チップに形成されたビアを通して接続される。 (もっと読む)


【課題】蓄積性蛍光体パネルに記録された放射線画像情報を効率的且つ支障なく読み取ることができる放射線画像形成システムを提供する。
【解決手段】X線源制御装置22は、読取装置26にカセッテ24が装填され、あるいは、読取装置26内に蓄積性蛍光体パネルPが収容されていることをカセッテ検出センサ44又はパネル検出センサ58a〜58dにより検出した際、X線源16によるX線の照射を禁止し、これによって、蓄積性蛍光体パネルPに対するカブリの発生を回避する。 (もっと読む)


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