【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）

【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、１つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、１つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製品に組み込まれている状態で液晶の配向性を評価可能な液晶ディスプレイ装置等を提供する。
【解決手段】液晶ディスプレイ装置１０は、第１及び第２の面を夫々有する第１及び第２の基板１１ａ、１１ｂと、第１の面どうしが向かい合うよう配置された第１及び第２の基板の間に注入される液晶層１２とを有する。装置１０は、第１の基板１１ａの第２の面又は第２の基板１１ｂの第２の面に向かって照射された光を、液晶層１２を間に介して透過する第１及び第２の偏光手段１３ａ、１３ｂと、第１及び第２の偏光手段１３ａ、１３ｂを透過した光を検出する光検出手段１５とを更に有する。光検出手段１５は、液晶層１２の駆動のための回路とともに、第２の基板１１ｂの第１の面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供することを目的の一とする。フォトリソグラフィ工程を削減し、より高い生産性で歩留まり良く半導体装置を提供する。
【解決手段】第１配線と、第２配線と、第１配線及び第２配線の間に、第１配線及び第２配線より低電位な第３配線とを有し、第１配線と第３配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第１トランジスタを介して電気的に接続され、第２配線と第３配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第２トランジスタを介して電気的に接続され、第１配線、第２配線、第３配線の上方又は下方には、第１トランジスタ及び第２トランジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電源供給線の配線抵抗による電位降下によって生じる電位のずれを軽減すること
により、表示領域内のムラを軽減し、鮮明な多階調カラー表示が可能なアクティブマトリ
クス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電源供給線の引き出し口を複数配置する。また、外部入力端子と画素部電源
供給線の間の配線抵抗を、帰還増幅器をもって電源供給線に電位供給することにより、電
位補償をおこなう。また、上記構成に加え、電源供給線をマトリクス状に配置する。 （もっと読む）

【課題】小面積化が可能、素子数が少なく構成が簡易、低消費電力動作、製造における高
歩留まりが見込める電流記憶回路を実現する。また、この電流記憶回路をＯＬＥＤ表示装
置等の電流駆動型の表示装置に適用することにより、表示装置の画素開口率の向上、高信
頼性化、高性能化等を実現する。
【解決手段】ドレインまたはソースを複数有するトランジスタのような形状の新規な半導
体素子を用いることを特徴とする。この半導体素子を書込み用素子と駆動用素子に用いる
場合、電流値の読込み、記憶、そして電流出力が、この半導体素子二つで行うことができ
、小面積化が著しく容易となる。 （もっと読む）

【課題】従来のブラックマトリックス層等を用いないことで、残渣の問題を解消して、コントラストの低下をなくすことができる情報表示用パネルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】情報表示画面領域が透明な観察側とする絶縁性基板と背面側とする絶縁性基板とを、基板間ギャップ確保用隔壁を介して対向させて形成した、基板間の情報表示画面領域内の空間に配置された表示媒体を、情報表示画面領域が透明な観察側とする絶縁性基板の内側面および背面側とする絶縁性基板の内側面にそれぞれ形成されている電極を用いて形成した電界で駆動させて情報を表示する情報表示用パネルであって、情報表示画面領域内に配置される基板間ギャプ確保用隔壁４は透明であり、情報表示画面領域内に配置される基板間ギャップ確保用隔壁と絶縁性基板とを接合する接着材９は透明であり、背面側とする絶縁性基板の内側面の少なくとも透明な基板間ギャップ確保用隔壁との間には絶縁性の有色層３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものと
して、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を
有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線
上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層
と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前
記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを
特徴としている。 （もっと読む）

【課題】電源線の抵抗を抑制しながら各要素を電源線と同層から形成する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと素子導通部７１と初期化トランジスタＴintと接続部６１とが配置される。駆動トランジスタＴdrは、電源線１５から発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。素子導通部７１は、駆動トランジスタＴdrと発光素子Ｅとを電気的に接続する。初期化トランジスタＴintは、オン状態に遷移することで駆動トランジスタＴdrをダイオード接続する。接続部６１は、駆動トランジスタＴdrと初期化トランジスタＴintとを電気的に接続する。電源線１５はＸ方向に延在する。素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの面積が大きい発光装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、発光素子１１と、発光素子１１に接続されるとともに、発光素子１１に重なる位置に形成されたキャパシタ１８と、発光素子１１の一辺側に配置された第１駆動トランジスタ１６と、発光素子１１の他辺側に配置された第２駆動トランジスタ１７と、を備える。そして、第１駆動トランジスタ１６のゲート電極１６ｇと第２駆動トランジスタ１７のゲート電極１７ｇとは、キャパシタ１８の電極１８ａを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも第１及び第２のチャネル形成領域と、第１及び第２のチャネル形成領域の間に第１及び第２のＬＤＤ領域と、第１及び第２のＬＤＤ領域の間に第１及び第２のＬＤＤ領域よりも高い濃度の不純物領域と、第１及び第２のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、第３のチャネル形成領域と、第３のチャネル形成領域を挟み、かつ一部がゲート電極と重なる不純物領域と、を有する第２のトランジスタとを有するＥＬ表示装置であって、ＬＤＤ領域は、第１及び第２のゲート電極と重ならず、第１のトランジスタのソース又はドレインの一方が、第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、第２のトランジスタのソース又はドレインの一方が、ＥＬ素子に電気的に接続しているＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】画質が明るく安価な発光装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む発光装置において、画素部および駆動回路は全てｎチャネル型の半導体素子で形成され、製造工程が簡略化されている。また、画素部に設けられた発光素子は、絶縁体から遠ざかる方向に放射されるため、ほぼ画素電極（ＥＬ素子の陰極に相当する）全体が有効発光領域となる、従って、画素電極の面積を有効に活用した表示領域とすることができ、画質が明るく安価な発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、アドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像（映像）の表示が可能であり、ＥＬ駆動用トランジスタが、劣化によりノーマリーオンとなった場合にも、信号線の電位を変えて動作を補償することの出来る画素を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。この構造により、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線１０６の電位を変えることで、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２が確実に非導通状態となるように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】本発明は狭額縁化を実現しつつ、アノード線もしくはカソード線の電圧降下を防
ぐための構造を有した表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を鑑み、本発明では、額縁領域において多くの面積を占めていた引
き回し配線を例えばＦＰＣなどにより外付けの配線とすること、封止缶で代用すること、
対向基板に形成した導電膜で代用することにより、狭額縁化と引き回し配線の電圧降下の
抑制の二つを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬの膜厚が薄いことにより陽極−陰極間がショートしたり、トランジスタ不良
が起きたりする。
【解決手段】電極及び電界発光層を有する発光素子と、前記発光素子の電極に電気的に接
続された配線と、ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を含む活性層を有するトラン
ジスタと、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線
とを有し、前記配線は、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続
され、前記電極と前記配線とが電気的に接続される領域の近傍に、前記電極と前記配線と
が電気的に接続される領域に比較して前記電極の幅が細い領域を有することを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高画質で信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素領域における画素電極層上、及び画素電極層周辺を覆う隔壁として機能する絶縁層上に、スペーサを有する。このスペーサによって、発光材料を画素電極層上に形成する際、選択的に形成するためのマスクは支持され、マスクのよじれやたわみなどによって画素電極層に接することを防止する。よって、画素電極層にはマスクによる傷などの損傷が生じず、画素電極層は形状不良とならないので、高繊細な表示を行う、高信頼性な表示装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いて形成されたチャネルを含むトランジスタに、ゲート電圧をパルス状に印加することにより、一定のゲート電流が得られることを見出し、これを光センサに応用した。当該光センサはリフレッシュ動作を要さないため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。比較的高い移動度と低いＳ値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）