【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

発光フィルム；および発光フィルムの表面上に形成された、金属微細構造を有する金属層；を含み、この際、発光フィルムは、化学組成：Ｇａ_１−ｘＡｌ_ｘＮ：ｙＲｅ、ここでＲｅは希土類元素を表し、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦０．２である、窒化物を含む発光素子。窒化物を含む発光素子の製造方法および発光方法も提供される。金属層は発光フィルムの表面上に形成され、窒化物を含む発光素子は単純な構造、良好な発光均一性、高い発光効率および良好な発光安定性を有する。
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【課題】炭素繊維から放出された電子数に対するアノード電極に到達する電子数の比率の低下を抑制できる炭素繊維装置を提供する。
【解決手段】カソード基板１０と、カソード基板１０上に配置されたカソード電極２０と、カソード電極２０上に配置された炭素繊維１００と、カソード電極２０の配置された領域の残余の領域においてカソード基板１０上に配置されたゲート電極３０と、カソード電極２０及びゲート電極３０の上方に配置された透明のアノード電極４０と、アノード電極４０のカソード基板１０に対向する主面４０ｂ上に配置され、炭素繊維１００から放出された電子の衝突により励起発光する蛍光体膜５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図ることが可能な電界放出型デバイスを提供すること。
【解決手段】１対の基板１Ａ，１Ｂと、複数の電子放出源２と、アノード電極と、駆動手段６と、を備えている、電界放出型デバイスＡ１であって、複数の電子放出源２は、第１電子放出源グループ２Ａおよび第２電子放出源グループ２Ｂを含んでおり、基板１Ｂのうち第１電子放出源グループ２Ａに正対する部分には、光電変換膜がさらに形成されており、駆動手段６は、第１電子放出源グループ２Ａと上記アノード電極との間に電界放出が可能となる電界放出電圧以上の電圧を印加し、かつ第２電放出源グループ２Ｂと上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以下の電圧を印加する待機モードと、複数の電子放出源２と上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以上の電圧を印加する全面駆動モードと、を切り替えて駆動する構成とされており、上記待機モードから上記全面駆動モードへの切り替えは、上記光電変換膜に対する光の入射を検出したことにより行う。 （もっと読む）

【課題】低コストで安全かつ高パワーの大型ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ディスプレイ装置１００は、レーザアドレッシング装置１５０によりアドレッシングされる発光画素１１５を有する発光画面１１０を含む。各画素１１５は、光電陰極１２５に隣り合って配置された発光領域１３５を含む。レーザビーム１５７が照射すると、自由電子が生成される。この自由電子が、印加された高電圧電界により光電陰極１２５から発光領域１３５まで加速されることにより、発光領域１３５に、アドレッシングビームのエネルギーより実質的に高い輝度（エネルギー）の可視光を発光させる。 （もっと読む）