【課題】 基板の種類に依存しない、高解像度な表示装置を提供する。
【解決手段】 画素電極１１４と画素電極１１４を制御するための薄膜トランジスタとの組がマトリクス状に複数設けられた表示装置において、薄膜トランジスタに薄膜トランジスタのゲート電極１０６よりもパターン面積の広い活性層１０９が設けられ、活性層１０９に対してゲート電極１０６が形成された側に、活性層１０９の形成領域のうち少なくともゲート電極１０６とパターンが重ならない部位に絶縁層を介して、薄膜トランジスタのソース電極１１１およびドレイン電極１１２間に流れる電流を制御するための、ゲート電極１０６と異なる制御電極１００が設けられた構成である。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴ基板の生産性を向上させる。
【解決手段】 １枚のガラス基板１０から複数枚のＴＦＴ基板２０を形成する場合に、個片化前の各ＴＦＴ基板２０のロット番号や検査結果等の二次元データコードが書き込まれた個片情報識別用素子３０を、その表示領域２００外に形成する。個片情報識別用素子３０には、表面に識別電極を有するＴＦＴと有しないか有していても透明化されているＴＦＴとを適当にマトリクス配置して二次元データコードが形成されている。この二次元データコードは、ＴＦＴ基板２０の形成が完了した後に形成することもできる。これにより、各ＴＦＴ基板２０の個片化後もその情報を容易に取得できると共に、情報管理設備の簡素化、調査時間の短縮化を図ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ用、特に平面ディスプレイ用の各画素を制御するために回路チップが埋め込まれた回路基板シートを、品質よく、高い生産性のもとで効率的に作製するためのディスプレイ用の回路基板用シート、及びそれを用いて得られた、回路チップが埋め込まれてなるディスプレイ用回路基板シートを提供する。
【解決手段】回路チップを埋め込むためのエネルギー線硬化型高分子材料からなるディスプレイ用の回路基板用シートであって、前記エネルギー線硬化型高分子材料からなる未硬化層の回路チップ埋め込み温度における貯蔵弾性率が１０³Ｐａ以上１０⁷Ｐａ未満であり、該未硬化層を硬化させた場合の硬化層の２５℃における貯蔵弾性率が１０⁷Ｐａ以上である回路基板用シート、及び該回路基板用シートにおけるエネルギー線硬化型高分子材料からなる未硬化層に、回路チップを埋め込み、これにエネルギー線を照射して硬化させてなるディスプレイ用回路基板シートである。 （もっと読む）

【課題】高い電気移動度を有すると共に製造コストを最少に抑えることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板上に形成されている第１及び第２電極と、第１電極上に形成されている半導体芯、半導体芯の一部を覆う内皮、内皮を覆う外皮を有する微細線と、第１電極及び微細線上に形成されている固定部材と、半導体芯に接続され、透明電極及び反射電極を有する画素電極とを備え、半導体芯の一部は内皮及び外皮と固定部材で覆われずに、第２電極及び画素電極に接続されている。 （もっと読む）

マトリクスディスプレイは、光学的にアドレス可能なピクセル（Ｐｉｊ）のマトリクスを有する。ピクセル（Ｐｉｊ）は、感光素子（ＬＳｉｊ）を有し、当該感光素子（ＬＳｉｊ）は、当該感光素子（ＬＳｉｊ）に当たる制御光（Ｌｊ）の輝度に応じた状態を持つ。ピクセル（Ｐｉｊ）は、感光素子（ＬＳｉｊ）の状態に応じた輝度を持つピクセル光（ＬＭｉｊ）を発するためのピクセル発光素子（ＬＧｉｊ）を有する。マトリクスディスプレイ装置は、ピクセル（Ｐｉｊ）のマトリクスの前に配置される透明材料（ＴＳ）のシートと、光源からの光を透明材料（ＴＳ）のシートの側に結合するための当該光源（ＬＳ）とを有する。使用に際し、前記光源からの光は、前記シート内で実質的に内部全反射する。前記制御光（Ｌｊ）は、シート（ＴＳ）が局所的に乱れた場所でシート（ＴＳ）から出る。この制御光は、これらの位置でピクセル（Ｐｉｊ）の輝度をスイッチ若しくは又は変化するか、又は、タッチ位置情報を与える。
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【課題】 所望の素子特性を有するＴＦＤを得ることが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置の製造方法は、第２層間絶縁膜２５に、コンタクトホール９，１０，１３，３３，３６，４１，４４を形成するとともに、ＴＦＤの半導体層７１の一部で開口するコンタクトホール７５，７６を形成する工程と、前記コンタクトホールを通してイオン注入することによりＴＦＤを構成する半導体層７１のうちの先に形成したＰ型不純物拡散領域７２とは異なる領域にＮ型不純物拡散領域７４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便な部材構成で、画面の切り替え時間を短縮し、かつ表示コントラストが高い表示素子の提供。
【解決手段】銀化合物を含む電気化学的活性要素からなる電気化学トランジスタを駆動回路とし、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質液を有し、銀の溶解析出を生じさせるように対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、表示素子の電解質液が下記一般式、またはＲ₅−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₆の少なくとも１種と、Ｒ₇−Ｓ−Ｒ₈またはＭＳ，Ｎ，Ｚ，Ｒ₉からなる化合物の少なくとも１種とを含有する表示素子。
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【課題】 製造の工数を増大させることのない液晶表示装置を提供する。柱状スペーサの周辺においても液晶の分子の配向に信頼性を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される第１の基板と第２の基板と、この第１の基板の液晶側の面に形成された柱状スペーサと、前記第２の基板の液晶側の面に前記柱状スペーサの頭部に対向する部分に凹陥部を有して形成された配向膜を備え、
前記配向膜は光配向処理がなされたものである。 （もっと読む）

マトリクスディスプレイ装置は、感光素子（ＬＳｉｊ）及びピクセル発光素子（ＬＧｉｊ）を有する光学的にアドレス可能なピクセルのマトリクスを有する。発光素子（ＬＧｉｊ）は、感光素子（ＬＳｉｊ）の状態に依存する輝度を有するピクセル光（ＬＭｉｊ）を生じる。感光素子（ＬＳｉｊ）の状態は、それに当たる光量に依存する。ピクセル発光素子（ＬＧｉｊ）の実際の輝度は、更に、それにかかる電圧に依存してもよい。ピクセル（Ｐｉｊ）は、ピクセル発光素子（ＬＧｉｊ）によって発生されるピクセル光（ＰＬＭｉｊ）の一部がピクセル（Ｐｉｊ）の関連した感光素子（ＬＳｉｊ）に到達するように構成される。感光素子（ＬＳｉｊ）は、ピクセル光（ＰＬＭｉｊ）の前記一部を感知し、感光素子（ＬＳｉｊ）へのピクセル光（ＰＬＭｉｊ）の前記一部のフィードバックを得る。このフィードバックは、ピクセル（Ｐｉｊ）のメモリ動作を得る又はピクセル（Ｐｉｊ）の固有のメモリ動作に影響を与えるために用いられることができる。
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【課題】 球状スペーサーを用いる液晶表示装置及びその製造方法において、球状スペーサーの位置ズレを防止し、基板間の間隔や圧力のムラを防止することができるものを提供する。
【解決手段】アレイ基板１０上に形成された画素電極用コンタクトホール５１により、画素電極６とＴＦＴ７の端子電極または補助容量形成部３２とが導通している。球状スペーサー８は、所定個所の画素電極用コンタクトホール５１中に、インクジェット法により形成される。 （もっと読む）

【課題】 所要の膜厚で均一な膜厚の薄膜配線をインクジェット方式で形成した表示装置用基板を得る。
【解決手段】 基板に形成したゲート配線パターン８０とゲート電極部パターン８０aに倣って形成された溝４にインクジェット装置のノズルから配線材料インク３を滴下する。配線材料インク３は幅広部８１の溝４に滴下する。配線材料インク３は未だ滴下した後の低粘度状態にあり、滴下された配線材料インク３は隣接するインク滴と連結すると共に、矢印で示したように、溝４の中をゲート配線パターン８０では相互に連結し、かつゲート電極部パターン８０aに漸次濡れ広がり、溝４の中を満たして連続した状態となる。溝４に滴下する配線材料インク３の量は、ゲート配線パターン８０とゲート電極部パターン８０aとなる薄膜の膜厚を満足する量になるように決める。 （もっと読む）

【課題】信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された複数の走査配線１１と、走査配線１１に交差する複数の信号配線１２と、対応する走査配線１１に印加される信号に応答して動作する複数のスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３を介して対応する信号配線に電気的に接続され得る複数の画素電極１４とを備えている。各画素電極１４は、対応する信号配線に基板法線方向から見たときに重なる重畳部を有する。導電部材１８が、絶縁膜２１を介して信号配線１２の下層に設けられている。この導電部材１８は、基板法線方向から見たときに少なくとも一部が画素電極１４の重畳部に重なっており、レーザ光を照射されることによって溶融して信号配線１２と画素電極１４とを接続し得る。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置の画素を駆動するＴＦＴに代替するスイッチング素子を採用することにより、電気光学装置の製造コストの削減、製造工程及び構造の単純化を図る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０と、基板１０上に、第１強磁性層２４と第１強磁性層２４に対向配置された第２強磁性層２８と第１強磁性層２４と第２強磁性層２８との間に設けられた半導体層２６とを有するスイッチング素子３０と、基板１０上に、第１金属層３４と第１金属層３４に対向配置された第２金属層３と第１金属層３４と第２金属層３との間に設けられた絶縁層３６とを有する容量部６０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特別な製造方法を用いることなく簡易なプロセスで形成可能であり、キャリア移動度または導電性が高い有機分子層を備える電子デバイスおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】 導電性の有機分子層を備え、有機分子層は、第１の共役π電子系を構成する主鎖と、主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含む。その末端基は第２の共役π電子系を構成し、主鎖に直交する方向における第２の共役π電子系の広がりが、主鎖に直交する方向における第１の共役π電子系の広がりよりも大きい。そして、その末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない。 （もっと読む）

【課題】 狭額縁化と色再現範囲の拡大が両立された表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、透過部の面積が異なる複数の画素を有する。それぞれの画素を駆動するためには、各画素毎に画素ドライバやスイッチング回路といった駆動回路が必要とされる。そこで、駆動回路を透過部の面積が小さい画素の遮光部に配置する。例えば、１つのカラー画素がＲＧＢ３色のサブ画素により構成される場合、グリーン画素の透過部の面積を、レッド及びブルー画素の透過部の面積より小さくし、グリーン画素の周辺に３色のサブ画素の駆動回路を形成する。これにより、駆動回路を効率よく集中させて狭額縁化を図ることができる。また、グリーン画素をレッド及びブルー画素より小さくすることにより、緑の輝度を赤及び青の輝度に対して相対的に低下させ、バランスのよい白色を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直配向方式の液晶表示装置において、フォトスペーサの周囲に生じる光漏れを遮光する。
【解決手段】素子基板は、ＴＦＤ素子、配線及び画素電極を有する。画素電極は、複数の多角形をなす単位電極部と、くびれ形状をなし各単位電極部を接続する接続部分とを有している。画素電極を平面視すると、略三串団子状の平面形状をなしている。このため、相隣接する画素電極の間に、且つそれらの各接続部分付近に領域Ｅ１が形成されている。かかる領域Ｅ１は、相隣接する画素電極の各々から離れた位置に形成されており且つ所定面積の領域が確保できるため、フォトスペーサが配置される。フォトスペーサと重なる領域Ｅ１において、遮光部が形成される。よって、フォトスペーサの周囲に生じる光漏れを確実に遮光することができ、コントラスト低下等が生じるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 発光効率を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】 順にオレンジ色に発光する有機ＥＬ素子ＯＬおよび白色に発光する有機ＥＬ素子ＷＬが設けられている。有機ＥＬ素子ＯＬからオレンジ色光を得る。この場合、カラーフィルタ層は設けられない。また、有機ＥＬ素子ＷＬによる白色光を所定のカラーフィルタ層に透過させることにより緑色光および青色光を得る。さらに、有機ＥＬ素子ＷＬから白色光を得る。この場合、カラーフィルタ層は設けられない。このようにして、オレンジ色光、緑色光、青色光および白色光を得る。 （もっと読む）

【課題】 発光効率を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】 有機ＥＬ素子ＯＬの下方に赤色カラーフィルタ層ＣＦＲを設ける。また、有機ＥＬ素子ＷＬの下方には、緑色カラーフィルタ層ＣＦＧ、青色カラーフィルタ層ＣＦＢおよびカラーフィルタ層を配置しない領域をこの順に並べて設ける。有機ＥＬ素子ＯＬによるオレンジ色光を赤色カラーフィルタ層ＣＦＲに透過させることにより赤色光を得る。また、有機ＥＬ素子ＷＬによる白色光を緑色カラーフィルタ層ＣＦＧおよび青色カラーフィルタ層ＣＦＢに透過させることにより緑色光および青色光を得る。さらに、有機ＥＬ素子ＷＬから白色光を得る。このようにして、赤色光、緑色光、青色光および白色光を得る。 （もっと読む）

【課題】 再現性良く製造できる駆動電圧の低い有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、およびその有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することである。
【解決手段】 有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール輸送層３、発光層４、第一電子輸送層５、金属層６、第二電子輸送層７および電子注入電極８を備える。金属層６は、第一電子輸送層５と第二電子輸送層７との間に形成される。金属層６の膜厚は、１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

容積の小さいモジュール化の可能な発光装置を提供することを課題とする。ＥＬ素子等を代表とする発光素子を画素部に用い、１枚の発光装置に画素部を２箇所異なる位置に設ける。第１の画素部は、画素をマトリクス状に配置した画素部とし、周辺には、第１の画素部に信号を送る第１のソース信号線駆動回路や第１のゲート線駆動回路を有している。第２の画素部は、パッシブ型の画素で構成し、第１の画素部、第１のソース線駆動回路あるいは第１のゲート線駆動回路を構成するＴＦＴ群とは、基板裏面から基板表面に向かう方向に、層間膜で隔てられている。
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