表示装置
【課題】本発明は狭額縁化を実現しつつ、アノード線もしくはカソード線の電圧降下を防
ぐための構造を有した表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を鑑み、本発明では、額縁領域において多くの面積を占めていた引
き回し配線を例えばＦＰＣなどにより外付けの配線とすること、封止缶で代用すること、
対向基板に形成した導電膜で代用することにより、狭額縁化と引き回し配線の電圧降下の
抑制の二つを実現することが可能となる。
ぐための構造を有した表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を鑑み、本発明では、額縁領域において多くの面積を占めていた引
き回し配線を例えばＦＰＣなどにより外付けの配線とすること、封止缶で代用すること、
対向基板に形成した導電膜で代用することにより、狭額縁化と引き回し配線の電圧降下の
抑制の二つを実現することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に薄膜半導体素子で構成された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）と呼ばれる薄型の表示装置は、モバイル機器な
どの携帯される電子機器用のディスプレイととして需要が拡大している。特に有機物を含
む層に電流を流すことにより発光する、電界発光素子を用いたディスプレイは自発光、低
消費電力、高速応答性など有利な点が多いため、実用化が推し進められている。
【０００３】
これら携帯されることが念頭に置かれた電子機器におけるディスプレイには、省電力化
、軽量化、薄型化、小型化、狭額縁化など様々な特性が求められる。この中で狭額縁化と
は、ディスプレイ全体の面積における表示部の占める割合をできるだけ大きくすることで
あり、狭額縁化されると表示部の面積は変えずにディスプレイを小型化することが可能と
なるし、また、ディスプレイの面積を変えずに表示面積を大きくすることが可能となる。
【０００４】
このように、狭額縁化されることによって、表示部の大きさを変えずに、より持ち運び
しやすく、よりスマートでスタイリッシュなモバイル機器を作製することができる。また
、狭額縁化の構成で作製した上でディスプレイの面積と表示部の面積を変化させないとす
れば、あまった額縁部分に様々な機能をもった回路を設けることでより付加価値の高い商
品を提供することが可能となる。これにより、よりユーザーの要求を満たす、嗜好性の高
い商品を提供することができるようになる。これらの理由により、ディスプレイを狭額縁
化するための研究は様々な観点から行われている。（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８８００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、様々な方法によって狭額縁化は試みられているが、前述の電界発光素子を
用いたディスプレイにおいて、現状、額縁と呼ばれている領域において多くの面積を専有
してしまっているのが、引き回し配線である。
【０００７】
画素部には複数のアノード線または複数のカソード線がストライプ状に走っているが、
これらには一定の電圧が供給される。パネル内全てにおいてムラのない表示を得るために
はアノード線もしくはカソード線全てが同じ電圧を保持する必要がある。電圧はアノード
線またはカソード線の一端に供給された場合、それらに接続されている画素が電流を消費
するため電圧降下が起き、他端では供給された電圧より低い電圧となってしまう。この電
圧降下が大きすぎると表示にも影響を及ぼしてしまうため、電圧の供給はアノード線、ま
たはカソード線の両端になされていることが多い。なお、本明細書では電界発光素子のア
ノード側、カソード側の電極に接続され、発光に供与する電流を供給する為の配線をアノ
ード線、カソード線という。
【０００８】
そして、その電圧の供給はパネル外部または内部の電源回路より供給される。パネル外
部から供給された電圧はパネルの外部接続部より、配線によってアノード線またはカソー
ド線の一端または両端に供給されるが、外部接続部よりアノード線もしくはカソード線の
両端まで電圧を引っ張ってくる配線を引き回し配線という。表示部は高精細化、高開口率
化のために余分な配線が入る余地は無いため、引き回し配線は、表示部の外側、額縁領域
に形成される。
【０００９】
ところで、前述した電圧降下は画素の消費する電流によるものであったが、電圧降下は
配線抵抗によっても発生する。配線は細くなると抵抗が増加するため、微細な配線パター
ンを形成しなければならない表示装置においては大きな問題となりうる。特に長い距離を
引き回さなければいけない引き回し配線はなるべく太く、抵抗が低くなるようにしなけれ
ばいけない。特に電界発光ディスプレイにおいては、画素による電流の消費があるため電
圧降下の影響が大きく、それを補うために液晶ディスプレイに比較して、引き回し配線を
太くする必要が生じる。結果として、電界発光ディスプレイには広い額縁面積が必要とな
ってしまう。
【００１０】
このように、引き回し配線に供給される電圧の電圧降下を防ぐ為にはなるべく太い、断
面積の大きい引き回し配線を形成する必要があり、それが狭額縁化の妨げになっていた。
これは特に小型のディスプレイに関して大きな問題であった。たとえば、携帯電話サイズ
の表示領域を持つパネルにおいては、引き回し配線の部分は片側約２ｍｍ程度、両側にあ
ると４ｍｍにもなってしまう。しかも、レイアウト上、片側２ｍｍしかとれなかっただけ
であって、電圧降下を防止するという観点からみれば本来であればもう少し太くすること
が必要であると言われている。
【００１１】
以上の問題を鑑み、本発明は狭額縁化を実現しつつ、引き回し配線の電圧降下を防ぐた
めの構造を有した表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、額縁領域において多くの面積を占めていた引き回し配線を外付けの配線と
することで、狭額縁化と引き回し配線の電圧降下の抑制の二つを実現する。
【００１３】
本発明の構成の一つは、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複
数のアノード線またはカソード線と、前記画素部を挟んで形成されている複数の外部接続
部を有し、前記外部接続部は前記アノード線または前記カソード線の両端側にそれぞれ位
置し、前記アノード線または前記カソード線はその両端に前記外部接続部のうち近い位置
にあるものに接続されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の他の構成は、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複数
のアノード線またはカソード線と、前記アノード線またはカソード線の一端を全て接続す
る第１の配線と、前記アノード線またはカソード線の他端を全て接続する第２の配線と、
前記画素部を挟んで形成されている複数の外部接続部を有し、前記外部接続部は前記アノ
ード線または前記カソード線の両端側にそれぞれ位置し、前記第１の配線と、前記第２の
配線は、前記外部接続部のうち近い位置にあるものに接続されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の構成は前記構成において、前記外部接続部にはＦＰＣに代表されるような
フレキシブル配線基板が取り付けられていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の他の構成は前記構成において、前記フレキシブル配線基板は一枚であることを
特徴とする。
【００１７】
本発明の他の構成は前記構成において、前記フレキシブル配線基板は取り付けられてい
る前記外部接続部ごとに異なるフレキシブル配線基板であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の他の構成は前記構成において、前記フレキシブル配線基板は前記アノード線
または前記カソード線の一端側と他端側で別に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
このように、引き回し配線を外付けの配線とし、外部接続部より電圧を供給すること
で、少なくとも基板上の外部接続部が形成されていない辺の狭額縁化が可能となりディス
プレイ面積の縮小や表示画面の拡大、多様な機能を有する回路などの搭載による付加価値
の増大などの効果が得られる。
【００２０】
本発明の構成の一つは、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複
数のアノード線またはカソード線と、前記画素部を封止する導電性を有する封止缶を有し
、前記アノード線または前記カソード線は前記封止缶と電気的に接続されていることを特
徴とする。
【００２１】
本発明の構成の他の構成は、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成され
た複数のアノード線またはカソード線と、前記画素部を封止する導電性を有する封止缶を
有し、前記アノード線または前記カソード線の両端は前記封止缶と電気的に接続されてい
ることを特徴とする。
【００２２】
本発明の他の構成は、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複数
のアノード線またはカソード線と、前記アノード線またはカソード線の一端を全て接続す
る第１の配線と、前記アノード線またはカソード線の他端を全て接続する第２の配線と、
前記画素部を封止する導電性を有する封止缶を有し、前記第１の配線と前記第２の配線は
前記封止缶と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２３】
このように、引き回し配線を無くし、封止のための封止缶を利用して電圧を供給する
ことで、少なくとも、いままで引き回し配線が形成されていた部分の狭額縁化が可能とな
りディスプレイ面積の縮小や表示画面の拡大、多様な機能を有する回路などの搭載による
付加価値の増大などの効果が得られる。また、外部接続部及びフレキシブル配線基板（Ｆ
ＰＣ等）を通してアノード線またはカソード線の電圧を供給しなくて済むため、ピン数の
削減などにも寄与する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の構成を適用することによって、従来引き回し配線が占めていた額縁領域の一部
を表示領域とすることができるようになり、結果として狭額縁化が実現する。また、配線
抵抗も低減することが可能となるため、電圧降下による影響も起こりにくくなり表示品質
が向上する。これらの効果により、よりユーザーの要求を満たす、付加価値の高い表示装
置を提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施の形態１を表す図。
【図２】実施の形態１を表す図。
【図３】実施の形態２を表す図。
【図４】実施の形態２を表す図。
【図５】実施の形態２を表す図。
【図６】実施の形態３を表す図。
【図７】実施の形態４を表す図。
【図８】実施例１を表すプロセス図。
【図９】実施例１を表すプロセス図。
【図１０】本発明を適用した電子機器の一例を示す図。
【図１１】従来の引き回し配線の図。
【図１２】実施の形態１を表す図。
【図１３】実施の形態１を表す図。
【図１４】実施の形態１を表す図。
【図１５】実施の形態３を表す図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態では引き回し配線をフレキシブル配線基板で代用する例について図１を参
照しながら説明する。
【００２７】
まず、従来の構造について図１１を用いて説明する。１００が基板、１０１が対向（封
止）基板、１０２が表示部、１０３が外部接続部、１０５が駆動回路部、５００が引き回
し配線である。このように、従来の構造においては引き回し配線５００があるために、表
示部１０２が基板に比べてかなり小さくなってしまっている。
【００２８】
図１（Ａ）は本発明を適用した電界発光ディスプレイに用いられるパネルである。基板
１００上に形成された電界発光素子を対向基板１０１で封止することによって表示部１０
２が形成されている。１０３、１０４は外部接続部、１０５は駆動回路部である。なお、
アノード線またはカソード線は表示部１０２に形成されており、それらの端部は外部接続
部１０３及び１０４側にある。
【００２９】
このようにパネルの対向する２端（アノード線またはカソード線の端部に近い方）に外
部接続部を設けてそれぞれ近い方の外部接続部より電圧を供給することで、従来と比較し
て表示部の面積を大きくしても、大きな電圧降下が起こらず、高品質な表示を得ることが
可能となる。
【００３０】
図１（Ｂ）、（Ｃ）は外部接続部１０３、１０４に接続する配線の例である。本実施の
形態においてはフレキシブル配線基板（ＦＰＣ等）１０６を用いて接続を行った例を示し
ている。
【００３１】
図１（Ｂ）はトップエミッションの場合の例であり、フレキシブル配線基板１０６は基
板の裏側を通って外部接続部１０４に接続している。この構造であると、外部接続部１０
３と１０４に接続するフレキシブル配線基板１０６は１枚で済む。図１（Ｃ）は同様にボ
トムエミッションの例となっている。
【００３２】
なお、外部接続部１０３、１０４の形成の仕方はこれに限らず、ストライプ状に形成さ
れたアノード線もしくはカソード線の両端側に形成されていれば、図２に示すように外部
接続部２００、２０１を形成してもよいし、それらに接続する配線（この場合フレキシブ
ル配線基板）は１枚ではなく、図２（Ｂ）に示すように２枚（２０２、２０３）でもかま
わない。この場合、フレキシブル配線基板２０２と２０３両方が表示部１０２に係らない
ように接続されていれば、両面発光（デュアルエミッション）でも用いることが可能であ
る。
【００３３】
なお、フレキシブル配線基板の代わりに図１２（Ａ）〜（Ｃ）のように導電性のリボン
２００１、２００３を用いても良い。この場合は、図示した様にアノード線もしくはカソ
ード線の一端にはフレキシブル配線基板２０００、２００６から電圧を供給し、もう一端
に導電性のリボン２００１、２００３を介して電圧を供給する様にしても良いし、また、
図１４に示したように外部接続部２００９と導電性のリボン２００２をさらに設けてアノ
ード線もしくはカソード線の両端に導電性のリボン２００１、２００２、２００３から電
圧を供給する様にしても良い。
【００３４】
図１２（Ａ）（Ｂ）において導電性のリボン２００１は図１（Ａ）〜（Ｃ）の外部接続
部１０３、１０４に相当する外部接続部２００７においてハンダや導電性の粘着剤など導
電性を損なわない物によって適宜接着する。図１２（Ａ）は図１（Ｂ）に相当し、上面に
光を取り出す構造の際に導電性のリボン２００１で引き回し配線を代用した場合の図であ
る。また図１２（Ｂ）は図１（Ｃ）に相当し、下面に光を取り出す構造の際に導電性のリ
ボン２００１で引き回し配線を代用した場合の図である。また、図１２（Ｃ）は図２（Ｂ
）に相当し、図２（Ｂ）における外部接続部２０１に相当する外部接続部２００８におい
て導電性のリボン２００３が電気的に接触しており、アノード線もしくはカソード線の一
端に電圧を供給する。図１２（Ｃ）におけるフレキシブル配線基板２００６は図２（Ｂ）
におけるフレキシブル配線基板２０２に相当する。
【００３５】
導電性のリボン２００１には、予め接着面に接着剤が塗布された市販の導電性テープ等
を用いることも可能である。
【００３６】
図１３（Ａ）、（Ｂ）はフレキシブル配線基板の代わりに導電線２００４を用いた例で
ある。この場合も図１２（Ａ）〜（Ｃ）と同様、アノード線もしくはカソード線の一端に
はフレキシブル配線基板２０００から電圧を供給し、もう一端に導電線２００４を介して
電圧を供給する様にしても良いし、図示はしていないが図１４のように外部接続部と導電
線をさらに設けてアノード線もしくはカソード線の両端に導電線より電圧を供給する様に
しても良い。
【００３７】
導電線２００４は図１の外部接続部１０３、１０４に相当する外部接続部２００５にお
いてハンダなどによって適宜接着すればよい。図１３（Ａ）は図１（Ｂ）に相当し、上面
に光を取り出す構造の際に導電線２００４で引き回し配線を代用した場合の図である。ま
た図１３（Ｂ）は図１（Ｃ）に相当し、下面に光を取り出す構造の際に導電線２００４で
引き回し配線を代用した場合の図である。
【００３８】
なお、導電線２００４は電気的な接触が必要である部分以外に絶縁被膜が形成されてい
ても良いし、されていなくとも良い。導電線の材料に限定はないが、銅や銀、金、アルミ
ニウムなどの抵抗の低いものでなることが望ましい。
【００３９】
このように引き回し配線の代わりに導電性のリボン２００１や導電線２００４を用いて
も良い。また、その他の導電体を引き回し配線の代わりに用いても本発明の主旨に反しな
い限り適用可能であることは言うまでも無い。
【００４０】
（実施の形態２）
本実施の形態では引き回し配線を封止缶で代用する例について図３を参照しながら説明
する。
【００４１】
図３（Ａ）の斜視図は本発明の構成を、封止缶を用いて実施した例である。基板３００
、フレキシブル配線基板３０１、封止缶３０２、表示部３０３、封止缶への電圧供給部３
０４となっている。本構成においてはフレキシブル配線基板３０１側のアノード線または
カソード線の端部にはフレキシブル配線基板より電圧が供給され、フレキシブル配線基板
３０１より遠い他端に封止缶を通して電圧が供給されている。
【００４２】
図３（Ｂ）、（Ｃ）はアノード線またはカソード線へ封止缶３０２から電圧が供給され
ている部分（斜視図のＡ−Ａ’）の断面図である。基板３００上の表示領域に発光素子３
１３を駆動する為の駆動用トランジスタ（Ｐチャネル型）が形成されており、そのソース
側にアノード線が接続されている。この際、３０６は発光素子３１３の陽極、３０７は有
機化合物を含む発光層、３０８は発光素子３１３の陰極となっている。本実施の形態では
３０６は発光素子３１３の陽極となっているが、３０６が陰極である場合は、３０８が発
光素子の陽極、３０５はカソード線、駆動用トランジスタはＮチャネル型となるが大勢は
同じと考えて良い。そしてこの表示部３０３の発光素子３１３を内側に乾燥剤３１１を取
り付けた封止缶３０２で封止している。その後、絶縁性の膜３１４を封止缶上に成膜して
、他部分からのショートなどを防いでいる。
【００４３】
３１０、３１２は封止剤である。３１０は絶縁性の封止剤を用いており、その内側で導
線性の材料３０９でアノード線３０５と封止缶３０２の導通をとっている。導電性の材料
３０９はアノード線３０５と封止缶３０２との導通がとれれば何でもかまわないが、導電
性粒子を分散させた粘性のある液体をインクジェット法などで塗布したり、図４（Ａ）の
ように土手と呼ばれる絶縁膜６００にアノード線まで達する開口部６０１を形成し、その
中にはんだボールなどの導電性粒子６０２を詰めたり、導電性粒子を分散させた液体を流
し込んだり、図４（Ｂ）のように開口部６０１の中に導電性のフィラー６０３を立てたり
してアノード線と封止缶の導通を採ることが考えられる。導電性の材料３０９や導電性粒
子６０２、フィラー６０３は弾性を有していると封止缶とアノード線との導通不良が起こ
りにくく好適である。また、封止材３１２は導電性の封止材であり、図３（Ｃ）のように
封止材３１２を介してアノード線３０５と封止缶３０２との導通をとることができる。
【００４４】
また、図５（Ａ）のように封止缶のアノード線との導通を取る部分に弾性を有するバネ
のようなもの７００を取り付けて導通をとっても良い。もちろん、弾性を有するバネのよ
うなもの７００の形状は図５（Ａ）に示した形状に限定されず、弾性を有し、アノード線
もしくはカソード線と良好な導通がとれるような形状、材質であればどのようなものを用
いてもかまわない。また、これと上記した導通方法と組み合わせるとさらに良い。
【００４５】
封止缶３０２はステンレスなどが良く用いられるが、Ｎｉ／ステンレス鋼クラッドを用
いると、接触抵抗が低くなり、加工性も良くなるので望ましい材料である。もちろんその
他の材料であっても良好に水分など、電界発光素子に悪影響を及ぼす物質を防ぐ材料であ
り、本発明に利用できるような形に加工できるものであれば使用することが可能である。
【００４６】
また、アノード線またはカソード線の両端に封止缶から電圧を供給し、封止缶への電圧
の供給を外部の電源回路より直接行えば、フレキシブル配線基板など外部接続部において
アノード線もしくはカソード線に電圧を供給するために占められていたピンを削減するこ
とができる。
【００４７】
このように、封止缶３０２を引き回し配線の代わりにアノード線もしくはカソード線に
電圧を供給する配線として使用することで、従来と比較して表示部の面積の割合を大きく
しても、大きな電圧降下が起こらず、高品質な表示を得ることが可能となる。
【００４８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明における他の構成について図６を参照しながら説明する。本
実施の形態では引き回し配線の代わりとなる導電膜を対向基板に形成する例について説明
する。
【００４９】
対向基板は電界発光素子を形成した基板を紫外線硬化樹脂などによるシール剤で封止す
る際に使用する。シール剤と対向基板により封止されることで電界発光素子を外部の雰囲
気から遮断することができ、信頼性の向上を図っている。
【００５０】
本実施の形態では、対向基板に引き回し配線の代わりとなる導電膜を形成し、その導電
膜に電圧を供給し、導電膜とアノード線もしくはカソード線の導通をはかることによって
アノード線もしくはカソード線に電圧を供給する。
【００５１】
対向基板に形成する導電膜の形状はどのような形状でもかまわないが、配線抵抗をなる
べく小さくする為には膜厚方向へ切断したと考えた場合の断面積をなるべく大きく取るこ
と、すなわち、膜厚をできるだけ大きく取ること、及びアノード線もしくはカソード線の
ストライプ形状に直交する方向における成膜範囲をなるべく大きく取ることが好ましい。
【００５２】
電界発光表示パネルには大きく分けて３つの表示方法、すなわち素子を形成した基板側
に光を射出する底面発光、対向基板側に光を射出する上面発光及びその両方に光を射出す
る両面発光がある。
【００５３】
底面発光の場合は素子を形成した基板側に光が出るので、対向基板に形成する引き回し
配線の代わりとなる導電膜は透光性を有していなくてもかまわない。アルミニウムや銀な
ど、形成しやすく導電率の高い材料を適宜用いることが可能である。
【００５４】
しかし、上面発光や両面発光では対向基板の方に光が出るため、対向基板に形成する引
き回し配線の代わりとなる導電膜には透光性が求められる。透光性を有し且つ導電性も有
する材料としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２
〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ
）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＳＯなどが挙げ
られる。これらの材料に限らず、使用に十分である透光性と導電率を有する材料であれば
どのような材料を用いてもかまわない。
【００５５】
対向基板に形成された導電膜とアノード線もしくはカソード線を接続する方法としては
、実施の形態２と同様の方法、もしくは公知の方法で接続すればよく実施者の判断にゆだ
ねられる所である。一例として図６に接続を行った様子を示した。対向基板６１０に形成
された導電膜６１１には外部電源回路より電圧が供給されている。駆動用トランジスタに
接続されているアノード線３０５には土手と呼ばれる絶縁膜６００に形成されたコンタク
トを介して電界発光素子３１３の陽極を形成すると同時に引き出し配線６１２を形成する
。引き出し配線６１２は導電膜６１１と導電性を有する粒子６１３を介して接続され、ア
ノード線３０５に導電膜６１１から電圧が供給される。
【００５６】
このように、対向基板６１０に形成された導電膜６１１を引き回し配線の代わりにアノ
ード線もしくはカソード線に電圧を供給する配線として使用することで、従来と比較して
表示部の面積の割合を大きくしても、大きな電圧降下が起こらず、高品質な表示を得るこ
とが可能となる。
【００５７】
また、図１５に示すように引き回し配線の代わりに用いられる導電膜は対向基板１０１
における基板１００側の面のみでは無く、基板１００における素子が形成されている面と
反対の面、もしくは、図示していないが、対向基板１０１の基板１００と反対の面に形成
されていても良い。形状や材料に関する条件は導電膜を対向基板の内側に形成する場合と
同様である。この場合、導電膜をアノード線もしくはカソード線に接続するには、図のよ
うに基板に貫通孔１５５を設ける。この貫通孔１５５を設けることによって、導電膜１５
１を成膜する際に、導電膜１５１を成膜する基板の面の反対側の面に導電膜１５１の材料
が回り込み、基板の反対側において導通を取ることができるようになる。また、実施の形
態１で挙げたような導電性のリボンや導電性テープなどにより導通を得ても良い。
【００５８】
なお、図１５において、導電膜１５１にはフレキシブル配線基板１５０によって電圧を
供給しているが、導電膜１５１に電圧を供給する方法に関してはこれに限らず、フレキシ
ブル配線基板ではなくとも何らかの導電体により所望の電圧が供給されていればよい。な
お、対向基板１０１と基板１００はシール材１５４により固着されており、導電膜１５１
によって供給された電圧は引き込み配線１５２により、表示部１５３のアノード線もしく
はカソード線に供給される。
【００５９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、アノード線もしくはカソード線へ電圧を供給する配線について、簡
単に図７を用いて説明する。４００は画素部であり、複数のアノード線もしくはカソード
線がストライプ状に形成されている。アノード線もしくはカソード線はその一端が一本の
配線に全て接続されており、他端ももう一本の配線に全て接続されている。また、図７で
はアノード線もしくはカソード線への入力に関係のある配線のみを示した図である。
【００６０】
図７（Ａ）は従来の引き回し配線が形成されているパネルの配線図である。４００に画
素部のアノード線、もしくはカソード線がストライプ状に形成されている。アノード線、
もしくはカソード線の端部はフレキシブル配線基板などの外部接続部側とその対辺側にあ
り、それぞれ外部接続部より電圧が供給されている。外部接続部の対辺側には４０１の引
き回し配線部を通って、引き回し配線が接続されているが、電圧降下の影響を防ぐため、
その幅は大きく取らなければいけない。そのため、画素部として使用できる領域が狭くな
ってしまっている。
【００６１】
図７（Ｂ）は本発明の構成の一つを用いて構成されているパネルである。アノード線ま
たはカソード線の両端側に外部接続部が設けられており、各々近い方の外部接続部から電
圧が供給されている。引き回し配線部が不要となるため、表示部の面積の割合が多くなっ
ているのがわかる。また、フレキシブル配線基板などあまり線幅に制約のない配線を用い
て電圧を供給しているため、電圧降下の心配もない。これにより、額縁面積の小さな、高
画質のディスプレイを作製することが可能となる。
【００６２】
図７（Ｃ）は本発明の構成の一つを用いて構成されているパネルである。外部接続部が
設けられた側のアノード線またはカソード線の端部は外部接続部から電圧が供給され、他
端には封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を用いて電圧を供給している。４０２
は封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜より電圧が供給される部分である。引き回
し配線部が不要となるため、表示部の面積の割合が多くなっているのがわかる。また、断
面積の大きい封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を配線として用いて電圧を供給
しているため、電圧降下の心配も少ない。これにより、額縁面積の小さな、高画質のディ
スプレイを作製することが可能となる。
【００６３】
図７（Ｄ）は本発明の構成の一つを用いて構成されているパネルである。アノード線ま
たはカソード線の両端に封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を用いて電圧を供給
している。４０２は封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜より電圧が供給される部
分である。引き回し配線部が不要となるため、表示部の面積の割合が多くなっているのが
わかる。また、断面積の大きい封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を配線として
用いて電圧を供給しているため、電圧降下の心配もない。さらに、外部接続部より、アノ
ード線もしくはカソード線に電圧を供給しないことになるためピン数の節約になり、レイ
アウトが楽になったり、他の有用な情報をパネル内に供給することができるようになる。
これにより、額縁面積の小さな、高画質のディスプレイを作製することが可能となる。
【実施例１】
【００６４】
本実施例では、本発明を使用して薄膜トランジスタ及び容量、そして電界発光装置を作
製する方法について図８〜図９を参照しながら説明する。
【００６５】
まず、基板８００上に下地絶縁膜８０１を形成してから非晶質半導体膜を成膜し、結晶
化を促進する元素を用いて結晶化することで結晶質半導体膜とする。
【００６６】
基板８００としてはガラス基板、石英基板、結晶性ガラスなどの絶縁性基板や、セラミ
ック基板、ステンレス基板、金属基板（タンタル、タングステン、モリブデン等）、半導
体基板、プラスチック基板（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン等）等を用いることができるが、
少なくともプロセス中に発生する熱に絶えうる材料を使用する。本実施例においてはガラ
ス基板を使用する。
【００６７】
下地絶縁膜８０１は基板８００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属が、結晶性ケイ素
膜中に拡散するのを防ぐ為に設ける。このような元素は結晶性ケイ素膜の半導体特性に悪
影響をおよぼしてしまうためである。材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化酸化ケ
イ素及び窒化酸化ケイ素などを用いることができ、単層または積層構造とすることにより
形成する。なお、アルカリ金属やアルカリ土類金属の拡散の心配のない基板であれば特に
下地絶縁膜は設ける必要がない。
【００６８】
本実施例においては下地絶縁膜８０１は積層構造により作製し、１層目の絶縁膜として
窒化酸化ケイ素膜を５０ｎｍ、２層目の絶縁膜として酸化窒化ケイ素膜を１００ｎｍで形
成した。なお、窒化酸化ケイ素膜と酸化窒化ケイ素膜はその窒素と酸素の割合が異なって
いることを意味しており、前者の方がより窒素の含有量が高いことを示している。１層目
の下地膜は、プラズマＣＶＤ法により、原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3、Ｈ2を使用し
、圧力が０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーが５０Ｗ、ＲＦ周波数が６０ＭＨｚ、基板温度が４
００℃として形成する。２層目の下地膜は同じくプラズマＣＶＤ法により、原料ガスにＳ
ｉＨ4、Ｎ2Ｏを用い、圧力が０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーが１５０Ｗ、ＲＦ周波数が６０
ＭＨｚ、基板温度が４００度の条件で形成する。
【００６９】
続いて下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する。本実施例においては非晶質ケイ素膜
を２５〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては
、公知の方法、例えばスパッタ法、減圧ＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等が使用でき
る。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍに形成する。
【００７０】
続いて非晶質半導体膜の結晶化を行う。結晶化は非晶質半導体膜の結晶化を促進する元
素を用い、加熱処理を行うことによって行う。結晶化を促進する元素とは、代表的にはニ
ッケルが挙げられ、このような元素を用いることによって用いない場合に比べて低温、短
時間で結晶化が行われるためガラス基板など比較的熱に弱い基板を使用する際に好適に用
いることが可能である。このような結晶化を促進する元素としては、ニッケルの他に鉄、
パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金などがある。この中から一種もしくは複
数種を用いればよい。
【００７１】
このような元素の添加方法としては、例えばこのような元素の塩を溶媒に溶かしてスピ
ンコート法やディップ法などで塗布する方法がある。溶媒としては有機溶媒や水などが使
用できるが、半導体膜上に直接触れるため、半導体特性に悪影響を及ぼさないものを選ぶ
ことが肝要である。また、塩についても同様である。
【００７２】
本実施例では、結晶化を促進する元素としてＮｉを用いる場合の一例を紹介する。Ｎｉ
は酢酸塩や硝酸塩を１０ｐｐｍ水溶液として用いると良い。この水溶液をスピンコート法
により非晶質ケイ素膜上に塗布するのだが、ケイ素膜の表面は疎水性であるために均一に
塗布できない可能性があるので、あらかじめオゾン水などで非晶質ケイ素膜表面を処理し
、極薄い酸化膜を形成しておくことが好ましい。
【００７３】
結晶化を促進する元素の非晶質ケイ素膜への導入方法としては他にイオン注入法、Ｎｉ
を含有する水蒸気雰囲気中での加熱、ターゲットをＮｉ材料としてのスパッタリングなど
が考えられる。
【００７４】
次いで、加熱処理を行い、非晶質半導体膜を結晶化させる。本実施例では非晶質ケイ素
膜を結晶化するために触媒元素を用い、５００〜６５０度で２〜２４時間程度加熱処理を
行えばよい。この結晶化処理により、非晶質ケイ素膜は結晶質ケイ素膜となる。この際、
磁場をかけて、その磁気エネルギーと合わせて結晶化させてもよいし、高出力マイクロ波
を使用しても構わない。本実施例では、非晶質ケイ素膜に縦型炉を用いて５００℃で１時
間熱処理後、５５０度で４時間熱処理を行うことで結晶質ケイ素膜が形成される。
【００７５】
続いて、レーザによる結晶化を行っても良い。結晶質半導体膜中の欠陥を低減させるこ
とにより結晶性を向上させる。レーザ結晶化法は、レーザ発振装置として、パルス発振型
、または連続発振型の気体または固体及び金属レーザ発振装置を用いれば良い。気体レー
ザとしては、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ等があり、固体レーザとしては、
ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビー
レーザ、アレキサンドライドレーザ、サファイアレーザ、金属レーザとしては、ヘリウム
カドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザが挙げられるなどがある。固体レーザの
レーザ媒質である結晶には、Ｃｒ3+、Ｃｒ4+、Ｎｄ3+、Ｅｒ3+、Ｃｅ3+、Ｃｏ2+、Ｔｉ3+
、Ｙｂ3+又は、Ｖ3+から選択される一種又は複数種が不純物としてドープされている。
【００７６】
レーザ発振装置により発振されたレーザは光学系を用いて線状にして照射を行うと好ま
しい。線状レーザは通常用いられるシリンドリカルレンズや凹型を有するミラーなどを用
いることで得ることができる。照射条件としては、パワー密度が０．０１〜１００ＭＷ／
ｃｍ2程度、照射雰囲気としては大気、または酸素濃度を制御した雰囲気、Ｎ2雰囲気また
は真空中が挙げられる。また、パルス発振のレーザを用いる場合には、周波数３０〜３０
０Ｈｚとし、レーザエネルギー密度を１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2（代表的には２００
〜５００ｍＪ／ｃｍ2）とするのが望ましい。このとき、レーザ光をレーザビームのＦＷ
ＨＭで計算して５０〜９８％オーバーラップさせても良い。なお、本実施例において結晶
化雰囲気は大気中とする。
【００７７】
本実施例において大気中でレーザー照射を行うと、結晶質ケイ素膜上に自然酸化膜であ
る酸化ケイ素膜が形成される。この膜質は制御できないため、除去してしまうことが望ま
しい。
【００７８】
この場合はフッ素を含む液と界面活性を示す物質が含まれた液との混合液を用いると下
層の結晶質ケイ素膜中にニッケル及び／又はニッケルシリサイドの偏析があったとしても
、酸化ケイ素膜のみを選択性良くエッチングできるため、結晶質ケイ素膜に孔が発生する
ことが抑制される。
【００７９】
次に結晶質半導体膜上に酸化ケイ素膜を形成する。酸化ケイ素膜は酸素雰囲気中でのＵ
Ｖ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等
により形成する。次いでスパッタ法ＹＣＶＤ法にてゲッタリングサイトを形成する。スパ
ッタで形成するときはゲッタリングサイトはアルゴン元素を含む非晶質ケイ素膜を膜厚５
０ｎｍ堆積することで形成する。成膜条件は、成膜圧力：０．３Ｐａ、ガス（Ａｒ）流量
：５０（ｓｃｃｍ）、成膜パワー：３ｋＷ、基板温度：１５０℃とした。なお、上記条件
での非晶質ケイ素膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、３×１０20／ｃｍ3〜６×１
０20／ｃｍ3、酸素の原子濃度は１×１０19／ｃｍ3〜３×１０19／ｃｍ3程度である。そ
の後、ラピッドアニール装置を用いて６５０℃、３分の加熱処理を行いゲッタリングする
。
【００８０】
加熱処理を行うことで結晶質半導体膜中の結晶化を促進する元素の少なくとも一部をゲ
ッタリングサイトに移動する。この際の加熱処理によりゲッタリングサイト上には酸化ケ
イ素膜よりなる自然酸化膜が形成されている。
【００８１】
この後、フッ素と界面活性を示す物質を含む液により、自然酸化膜を除去し、ゲッタリ
ングサイトをＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ ｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉ
ｄｅ）含有水溶液を用いて６０度程度に加熱し、エッチングする。
【００８２】
その後、ゲッタリングサイトをエッチングする際にエッチングストッパーとして用いた
酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液でエッチングし、除去する。エッチ
ングストッパー膜として用いられた酸化ケイ素膜中にはニッケルが多量に含まれている可
能性があり、その後の処理を行うことで活性層が汚染される心配もあるため、除去するこ
とが望ましい。
【００８３】
続いて、結晶質半導体膜に必要に応じてしきい値をコントロールするための微量の不純
物を添加する、いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得るために、
ボロンもしくはリン等をイオンドーピング法などにより添加する。
【００８４】
その後、図８（Ａ）に示すように、所定の形状にパターニングし、島状の結晶性半導体
層８０１ａ〜８０１ｄを得る。パターニングは、結晶質半導体膜にフォトレジストを塗布
し、所定の形状を有するマスクを用いて露光し、焼成して、結晶質半導体膜上にマスクを
形成し、このマスクを用いて、ドライエッチング法により結晶質半導体膜をエッチングす
ることで行われる。ドライエッチング法のガスは、ＣＦ4と、Ｏ2等を用いて行えば良い。
【００８５】
続いて、結晶性半導体層８０１ａ〜８０１ｄを覆うようにゲート絶縁膜８２２を形成す
る。ゲート絶縁膜８２２はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い膜厚を４０〜１５０
ｎｍとしてケイ素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜８２２はプラズ
マＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜を１１５ｎｍの厚さに形成する。
【００８６】
次いで、ゲート絶縁膜上に第１の導電層８０２として膜厚３０ｎｍの窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）とその上に第２の導電層８０３として膜厚３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）を形成
する。ＴａＮ膜、Ｗ膜共スパッタ法で形成すればよく、ＴａＮ膜はＴａのターゲットを用
いて窒素雰囲気中で、Ｗ膜はＷのターゲットを用いて成膜すれば良い。
【００８７】
なお、本実施例では第１の導電層を膜厚３０ｎｍのＴａＮ、第２の導電層を膜厚３７０
ｎｍのＷとしたが、第１の導電層と第２の導電層は共にＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合
物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代
表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。さらに、そ
の組み合わせも適宜選択すればよい。膜厚は第１の導電層が２０〜１００ｎｍ、第２の導
電層が１００〜４００ｎｍの範囲で形成すれば良い。また、本実施例では、２層の積層構
造としたが、１層としてもよいし、もしくは３層以上の積層構造としてもよい。
【００８８】
次に、前記導電層をエッチングして電極及び配線を形成するため、フォトリソグラフィ
ーにより露光工程を経てレジストからなるマスクを形成する。第１のエッチング処理では
第１のエッチング条件と第２のエッチング条件でエッチングを行う。レジストによるマス
クを用い、エッチングし、ゲート電極及び配線を形成する。エッチング条件は適宜選択す
れば良い。
【００８９】
本実施例では、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘
導結合プラズマ）エッチング法を使用した。第１のエッチング条件として、エッチング用
ガスにＣＦ4、Ｃｌ2とＯ2を用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ
）とし、１．０Ｐａの圧力でコイル型電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を
投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも１５０Ｗの
ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。こ
の第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状
とする。
【００９０】
続いて、第２のエッチング条件に移ってエッチングを行う。レジストからなるマスクを
のこしたまま、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比を３０／
３０（ｓｃｃｍ）、圧力１．０Ｐａでコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）電力を投入してプラズマを生成して約１５秒程度のエッチングを行う。基板側（試料
ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイ
アス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ
膜とも同程度にエッチングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチン
グするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。この第
１のエッチング処理において、電極に覆われていないゲート絶縁膜は２０ｎｍ〜５０ｎｍ
程度エッチングされ、基板側に印加されたバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第
２の導電層の端部はテーパー状となる。
【００９１】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。第２のエ
ッチング処理では、エッチング用のガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2を用い、それぞれのガス流
量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Ｐａの圧力でコイル型の電極に７００
ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを発生して２５秒程度エッチング
を行う。基板側（試料ステージ）にも１０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、
実質的に負の自己バイアス電圧を印加した。このエッチング条件ではＷ膜が選択的にエッ
チングされ、第２形状の導電層を形成した。このとき第１の導電層はほとんどエッチング
されない。第１、第２のエッチング処理によって第１の導電層８０２ａ〜８０２ｄ、第２
の導電層８０３ａ〜８０３ｄよりなるゲート電極が形成される。
【００９２】
そして、レジストからなるマスクを除去せず、第１のドーピング処理を行う。これによ
り、結晶性半導体層にＮ型を付与する不純物が低濃度に添加される。第１のドーピング処
理はイオンドープ法又はイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量が
１×１０13〜５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2、加速電圧が４０〜８０ｋＶで行えばよい。
本実施例では加速電圧を５０ｋＶとして行った。Ｎ型を付与する不純物元素としては１５
族に属する元素を用いることができ、代表的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が用いら
れる。本実施例ではリン（Ｐ）を使用した。その際、第１の導電層をマスクとして、自己
整合的に低濃度の不純物が添加されている第１の不純物領域（Ｎ--領域）を形成した。
【００９３】
続き、レジストからなるマスクを除去する。そして新たにレジストからなるマスクを形
成して第１のドーピング処理よりも高い加速電圧で、第２のドーピング処理を行う。第２
のドーピング処理もＮ型を付与する不純物を添加する。イオンドープ法の条件はドーズ量
を１×１０13〜３×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2、加速電圧を６０〜１２０ｋＶとすれば良
い。本実施例ではドーズ量を３．０×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とし、加速電圧を６５ｋ
Ｖとして行った。第２のドーピング処理は第２の導電層を不純物元素に対するマスクとし
て用い、第１の導電層の下方に位置する半導体層にも不純物元素が添加されるようにドー
ピングを行う。
【００９４】
第２のドーピングを行うと、結晶質半導体層の第１の導電層と重なっている部分のうち
、第２の導電層に重なっていない部分もしくはマスクに覆われていない部分に、第２の不
純物領域（Ｎ-領域）が形成される。第２の不純物領域には１×１０18〜５×１０19ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度範囲でＮ型を付与する不純物が添加される。また、結晶質半導体層
のうち、第１形状の導電層にもマスクにも覆われておらず、露出している部分（第３の不
純物領域：Ｎ+領域）には１×１０19〜５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲で高濃度にＮ型
を付与する不純物が添加される。また、半導体層にはＮ+領域が存在するが、一部マスク
のみに覆われている部分がある。この部分のＮ型を付与する不純物の濃度は、第１のドー
ピング処理で添加された不純物濃度のままであるので、引き続き第１の不純物領域（Ｎ--
領域）と呼ぶことにする。
【００９５】
なお、本実施例では２回のドーピング処理により各不純物領域を形成したが、これに限
定されることは無く、適宜条件を設定して、一回もしくは複数回のドーピングによって所
望の不純物濃度を有する不純物領域を形成すれば良い。
【００９６】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスクを形成
し、第３のドーピング処理を行う。第３のドーピング処理により、Ｐチャネル型ＴＦＴと
なる半導体層に前記第１の導電型及び前記第２の導電型とは逆の導電型を付与する不純物
元素が添加された第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）が形成
される。
【００９７】
第３のドーピング処理では、レジストからなるマスクに覆われておらず、更に第１の導
電層とも重なっていない部分に、第４の不純物領域（Ｐ+領域）が形成され、レジストか
らなるマスクに覆われておらず、且つ第１の導電層と重なっており、第２の導電層と重な
っていない部分に第５の不純物領域（Ｐ-領域）が形成される。Ｐ型を付与する不純物元
素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期律表第１
３族の元素が知られている。
【００９８】
本実施例では、第４の不純物領域及び第５の不純物領域を形成するＰ型の不純物元素と
してはホウ素（Ｂ）を選択し、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成した。
イオンドープ法の条件としては、ドーズ量を１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とし、加速電
圧を８０ｋＶとした。
【００９９】
なお、第３のドーピング処理の際には、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する部分はレジスト
からなるマスクに覆われている。
【０１００】
ここで、第１及び第２のドーピング処理によって、第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び
第５の不純物領域（Ｐ-領域）にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されている。しかし
、第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）のいずれの領域におい
ても、第３のドーピング処理によって、Ｐ型を付与する不純物元素の濃度が１×１０19〜
５×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ2となるようにドーピング処理される。そのため、第４の不
純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）は、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース
領域及びドレイン領域として問題無く機能する。
【０１０１】
なお、本実施例では、第３のドーピング一回で、第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第
５の不純物領域（Ｐ-領域）を形成したが、ドーピング処理の条件によって適宜複数回の
ドーピング処理により第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）を
形成してもよい。
【０１０２】
これらのドーピング処理によって、第１の不純物領域（Ｎ--領域）８０４、第２の不純
物領域（Ｎ-領域）８０５、第３の不純物領域（Ｎ+領域）８０６、８０７、第４の不純物
領域（Ｐ+領域）８０８、８０９、及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）８１０、８１１が形
成される（図８（Ｂ））。
【０１０３】
次いで、レジストからなるマスクを除去して第１のパッシベーション膜８１２を形成す
る。この第１のパッシベーション膜としてはケイ素を含む絶縁膜を１００〜２００ｎｍの
厚さに形成する。成膜法としてはプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法を用いればよい。
【０１０４】
本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの窒素を含む酸化珪素膜を形成
した。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｈ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化ケ
イ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜
を形成すれば良い。また、第１のパッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作
製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第１のパッシベーション
膜８１２は、本実施例のような酸化窒化ケイ素膜の単層構造に限定されるものではなく、
他のケイ素を含む絶縁膜を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。
【０１０５】
次いで、第１のパッシベーション膜８１２上に、層間絶縁膜８１３を形成する（図８（
Ｃ））。層間絶縁膜としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁
膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化ケイ素膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）法により塗布された酸化ケイ素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としては
ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性
有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂、ケイ素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基
に少なくとも水素を含む、または置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素の
うち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサンの膜を用いることができる。また
、それらの積層構造を用いても良い。
【０１０６】
本実施例では、シロキサンにより層間絶縁膜８１３を形成する。層間絶縁膜としては、
シロキサン系ポリマーを全面塗布した後、５０〜２００℃、１０分間の熱処理によって乾
燥させ、さらに３００〜４５０℃、１〜１２時間の焼成処理を行う。この焼成により、１
μｍ厚のシロキサンの膜が全面に成膜される。この工程は、シロキサン系ポリマーの焼成
を行うと共に、第１のパッシベーション膜８１２中の水素によって、半導体層を水素化及
び不純物の活性化をすることが可能であるため、工程数を削減でき、プロセスを簡略化す
ることが可能である。水素化は、第１のパッシベーション膜に含まれる水素によって、半
導体層のダングリングボンドを終端するものである。
【０１０７】
シロキサン以外の材料で層間絶縁膜を形成する場合には、水素化及び活性化の為に加熱
処理が必要となる。その場合は層間絶縁膜を形成する前に別に加熱処理（熱処理）を行う
工程が必要となる。熱処理法としては、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐ
ｍ以下の窒素雰囲気中において４００〜７００℃で行えば良く、本実施例では４１０℃、
１時間の熱処理で活性化処理を行った。なお、熱処理法の他に、レーザーアニール法、又
はラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。
【０１０８】
また、第１のパッシベーション膜８１２を形成する前に加熱処理を行ってもよい。但し
、第１の導電層８０２ａ〜８０２ｄ及び第２の導電層８０３ａ〜８０３ｄを構成する材料
が熱に弱い場合には、本実施例のように配線などを保護するため、第１のパッシベーショ
ン膜８１２を形成した後で熱処理を行うことが望ましい。さらに、この場合、第１のパッ
シベーション膜がないため、パッシベーション膜に含まれる水素を利用しての水素化は行
うことができない。この場合は、プラズマにより励起された水素を用いる手段（プラズマ
水素化）を用いての水素化や、３〜１００％の水素を含む雰囲気中において、３００〜４
５０℃で１〜１２時間の加熱処理による水素化を用いれば良い。
【０１０９】
この後、層間絶縁膜８１３を覆うように、ＣＶＤ法により窒化酸化珪素膜又は酸化窒化
珪素膜を形成しても良い。この膜は、後に形成される導電膜をエッチングするときに、エ
ッチングストッパーとして働き、層間絶縁膜のオーバーエッチングを防止することができ
る。さらにこの上に、スパッタリング法により窒化珪素膜を形成してもよい。この窒化珪
素膜は、アルカリ金属イオンの移動を抑制する働きがあるため、後に形成される画素電極
からのリチウム、ナトリウム等の金属のイオンが半導体層へ移動するのを抑制することが
できる。
【０１１０】
次に、層間絶縁膜のパターニング及びエッチングを行い、結晶性半導体層８０１ａ〜８
０１ｄに達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、ＣＦ4とＯ2とＨｅの
混合ガスを用いてシロキサン膜をエッチングし、続いてＣＨＦ3のガスによりゲート絶縁
膜である酸化シリコン膜をエッチングし、除去することで形成する。
【０１１１】
この際、コンタクトホールを開口することによって結晶性半導体層８０１ａ〜８０１ｄ
の表面が露出した状態となるが、この露出面に自然酸化膜が形成してしまう場合がある（
図示せず）。このような自然酸化膜があると、配線と結晶質ケイ素膜間の抵抗が高くなっ
てしまい、駆動電圧が上がったり、動作しなくなってしまう恐れがあるため、このような
自然酸化膜は配線を形成する前に除去してしまうことが望ましい。
【０１１２】
続いて、コンタクトホール中に金属膜を積層し、パターニングしてソース電極及びドレ
イン電極を形成する。本実施例では、窒素原子を含むチタン膜１００ｎｍ上に、チタン−
アルミニウム合金膜３５０ｎｍとチタン膜１００ｎｍを積層したのち、所望の形状にパタ
ーニング及びエッチングして３層で形成されるソース電極及び／又はドレイン電極８１４
〜８２１を形成する。
【０１１３】
一層目の窒素原子を含むチタン膜はターゲットをチタンとし、窒素とアルゴンの流量を
１：１としてスパッタリング法により形成する。上記のような窒素原子を含むチタン膜を
、シロキサン系の膜の層間絶縁膜上に形成すると、膜はがれしにくく、且つ結晶性半導体
層と低抵抗接続を有する配線を形成することができる。
【０１１４】
ここまでで、薄膜トランジスタや容量などの半導体素子を作成することができた。本実
施例では、結晶化を促進する元素を用いた結晶質半導体膜を用いたトップゲートの薄膜ト
ランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタを画
素部に用いることも可能である。非晶質半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウム
も用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０
１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【０１１５】
また非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半
導体膜を用いてもよい。また０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結
晶はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）とも呼ばれている。セミアモルファス半導体で
あるセミアモルファスシリコン（ＳＡＳとも表記する）は、珪化物気体をグロー放電分解
することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その
他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることが
できる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選
ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることでＳＡＳの形成を容易なもの
とすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが
好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲の圧力
で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは
１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は３００度以下が
好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が好適である。
【０１１６】
このようにして形成されたＳＡＳはラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側に
シフトしており、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）
の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素または
ハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。膜中の不純物元素として、
酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０20ｃｍ-1以下とすることが望ましく
、特に、酸素濃度は５×１０19／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19／ｃｍ3以下とする。
ＴＦＴにしたときのμ＝１〜１０ｃｍ2／Ｖｓｅｃとなる。
【０１１７】
これまでの工程において、薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極の形成と同時
に配線も形成されるが、本発明を使用する場合はアノード線もしくはカソード線に接続す
る為に基板の周囲にそれら線に平行して形成される引き回し配線は形成する必要はない。
その代わり、実施の形態１に示したような、外部接続部をアノード線もしくはカソード線
の両端に形成する構成を適用する場合はこれまでの工程と同時に外部接続部も図１、図２
に示したような位置に形成し、アノード線もしくはカソード線の両端は近い方の外部接続
部と接続される。実施の形態２に示したような封止缶を利用する構成を適用する場合、封
止缶と接続する方の端部には他の配線は接続されない。
【０１１８】
続いてこれらの半導体素子を用いて発光装置を作成する工程に入る。
【０１１９】
本実施例で説明する発光装置は一対の電極間に発光する物質を含む層を挟み込み、電極
間に電流を流すことで発光する素子をマトリクス状に配列させたものである。発光素子の
発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から
注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して
分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光す
るといわれている。
【０１２０】
励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能
であると考えられている。故に、素子の特徴によって一つの発光装置内において、一重項
励起状態の素子あるいは三重項励起状態の素子を混在させても良い。例えばＲＧＢの三色
において、赤に三重項励起状態を取る素子、青と緑に一重項励起状態を取る素子としても
良い。また、三重項励起状態を取る素子は一般に発光効率が良いため、駆動電圧の低下に
も貢献する。
【０１２１】
発光素子の材料としては、低分子、高分子、低分子と高分子の間の性質を持つ中分子の
発光材料があるが、本実施例では蒸着法により電界発光層を形成するため、低分子の発光
材料を使用する。高分子材料は溶媒に溶かすことでスピンコートやインクジェット法によ
り塗布することができる。また、有機材料のみではなく、無機材料との複合材料も使用す
ることができる。
【０１２２】
前工程によって作製された薄膜トランジスタのドレイン電極と一部重なるようにして、
発光素子の第１の電極９０１を形成する。第１の電極は発光素子の陽極、または陰極にな
る電極であり、陽極とする場合は仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、及び
これらの混合物などを用いることが好ましい。仕事関数としては仕事関数４．０ｅＶ以上
がだいたいの目安となる。具体例な材料としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘ
ｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）
を混合したＩＴＳＯ、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ
）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）
、パラジウム（Ｐｄ）、又は金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いることができる。
【０１２３】
陰極として用いる場合は、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下が目安）金属、
合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的な材
料としては、元素周期律の１族又は２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ
金属、及びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ
、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷移金属
を用いて形成することができる。但し、本実施例において第２の電極は透光性を有するた
め、これら金属、又はこれら金属を含む合金を非常に薄く形成し、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴ
ＳＯ又はその他の金属（合金を含む）との積層により形成することができる。
【０１２４】
本実施例では第１の電極９０１は陽極とし、ＩＴＳＯを用いた。電極としてＩＴＳＯを
用いた場合は真空ベークを行うと発光装置の信頼性が向上する。
【０１２５】
また、本実施例において第１の電極は薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極
を作製した後に形成されるが、始めに第１の電極を形成しその後薄膜トランジスタの電極
を作製してもかまわない。
【０１２６】
図９のように画素部の薄膜トランジスタに接続されている画素電極である第１の電極９
０１の端部を覆うように絶縁膜９０２を形成する。この絶縁膜９０２は土手や隔壁と呼ば
れるものである。絶縁膜９０２としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる
。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化ケイ素膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化ケイ素膜などを用いることができ、有機絶縁
膜としては感光性または非感光性のポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテ
ン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂、ケイ素と酸素との
結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、または置換基にフッ素、ア
ルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサ
ンの膜を用いることができる。また、それらの積層構造を用いても良い。感光性の有機物
を使用して形成すると、開口部の形状が曲率半径が連続的に変化する形状となり電界発光
層を蒸着する際に段切れなどが起こりにくいものとなり好適である。本実施例では感光性
のポリイミドを使用した。
【０１２７】
続いて、蒸着装置を用いて、蒸着源を移動させながら蒸着を行う。例えば、真空度が５
×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空
排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、抵抗加熱により、予め有機化合物は気化され
ており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化
合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着され、電界
発光層９０３（第１の電極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層）が形成される。なお、電界発光層９０３の構成はこのような積層でなくとも良く、
単層、混合層で形成されていても良い。
【０１２８】
電界発光層９０３を形成したら、第２の電極９０４を電界発光層９０３に接して形成す
る。本実施例では第１の電極９０１が陽極であるため、第２の電極９０４は陰極として形
成する。陰極材料は先に述べたような材料を使用すれば良く、本実施例ではＬｉを含む材
料を薄く形成した後、スパッタリング法によりＩＴＳＯを成膜することで透明性を有する
第２の電極（陰極）９０４を形成した。
【０１２９】
本実施例では第１の電極９０１、第２の電極９０４両方とも透光性を有する材料で形成
されているため、基板の上面、下面両方より光を取り出すことが可能となる。もちろん、
どちらかの電極の透光性を制御したり、電界発光層より基板側に使用される材料によって
は上面のみ、下面のみの発光を得ることも可能である。
【０１３０】
図９（Ｂ）は上面発光の構成の１例であり、画素電極９０１と薄膜トランジスタの電極
を異なる層に形成した例である。第１の層間絶縁膜８１３及び第２の層間絶縁膜９０２は
図８における層間絶縁膜８１３と同様の材料で作製することができ、その組み合わせも自
由に行えるが、今回はどちらの層もシロキサンにより形成する。画素電極９０１は第２の
層間絶縁膜９０２側からＡｌ−Ｓｉ＼ＴｉＮ＼ＩＴＳＯと積層して形成したが、もちろん
単層でもかまわないし、２層、あるいは４層以上の積層構造でもかまわない。
【０１３１】
ところで、第２の電極９０４をスパッタリング法により形成する場合、電子注入層の表
面もしくは電子注入層と電子輸送層の界面にスパッタリングによるダメージが入ってしま
うことがある。これは特性に悪影響を及ぼす可能性がある。これを防ぐためには、スパッ
タリングによるダメージを受けにくい材料を第２の電極９０４に最も近い位置に設けると
よい。このようなスパッタダメージを受けにくい材料で、電界発光層９０３に用いること
ができる材料としてはＭｏＯｘが挙げられる。しかし、ＭｏＯｘは正孔注入層として好適
な物質であるため、第２の電極９０４に接して設けるには第２の電極９０４を陽極とする
必要がある。
【０１３２】
そこで、この場合は第１の電極９０１を陰極として形成し、その後順に、電子注入層、
電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層（ＭｏＯｘ）、第２の電極（陽極）と形成
し、画素の駆動用薄膜トランジスタはＮチャネル型とする必要がある。ＭｏＯｘは蒸着法
により形成し、ｘ＝３以上のものが好適に使用できる。この際、画素部の薄膜トランジス
タはもともとＮ型であるａ−Ｓｉ：Ｈを半導体層としたトランジスタを用いると工程が簡
略化されて好適である。駆動回路部が同一基板上に形成されている場合は駆動回路部のみ
レーザ等を照射することで結晶化して用いるとよい。
【０１３３】
その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜を第２のパッシベーション膜９
０５として形成した。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉ
Ｈ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製さ
れる酸化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸
化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。また、第１のパッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2
Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第２のパ
ッシベーション膜９０５は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁膜
を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化ケイ素膜やダイヤモンド
ライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成してもよい。
【０１３４】
続いて電界発光素子を水など劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を
行う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール剤により、外部接続部が露出する
ように貼り合わせる。対向基板と素子を形成した基板との間の空間には乾燥した窒素など
の不活性気体を充填しても良いし、シール剤を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を
形成しても良い。シール剤には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール剤には
乾燥剤や基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。
【０１３５】
続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、図１や図２に示
したようなパネルが完成する。このようにパネルの対向する２端（アノード線またはカソ
ード線の端部に近い方）に外部接続部を設けてそれぞれ近い方の外部接続部より電圧を供
給することで、従来と比較して表示部の面積を大きくしても、大きな電圧降下が起こらず
、高品質な表示を得ることが可能となる。
【０１３６】
封止缶をもちいて封止を行う場合は、絶縁膜９０２をアノード線またはカソード線の端
部付近で除去してしまうか、それらに達する開口部を形成する。そして実施の形態２のよ
うな方法によって封止缶を接着し、封止缶とアノード線もしくはカソード線の導通を取る
と共に電界発光素子の封止を行う。封止缶に電圧を供給するには、フレキシブル配線基板
から供給しても良いし、電源回路から直接接続しても良い。電源回路より直接電圧を供給
する場合は、フレキシブル配線基板の必要ピン数を削減できるというメリットがある。
【０１３７】
その後、他の部分とのショートを防ぐ為に、絶縁性の膜を封止缶を覆って形成する。こ
れはどのような方法であってもかまわないが、塗布法などで行うと簡便に行うことができ
る。このように、断面積の大きい封止缶を配線として用いて電圧を供給しているため、電
圧降下の心配が少ない。さらに、外部接続部より、アノード線もしくはカソード線に電圧
を供給しないことになるためピン数の節約になり、レイアウトが楽になったり、他の有用
な情報をパネル内に供給することができるようになる。これにより、額縁面積の小さな、
高画質のディスプレイを作製することが可能となる。
【実施例２】
【０１３８】
本発明が適用される電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディ
スプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カ
ーオーディオ、オーディオコンポ等）、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話
、携帯型ゲーム機または電子書籍等）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図
１０に示す。
【０１３９】
図１０（Ａ）はデジタルスチルカメラであり、本体１００１、表示部１００２、受像部１
００３、操作キー１００４、外部接続ポート１００５、シャッター１００６等を含む。本
発明は、表示部１００２に適用することができる。狭額縁化されることによって、表示部
を搭載する際に必要な体積が同じであっても表示部１００２を従来より大きく取ることが
でき、見やすい画面とすることができる。また、小型化も実現する。さらに、電圧降下に
よる表示のムラも低減される。
【０１４０】
図１０（Ｂ）はモバイルコンピュータであり、本体１１０１、表示部１１０２、スイッ
チ１１０３、操作キー１１０４、赤外線ポート１１０５等を含む。本発明は、表示部１１
０２に適用することができる。狭額縁化されることによって、同表示部面積であれば余分
な額縁部分を削減することが可能となり、携帯するのにより便利になる。さらに、電圧降
下による表示のムラも低減される。
【０１４１】
図１０（Ｃ）は携帯型のゲーム機であり、筐体１２０１、表示部１２０２、スピーカー
部１２０３、操作キー１２０４、記録媒体挿入部１２０５等を含む。本発明は表示部１２
０２に適用することができる。狭額縁化されることによって、同表示部面積であれば余分
な額縁部分を削減することが可能となり、携帯するのにより便利になる。さらに、電圧降
下による表示のムラも低減される。
【０１４２】
図１０（Ｄ）は携帯電話であり、本体１３０１、筐体１３０２、表示部１３０３、音声
入力部１３０４、音声出力部１３０５、操作キー１３０６、アンテナ１３０８等を含む。
本発明の発光装置をその表示部１３０３に用いることにより作製される。表示部１３０３
におけるアノード線またはカソード線はその端部に近い方の外部接続部１３０９に接続さ
れ、フレキシブル配線基板１３１０から電圧を供給されているため、電圧降下の心配をす
ることなく、狭額縁化されている。狭額縁化されることによって、表示部を搭載する際に
必要な体積が同じであっても表示部を従来より大きく取ることができ、見やすい画面とす
ることができる。また、小型化も実現する。さらに、電圧降下による表示のムラも低減さ
れる。
【符号の説明】
【０１４３】
５００ 配線
１０２ 表示部
１００ 基板
１０１ 対向基板
１０３ 外部接続部
１０６ フレキシブル配線基板
１０４ 外部接続部
２００ 外部接続部
２０２ フレキシブル配線基板
２００１ リボン
２０００ フレキシブル配線基板
２００９ 外部接続部
２００２ リボン
２００７ 外部接続部
２０１ 外部接続部
２００８ 外部接続部
２００３ リボン
２００６ フレキシブル配線基板
２０２ フレキシブル配線基板
２００４ 導電線
２００５ 外部接続部
３００ 基板
３０１ フレキシブル配線基板
３０２ 封止缶
３０３ 表示部
３０４ 電圧供給部
３１３ 発光素子
３１１ 乾燥剤
３１４ 膜
３０９ 材料
３０５ アノード線
６００ 絶縁膜
６０１ 開口部
６０２ 導電性粒子
６０３ フィラー
３１２ 封止材
６１０ 対向基板
６１１ 導電膜
３１３ 電界発光素子
６１２ 配線
６１３ 粒子
１００ 基板
１５５ 貫通孔
１５１ 導電膜
１５０ フレキシブル配線基板
１５４ シール材
１５２ 配線
１５３ 表示部
８００ 基板
８０１ 下地絶縁膜
８０１ａ 結晶性半導体層
８２２ ゲート絶縁膜
８０２ 第１の導電膜
８０３ 第２の導電膜
８０２ａ 導電層
８０３ａ 導電層
８０４ 不純物領域（Ｎ−−領域）
８０５ 不純物領域（Ｎ−領域）
８０６ 不純物領域（Ｎ＋領域）
８０８ 不純物領域（Ｐ＋領域）
８１０ 不純物領域（Ｐ−領域）
８１２ パッシベーション膜
８１３ 層間絶縁膜
８１４ ドレイン電極
９０１ 電極
９０２ 絶縁膜
９０３ 電界発光層
９０４ 電極
９０５ パッシベーション膜
１００１ 本体
１００２ 表示部
１００３ 受像部
１００４ 操作キー
１００５ 外部接続ポート
１００６ シャッター
１１０１ 本体
１１０２ 表示部
１１０３ スイッチ
１１０４ 操作キー
１１０５ 赤外線ポート
１２０１ 筐体
１２０２ 表示部
１２０３ スピーカー部
１２０４ 操作キー
１２０５ 記録媒体挿入部
１３０１ 本体
１３０２ 筐体
１３０３ 表示部
１３０４ 音声入力部
１３０５ 音声出力部
１３０６ 操作キー
１３０８ アンテナ
１３０９ 外部接続部
１３１０ フレキシブル配線基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に薄膜半導体素子で構成された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）と呼ばれる薄型の表示装置は、モバイル機器な
どの携帯される電子機器用のディスプレイととして需要が拡大している。特に有機物を含
む層に電流を流すことにより発光する、電界発光素子を用いたディスプレイは自発光、低
消費電力、高速応答性など有利な点が多いため、実用化が推し進められている。
【０００３】
これら携帯されることが念頭に置かれた電子機器におけるディスプレイには、省電力化
、軽量化、薄型化、小型化、狭額縁化など様々な特性が求められる。この中で狭額縁化と
は、ディスプレイ全体の面積における表示部の占める割合をできるだけ大きくすることで
あり、狭額縁化されると表示部の面積は変えずにディスプレイを小型化することが可能と
なるし、また、ディスプレイの面積を変えずに表示面積を大きくすることが可能となる。
【０００４】
このように、狭額縁化されることによって、表示部の大きさを変えずに、より持ち運び
しやすく、よりスマートでスタイリッシュなモバイル機器を作製することができる。また
、狭額縁化の構成で作製した上でディスプレイの面積と表示部の面積を変化させないとす
れば、あまった額縁部分に様々な機能をもった回路を設けることでより付加価値の高い商
品を提供することが可能となる。これにより、よりユーザーの要求を満たす、嗜好性の高
い商品を提供することができるようになる。これらの理由により、ディスプレイを狭額縁
化するための研究は様々な観点から行われている。（特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８８００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、様々な方法によって狭額縁化は試みられているが、前述の電界発光素子を
用いたディスプレイにおいて、現状、額縁と呼ばれている領域において多くの面積を専有
してしまっているのが、引き回し配線である。
【０００７】
画素部には複数のアノード線または複数のカソード線がストライプ状に走っているが、
これらには一定の電圧が供給される。パネル内全てにおいてムラのない表示を得るために
はアノード線もしくはカソード線全てが同じ電圧を保持する必要がある。電圧はアノード
線またはカソード線の一端に供給された場合、それらに接続されている画素が電流を消費
するため電圧降下が起き、他端では供給された電圧より低い電圧となってしまう。この電
圧降下が大きすぎると表示にも影響を及ぼしてしまうため、電圧の供給はアノード線、ま
たはカソード線の両端になされていることが多い。なお、本明細書では電界発光素子のア
ノード側、カソード側の電極に接続され、発光に供与する電流を供給する為の配線をアノ
ード線、カソード線という。
【０００８】
そして、その電圧の供給はパネル外部または内部の電源回路より供給される。パネル外
部から供給された電圧はパネルの外部接続部より、配線によってアノード線またはカソー
ド線の一端または両端に供給されるが、外部接続部よりアノード線もしくはカソード線の
両端まで電圧を引っ張ってくる配線を引き回し配線という。表示部は高精細化、高開口率
化のために余分な配線が入る余地は無いため、引き回し配線は、表示部の外側、額縁領域
に形成される。
【０００９】
ところで、前述した電圧降下は画素の消費する電流によるものであったが、電圧降下は
配線抵抗によっても発生する。配線は細くなると抵抗が増加するため、微細な配線パター
ンを形成しなければならない表示装置においては大きな問題となりうる。特に長い距離を
引き回さなければいけない引き回し配線はなるべく太く、抵抗が低くなるようにしなけれ
ばいけない。特に電界発光ディスプレイにおいては、画素による電流の消費があるため電
圧降下の影響が大きく、それを補うために液晶ディスプレイに比較して、引き回し配線を
太くする必要が生じる。結果として、電界発光ディスプレイには広い額縁面積が必要とな
ってしまう。
【００１０】
このように、引き回し配線に供給される電圧の電圧降下を防ぐ為にはなるべく太い、断
面積の大きい引き回し配線を形成する必要があり、それが狭額縁化の妨げになっていた。
これは特に小型のディスプレイに関して大きな問題であった。たとえば、携帯電話サイズ
の表示領域を持つパネルにおいては、引き回し配線の部分は片側約２ｍｍ程度、両側にあ
ると４ｍｍにもなってしまう。しかも、レイアウト上、片側２ｍｍしかとれなかっただけ
であって、電圧降下を防止するという観点からみれば本来であればもう少し太くすること
が必要であると言われている。
【００１１】
以上の問題を鑑み、本発明は狭額縁化を実現しつつ、引き回し配線の電圧降下を防ぐた
めの構造を有した表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、額縁領域において多くの面積を占めていた引き回し配線を外付けの配線と
することで、狭額縁化と引き回し配線の電圧降下の抑制の二つを実現する。
【００１３】
本発明の構成の一つは、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複
数のアノード線またはカソード線と、前記画素部を挟んで形成されている複数の外部接続
部を有し、前記外部接続部は前記アノード線または前記カソード線の両端側にそれぞれ位
置し、前記アノード線または前記カソード線はその両端に前記外部接続部のうち近い位置
にあるものに接続されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の他の構成は、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複数
のアノード線またはカソード線と、前記アノード線またはカソード線の一端を全て接続す
る第１の配線と、前記アノード線またはカソード線の他端を全て接続する第２の配線と、
前記画素部を挟んで形成されている複数の外部接続部を有し、前記外部接続部は前記アノ
ード線または前記カソード線の両端側にそれぞれ位置し、前記第１の配線と、前記第２の
配線は、前記外部接続部のうち近い位置にあるものに接続されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の構成は前記構成において、前記外部接続部にはＦＰＣに代表されるような
フレキシブル配線基板が取り付けられていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の他の構成は前記構成において、前記フレキシブル配線基板は一枚であることを
特徴とする。
【００１７】
本発明の他の構成は前記構成において、前記フレキシブル配線基板は取り付けられてい
る前記外部接続部ごとに異なるフレキシブル配線基板であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の他の構成は前記構成において、前記フレキシブル配線基板は前記アノード線
または前記カソード線の一端側と他端側で別に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
このように、引き回し配線を外付けの配線とし、外部接続部より電圧を供給すること
で、少なくとも基板上の外部接続部が形成されていない辺の狭額縁化が可能となりディス
プレイ面積の縮小や表示画面の拡大、多様な機能を有する回路などの搭載による付加価値
の増大などの効果が得られる。
【００２０】
本発明の構成の一つは、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複
数のアノード線またはカソード線と、前記画素部を封止する導電性を有する封止缶を有し
、前記アノード線または前記カソード線は前記封止缶と電気的に接続されていることを特
徴とする。
【００２１】
本発明の構成の他の構成は、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成され
た複数のアノード線またはカソード線と、前記画素部を封止する導電性を有する封止缶を
有し、前記アノード線または前記カソード線の両端は前記封止缶と電気的に接続されてい
ることを特徴とする。
【００２２】
本発明の他の構成は、基板上に画素部と、前記画素部にストライプ状に形成された複数
のアノード線またはカソード線と、前記アノード線またはカソード線の一端を全て接続す
る第１の配線と、前記アノード線またはカソード線の他端を全て接続する第２の配線と、
前記画素部を封止する導電性を有する封止缶を有し、前記第１の配線と前記第２の配線は
前記封止缶と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２３】
このように、引き回し配線を無くし、封止のための封止缶を利用して電圧を供給する
ことで、少なくとも、いままで引き回し配線が形成されていた部分の狭額縁化が可能とな
りディスプレイ面積の縮小や表示画面の拡大、多様な機能を有する回路などの搭載による
付加価値の増大などの効果が得られる。また、外部接続部及びフレキシブル配線基板（Ｆ
ＰＣ等）を通してアノード線またはカソード線の電圧を供給しなくて済むため、ピン数の
削減などにも寄与する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の構成を適用することによって、従来引き回し配線が占めていた額縁領域の一部
を表示領域とすることができるようになり、結果として狭額縁化が実現する。また、配線
抵抗も低減することが可能となるため、電圧降下による影響も起こりにくくなり表示品質
が向上する。これらの効果により、よりユーザーの要求を満たす、付加価値の高い表示装
置を提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施の形態１を表す図。
【図２】実施の形態１を表す図。
【図３】実施の形態２を表す図。
【図４】実施の形態２を表す図。
【図５】実施の形態２を表す図。
【図６】実施の形態３を表す図。
【図７】実施の形態４を表す図。
【図８】実施例１を表すプロセス図。
【図９】実施例１を表すプロセス図。
【図１０】本発明を適用した電子機器の一例を示す図。
【図１１】従来の引き回し配線の図。
【図１２】実施の形態１を表す図。
【図１３】実施の形態１を表す図。
【図１４】実施の形態１を表す図。
【図１５】実施の形態３を表す図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態では引き回し配線をフレキシブル配線基板で代用する例について図１を参
照しながら説明する。
【００２７】
まず、従来の構造について図１１を用いて説明する。１００が基板、１０１が対向（封
止）基板、１０２が表示部、１０３が外部接続部、１０５が駆動回路部、５００が引き回
し配線である。このように、従来の構造においては引き回し配線５００があるために、表
示部１０２が基板に比べてかなり小さくなってしまっている。
【００２８】
図１（Ａ）は本発明を適用した電界発光ディスプレイに用いられるパネルである。基板
１００上に形成された電界発光素子を対向基板１０１で封止することによって表示部１０
２が形成されている。１０３、１０４は外部接続部、１０５は駆動回路部である。なお、
アノード線またはカソード線は表示部１０２に形成されており、それらの端部は外部接続
部１０３及び１０４側にある。
【００２９】
このようにパネルの対向する２端（アノード線またはカソード線の端部に近い方）に外
部接続部を設けてそれぞれ近い方の外部接続部より電圧を供給することで、従来と比較し
て表示部の面積を大きくしても、大きな電圧降下が起こらず、高品質な表示を得ることが
可能となる。
【００３０】
図１（Ｂ）、（Ｃ）は外部接続部１０３、１０４に接続する配線の例である。本実施の
形態においてはフレキシブル配線基板（ＦＰＣ等）１０６を用いて接続を行った例を示し
ている。
【００３１】
図１（Ｂ）はトップエミッションの場合の例であり、フレキシブル配線基板１０６は基
板の裏側を通って外部接続部１０４に接続している。この構造であると、外部接続部１０
３と１０４に接続するフレキシブル配線基板１０６は１枚で済む。図１（Ｃ）は同様にボ
トムエミッションの例となっている。
【００３２】
なお、外部接続部１０３、１０４の形成の仕方はこれに限らず、ストライプ状に形成さ
れたアノード線もしくはカソード線の両端側に形成されていれば、図２に示すように外部
接続部２００、２０１を形成してもよいし、それらに接続する配線（この場合フレキシブ
ル配線基板）は１枚ではなく、図２（Ｂ）に示すように２枚（２０２、２０３）でもかま
わない。この場合、フレキシブル配線基板２０２と２０３両方が表示部１０２に係らない
ように接続されていれば、両面発光（デュアルエミッション）でも用いることが可能であ
る。
【００３３】
なお、フレキシブル配線基板の代わりに図１２（Ａ）〜（Ｃ）のように導電性のリボン
２００１、２００３を用いても良い。この場合は、図示した様にアノード線もしくはカソ
ード線の一端にはフレキシブル配線基板２０００、２００６から電圧を供給し、もう一端
に導電性のリボン２００１、２００３を介して電圧を供給する様にしても良いし、また、
図１４に示したように外部接続部２００９と導電性のリボン２００２をさらに設けてアノ
ード線もしくはカソード線の両端に導電性のリボン２００１、２００２、２００３から電
圧を供給する様にしても良い。
【００３４】
図１２（Ａ）（Ｂ）において導電性のリボン２００１は図１（Ａ）〜（Ｃ）の外部接続
部１０３、１０４に相当する外部接続部２００７においてハンダや導電性の粘着剤など導
電性を損なわない物によって適宜接着する。図１２（Ａ）は図１（Ｂ）に相当し、上面に
光を取り出す構造の際に導電性のリボン２００１で引き回し配線を代用した場合の図であ
る。また図１２（Ｂ）は図１（Ｃ）に相当し、下面に光を取り出す構造の際に導電性のリ
ボン２００１で引き回し配線を代用した場合の図である。また、図１２（Ｃ）は図２（Ｂ
）に相当し、図２（Ｂ）における外部接続部２０１に相当する外部接続部２００８におい
て導電性のリボン２００３が電気的に接触しており、アノード線もしくはカソード線の一
端に電圧を供給する。図１２（Ｃ）におけるフレキシブル配線基板２００６は図２（Ｂ）
におけるフレキシブル配線基板２０２に相当する。
【００３５】
導電性のリボン２００１には、予め接着面に接着剤が塗布された市販の導電性テープ等
を用いることも可能である。
【００３６】
図１３（Ａ）、（Ｂ）はフレキシブル配線基板の代わりに導電線２００４を用いた例で
ある。この場合も図１２（Ａ）〜（Ｃ）と同様、アノード線もしくはカソード線の一端に
はフレキシブル配線基板２０００から電圧を供給し、もう一端に導電線２００４を介して
電圧を供給する様にしても良いし、図示はしていないが図１４のように外部接続部と導電
線をさらに設けてアノード線もしくはカソード線の両端に導電線より電圧を供給する様に
しても良い。
【００３７】
導電線２００４は図１の外部接続部１０３、１０４に相当する外部接続部２００５にお
いてハンダなどによって適宜接着すればよい。図１３（Ａ）は図１（Ｂ）に相当し、上面
に光を取り出す構造の際に導電線２００４で引き回し配線を代用した場合の図である。ま
た図１３（Ｂ）は図１（Ｃ）に相当し、下面に光を取り出す構造の際に導電線２００４で
引き回し配線を代用した場合の図である。
【００３８】
なお、導電線２００４は電気的な接触が必要である部分以外に絶縁被膜が形成されてい
ても良いし、されていなくとも良い。導電線の材料に限定はないが、銅や銀、金、アルミ
ニウムなどの抵抗の低いものでなることが望ましい。
【００３９】
このように引き回し配線の代わりに導電性のリボン２００１や導電線２００４を用いて
も良い。また、その他の導電体を引き回し配線の代わりに用いても本発明の主旨に反しな
い限り適用可能であることは言うまでも無い。
【００４０】
（実施の形態２）
本実施の形態では引き回し配線を封止缶で代用する例について図３を参照しながら説明
する。
【００４１】
図３（Ａ）の斜視図は本発明の構成を、封止缶を用いて実施した例である。基板３００
、フレキシブル配線基板３０１、封止缶３０２、表示部３０３、封止缶への電圧供給部３
０４となっている。本構成においてはフレキシブル配線基板３０１側のアノード線または
カソード線の端部にはフレキシブル配線基板より電圧が供給され、フレキシブル配線基板
３０１より遠い他端に封止缶を通して電圧が供給されている。
【００４２】
図３（Ｂ）、（Ｃ）はアノード線またはカソード線へ封止缶３０２から電圧が供給され
ている部分（斜視図のＡ−Ａ’）の断面図である。基板３００上の表示領域に発光素子３
１３を駆動する為の駆動用トランジスタ（Ｐチャネル型）が形成されており、そのソース
側にアノード線が接続されている。この際、３０６は発光素子３１３の陽極、３０７は有
機化合物を含む発光層、３０８は発光素子３１３の陰極となっている。本実施の形態では
３０６は発光素子３１３の陽極となっているが、３０６が陰極である場合は、３０８が発
光素子の陽極、３０５はカソード線、駆動用トランジスタはＮチャネル型となるが大勢は
同じと考えて良い。そしてこの表示部３０３の発光素子３１３を内側に乾燥剤３１１を取
り付けた封止缶３０２で封止している。その後、絶縁性の膜３１４を封止缶上に成膜して
、他部分からのショートなどを防いでいる。
【００４３】
３１０、３１２は封止剤である。３１０は絶縁性の封止剤を用いており、その内側で導
線性の材料３０９でアノード線３０５と封止缶３０２の導通をとっている。導電性の材料
３０９はアノード線３０５と封止缶３０２との導通がとれれば何でもかまわないが、導電
性粒子を分散させた粘性のある液体をインクジェット法などで塗布したり、図４（Ａ）の
ように土手と呼ばれる絶縁膜６００にアノード線まで達する開口部６０１を形成し、その
中にはんだボールなどの導電性粒子６０２を詰めたり、導電性粒子を分散させた液体を流
し込んだり、図４（Ｂ）のように開口部６０１の中に導電性のフィラー６０３を立てたり
してアノード線と封止缶の導通を採ることが考えられる。導電性の材料３０９や導電性粒
子６０２、フィラー６０３は弾性を有していると封止缶とアノード線との導通不良が起こ
りにくく好適である。また、封止材３１２は導電性の封止材であり、図３（Ｃ）のように
封止材３１２を介してアノード線３０５と封止缶３０２との導通をとることができる。
【００４４】
また、図５（Ａ）のように封止缶のアノード線との導通を取る部分に弾性を有するバネ
のようなもの７００を取り付けて導通をとっても良い。もちろん、弾性を有するバネのよ
うなもの７００の形状は図５（Ａ）に示した形状に限定されず、弾性を有し、アノード線
もしくはカソード線と良好な導通がとれるような形状、材質であればどのようなものを用
いてもかまわない。また、これと上記した導通方法と組み合わせるとさらに良い。
【００４５】
封止缶３０２はステンレスなどが良く用いられるが、Ｎｉ／ステンレス鋼クラッドを用
いると、接触抵抗が低くなり、加工性も良くなるので望ましい材料である。もちろんその
他の材料であっても良好に水分など、電界発光素子に悪影響を及ぼす物質を防ぐ材料であ
り、本発明に利用できるような形に加工できるものであれば使用することが可能である。
【００４６】
また、アノード線またはカソード線の両端に封止缶から電圧を供給し、封止缶への電圧
の供給を外部の電源回路より直接行えば、フレキシブル配線基板など外部接続部において
アノード線もしくはカソード線に電圧を供給するために占められていたピンを削減するこ
とができる。
【００４７】
このように、封止缶３０２を引き回し配線の代わりにアノード線もしくはカソード線に
電圧を供給する配線として使用することで、従来と比較して表示部の面積の割合を大きく
しても、大きな電圧降下が起こらず、高品質な表示を得ることが可能となる。
【００４８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明における他の構成について図６を参照しながら説明する。本
実施の形態では引き回し配線の代わりとなる導電膜を対向基板に形成する例について説明
する。
【００４９】
対向基板は電界発光素子を形成した基板を紫外線硬化樹脂などによるシール剤で封止す
る際に使用する。シール剤と対向基板により封止されることで電界発光素子を外部の雰囲
気から遮断することができ、信頼性の向上を図っている。
【００５０】
本実施の形態では、対向基板に引き回し配線の代わりとなる導電膜を形成し、その導電
膜に電圧を供給し、導電膜とアノード線もしくはカソード線の導通をはかることによって
アノード線もしくはカソード線に電圧を供給する。
【００５１】
対向基板に形成する導電膜の形状はどのような形状でもかまわないが、配線抵抗をなる
べく小さくする為には膜厚方向へ切断したと考えた場合の断面積をなるべく大きく取るこ
と、すなわち、膜厚をできるだけ大きく取ること、及びアノード線もしくはカソード線の
ストライプ形状に直交する方向における成膜範囲をなるべく大きく取ることが好ましい。
【００５２】
電界発光表示パネルには大きく分けて３つの表示方法、すなわち素子を形成した基板側
に光を射出する底面発光、対向基板側に光を射出する上面発光及びその両方に光を射出す
る両面発光がある。
【００５３】
底面発光の場合は素子を形成した基板側に光が出るので、対向基板に形成する引き回し
配線の代わりとなる導電膜は透光性を有していなくてもかまわない。アルミニウムや銀な
ど、形成しやすく導電率の高い材料を適宜用いることが可能である。
【００５４】
しかし、上面発光や両面発光では対向基板の方に光が出るため、対向基板に形成する引
き回し配線の代わりとなる導電膜には透光性が求められる。透光性を有し且つ導電性も有
する材料としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２
〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ
）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＳＯなどが挙げ
られる。これらの材料に限らず、使用に十分である透光性と導電率を有する材料であれば
どのような材料を用いてもかまわない。
【００５５】
対向基板に形成された導電膜とアノード線もしくはカソード線を接続する方法としては
、実施の形態２と同様の方法、もしくは公知の方法で接続すればよく実施者の判断にゆだ
ねられる所である。一例として図６に接続を行った様子を示した。対向基板６１０に形成
された導電膜６１１には外部電源回路より電圧が供給されている。駆動用トランジスタに
接続されているアノード線３０５には土手と呼ばれる絶縁膜６００に形成されたコンタク
トを介して電界発光素子３１３の陽極を形成すると同時に引き出し配線６１２を形成する
。引き出し配線６１２は導電膜６１１と導電性を有する粒子６１３を介して接続され、ア
ノード線３０５に導電膜６１１から電圧が供給される。
【００５６】
このように、対向基板６１０に形成された導電膜６１１を引き回し配線の代わりにアノ
ード線もしくはカソード線に電圧を供給する配線として使用することで、従来と比較して
表示部の面積の割合を大きくしても、大きな電圧降下が起こらず、高品質な表示を得るこ
とが可能となる。
【００５７】
また、図１５に示すように引き回し配線の代わりに用いられる導電膜は対向基板１０１
における基板１００側の面のみでは無く、基板１００における素子が形成されている面と
反対の面、もしくは、図示していないが、対向基板１０１の基板１００と反対の面に形成
されていても良い。形状や材料に関する条件は導電膜を対向基板の内側に形成する場合と
同様である。この場合、導電膜をアノード線もしくはカソード線に接続するには、図のよ
うに基板に貫通孔１５５を設ける。この貫通孔１５５を設けることによって、導電膜１５
１を成膜する際に、導電膜１５１を成膜する基板の面の反対側の面に導電膜１５１の材料
が回り込み、基板の反対側において導通を取ることができるようになる。また、実施の形
態１で挙げたような導電性のリボンや導電性テープなどにより導通を得ても良い。
【００５８】
なお、図１５において、導電膜１５１にはフレキシブル配線基板１５０によって電圧を
供給しているが、導電膜１５１に電圧を供給する方法に関してはこれに限らず、フレキシ
ブル配線基板ではなくとも何らかの導電体により所望の電圧が供給されていればよい。な
お、対向基板１０１と基板１００はシール材１５４により固着されており、導電膜１５１
によって供給された電圧は引き込み配線１５２により、表示部１５３のアノード線もしく
はカソード線に供給される。
【００５９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、アノード線もしくはカソード線へ電圧を供給する配線について、簡
単に図７を用いて説明する。４００は画素部であり、複数のアノード線もしくはカソード
線がストライプ状に形成されている。アノード線もしくはカソード線はその一端が一本の
配線に全て接続されており、他端ももう一本の配線に全て接続されている。また、図７で
はアノード線もしくはカソード線への入力に関係のある配線のみを示した図である。
【００６０】
図７（Ａ）は従来の引き回し配線が形成されているパネルの配線図である。４００に画
素部のアノード線、もしくはカソード線がストライプ状に形成されている。アノード線、
もしくはカソード線の端部はフレキシブル配線基板などの外部接続部側とその対辺側にあ
り、それぞれ外部接続部より電圧が供給されている。外部接続部の対辺側には４０１の引
き回し配線部を通って、引き回し配線が接続されているが、電圧降下の影響を防ぐため、
その幅は大きく取らなければいけない。そのため、画素部として使用できる領域が狭くな
ってしまっている。
【００６１】
図７（Ｂ）は本発明の構成の一つを用いて構成されているパネルである。アノード線ま
たはカソード線の両端側に外部接続部が設けられており、各々近い方の外部接続部から電
圧が供給されている。引き回し配線部が不要となるため、表示部の面積の割合が多くなっ
ているのがわかる。また、フレキシブル配線基板などあまり線幅に制約のない配線を用い
て電圧を供給しているため、電圧降下の心配もない。これにより、額縁面積の小さな、高
画質のディスプレイを作製することが可能となる。
【００６２】
図７（Ｃ）は本発明の構成の一つを用いて構成されているパネルである。外部接続部が
設けられた側のアノード線またはカソード線の端部は外部接続部から電圧が供給され、他
端には封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を用いて電圧を供給している。４０２
は封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜より電圧が供給される部分である。引き回
し配線部が不要となるため、表示部の面積の割合が多くなっているのがわかる。また、断
面積の大きい封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を配線として用いて電圧を供給
しているため、電圧降下の心配も少ない。これにより、額縁面積の小さな、高画質のディ
スプレイを作製することが可能となる。
【００６３】
図７（Ｄ）は本発明の構成の一つを用いて構成されているパネルである。アノード線ま
たはカソード線の両端に封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を用いて電圧を供給
している。４０２は封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜より電圧が供給される部
分である。引き回し配線部が不要となるため、表示部の面積の割合が多くなっているのが
わかる。また、断面積の大きい封止缶もしくは対向基板に形成された導電膜を配線として
用いて電圧を供給しているため、電圧降下の心配もない。さらに、外部接続部より、アノ
ード線もしくはカソード線に電圧を供給しないことになるためピン数の節約になり、レイ
アウトが楽になったり、他の有用な情報をパネル内に供給することができるようになる。
これにより、額縁面積の小さな、高画質のディスプレイを作製することが可能となる。
【実施例１】
【００６４】
本実施例では、本発明を使用して薄膜トランジスタ及び容量、そして電界発光装置を作
製する方法について図８〜図９を参照しながら説明する。
【００６５】
まず、基板８００上に下地絶縁膜８０１を形成してから非晶質半導体膜を成膜し、結晶
化を促進する元素を用いて結晶化することで結晶質半導体膜とする。
【００６６】
基板８００としてはガラス基板、石英基板、結晶性ガラスなどの絶縁性基板や、セラミ
ック基板、ステンレス基板、金属基板（タンタル、タングステン、モリブデン等）、半導
体基板、プラスチック基板（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン等）等を用いることができるが、
少なくともプロセス中に発生する熱に絶えうる材料を使用する。本実施例においてはガラ
ス基板を使用する。
【００６７】
下地絶縁膜８０１は基板８００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属が、結晶性ケイ素
膜中に拡散するのを防ぐ為に設ける。このような元素は結晶性ケイ素膜の半導体特性に悪
影響をおよぼしてしまうためである。材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化酸化ケ
イ素及び窒化酸化ケイ素などを用いることができ、単層または積層構造とすることにより
形成する。なお、アルカリ金属やアルカリ土類金属の拡散の心配のない基板であれば特に
下地絶縁膜は設ける必要がない。
【００６８】
本実施例においては下地絶縁膜８０１は積層構造により作製し、１層目の絶縁膜として
窒化酸化ケイ素膜を５０ｎｍ、２層目の絶縁膜として酸化窒化ケイ素膜を１００ｎｍで形
成した。なお、窒化酸化ケイ素膜と酸化窒化ケイ素膜はその窒素と酸素の割合が異なって
いることを意味しており、前者の方がより窒素の含有量が高いことを示している。１層目
の下地膜は、プラズマＣＶＤ法により、原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3、Ｈ2を使用し
、圧力が０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーが５０Ｗ、ＲＦ周波数が６０ＭＨｚ、基板温度が４
００℃として形成する。２層目の下地膜は同じくプラズマＣＶＤ法により、原料ガスにＳ
ｉＨ4、Ｎ2Ｏを用い、圧力が０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワーが１５０Ｗ、ＲＦ周波数が６０
ＭＨｚ、基板温度が４００度の条件で形成する。
【００６９】
続いて下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する。本実施例においては非晶質ケイ素膜
を２５〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては
、公知の方法、例えばスパッタ法、減圧ＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等が使用でき
る。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍに形成する。
【００７０】
続いて非晶質半導体膜の結晶化を行う。結晶化は非晶質半導体膜の結晶化を促進する元
素を用い、加熱処理を行うことによって行う。結晶化を促進する元素とは、代表的にはニ
ッケルが挙げられ、このような元素を用いることによって用いない場合に比べて低温、短
時間で結晶化が行われるためガラス基板など比較的熱に弱い基板を使用する際に好適に用
いることが可能である。このような結晶化を促進する元素としては、ニッケルの他に鉄、
パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金などがある。この中から一種もしくは複
数種を用いればよい。
【００７１】
このような元素の添加方法としては、例えばこのような元素の塩を溶媒に溶かしてスピ
ンコート法やディップ法などで塗布する方法がある。溶媒としては有機溶媒や水などが使
用できるが、半導体膜上に直接触れるため、半導体特性に悪影響を及ぼさないものを選ぶ
ことが肝要である。また、塩についても同様である。
【００７２】
本実施例では、結晶化を促進する元素としてＮｉを用いる場合の一例を紹介する。Ｎｉ
は酢酸塩や硝酸塩を１０ｐｐｍ水溶液として用いると良い。この水溶液をスピンコート法
により非晶質ケイ素膜上に塗布するのだが、ケイ素膜の表面は疎水性であるために均一に
塗布できない可能性があるので、あらかじめオゾン水などで非晶質ケイ素膜表面を処理し
、極薄い酸化膜を形成しておくことが好ましい。
【００７３】
結晶化を促進する元素の非晶質ケイ素膜への導入方法としては他にイオン注入法、Ｎｉ
を含有する水蒸気雰囲気中での加熱、ターゲットをＮｉ材料としてのスパッタリングなど
が考えられる。
【００７４】
次いで、加熱処理を行い、非晶質半導体膜を結晶化させる。本実施例では非晶質ケイ素
膜を結晶化するために触媒元素を用い、５００〜６５０度で２〜２４時間程度加熱処理を
行えばよい。この結晶化処理により、非晶質ケイ素膜は結晶質ケイ素膜となる。この際、
磁場をかけて、その磁気エネルギーと合わせて結晶化させてもよいし、高出力マイクロ波
を使用しても構わない。本実施例では、非晶質ケイ素膜に縦型炉を用いて５００℃で１時
間熱処理後、５５０度で４時間熱処理を行うことで結晶質ケイ素膜が形成される。
【００７５】
続いて、レーザによる結晶化を行っても良い。結晶質半導体膜中の欠陥を低減させるこ
とにより結晶性を向上させる。レーザ結晶化法は、レーザ発振装置として、パルス発振型
、または連続発振型の気体または固体及び金属レーザ発振装置を用いれば良い。気体レー
ザとしては、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ等があり、固体レーザとしては、
ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビー
レーザ、アレキサンドライドレーザ、サファイアレーザ、金属レーザとしては、ヘリウム
カドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザが挙げられるなどがある。固体レーザの
レーザ媒質である結晶には、Ｃｒ3+、Ｃｒ4+、Ｎｄ3+、Ｅｒ3+、Ｃｅ3+、Ｃｏ2+、Ｔｉ3+
、Ｙｂ3+又は、Ｖ3+から選択される一種又は複数種が不純物としてドープされている。
【００７６】
レーザ発振装置により発振されたレーザは光学系を用いて線状にして照射を行うと好ま
しい。線状レーザは通常用いられるシリンドリカルレンズや凹型を有するミラーなどを用
いることで得ることができる。照射条件としては、パワー密度が０．０１〜１００ＭＷ／
ｃｍ2程度、照射雰囲気としては大気、または酸素濃度を制御した雰囲気、Ｎ2雰囲気また
は真空中が挙げられる。また、パルス発振のレーザを用いる場合には、周波数３０〜３０
０Ｈｚとし、レーザエネルギー密度を１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2（代表的には２００
〜５００ｍＪ／ｃｍ2）とするのが望ましい。このとき、レーザ光をレーザビームのＦＷ
ＨＭで計算して５０〜９８％オーバーラップさせても良い。なお、本実施例において結晶
化雰囲気は大気中とする。
【００７７】
本実施例において大気中でレーザー照射を行うと、結晶質ケイ素膜上に自然酸化膜であ
る酸化ケイ素膜が形成される。この膜質は制御できないため、除去してしまうことが望ま
しい。
【００７８】
この場合はフッ素を含む液と界面活性を示す物質が含まれた液との混合液を用いると下
層の結晶質ケイ素膜中にニッケル及び／又はニッケルシリサイドの偏析があったとしても
、酸化ケイ素膜のみを選択性良くエッチングできるため、結晶質ケイ素膜に孔が発生する
ことが抑制される。
【００７９】
次に結晶質半導体膜上に酸化ケイ素膜を形成する。酸化ケイ素膜は酸素雰囲気中でのＵ
Ｖ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等
により形成する。次いでスパッタ法ＹＣＶＤ法にてゲッタリングサイトを形成する。スパ
ッタで形成するときはゲッタリングサイトはアルゴン元素を含む非晶質ケイ素膜を膜厚５
０ｎｍ堆積することで形成する。成膜条件は、成膜圧力：０．３Ｐａ、ガス（Ａｒ）流量
：５０（ｓｃｃｍ）、成膜パワー：３ｋＷ、基板温度：１５０℃とした。なお、上記条件
での非晶質ケイ素膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、３×１０20／ｃｍ3〜６×１
０20／ｃｍ3、酸素の原子濃度は１×１０19／ｃｍ3〜３×１０19／ｃｍ3程度である。そ
の後、ラピッドアニール装置を用いて６５０℃、３分の加熱処理を行いゲッタリングする
。
【００８０】
加熱処理を行うことで結晶質半導体膜中の結晶化を促進する元素の少なくとも一部をゲ
ッタリングサイトに移動する。この際の加熱処理によりゲッタリングサイト上には酸化ケ
イ素膜よりなる自然酸化膜が形成されている。
【００８１】
この後、フッ素と界面活性を示す物質を含む液により、自然酸化膜を除去し、ゲッタリ
ングサイトをＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ ｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉ
ｄｅ）含有水溶液を用いて６０度程度に加熱し、エッチングする。
【００８２】
その後、ゲッタリングサイトをエッチングする際にエッチングストッパーとして用いた
酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液でエッチングし、除去する。エッチ
ングストッパー膜として用いられた酸化ケイ素膜中にはニッケルが多量に含まれている可
能性があり、その後の処理を行うことで活性層が汚染される心配もあるため、除去するこ
とが望ましい。
【００８３】
続いて、結晶質半導体膜に必要に応じてしきい値をコントロールするための微量の不純
物を添加する、いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得るために、
ボロンもしくはリン等をイオンドーピング法などにより添加する。
【００８４】
その後、図８（Ａ）に示すように、所定の形状にパターニングし、島状の結晶性半導体
層８０１ａ〜８０１ｄを得る。パターニングは、結晶質半導体膜にフォトレジストを塗布
し、所定の形状を有するマスクを用いて露光し、焼成して、結晶質半導体膜上にマスクを
形成し、このマスクを用いて、ドライエッチング法により結晶質半導体膜をエッチングす
ることで行われる。ドライエッチング法のガスは、ＣＦ4と、Ｏ2等を用いて行えば良い。
【００８５】
続いて、結晶性半導体層８０１ａ〜８０１ｄを覆うようにゲート絶縁膜８２２を形成す
る。ゲート絶縁膜８２２はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い膜厚を４０〜１５０
ｎｍとしてケイ素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜８２２はプラズ
マＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜を１１５ｎｍの厚さに形成する。
【００８６】
次いで、ゲート絶縁膜上に第１の導電層８０２として膜厚３０ｎｍの窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）とその上に第２の導電層８０３として膜厚３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）を形成
する。ＴａＮ膜、Ｗ膜共スパッタ法で形成すればよく、ＴａＮ膜はＴａのターゲットを用
いて窒素雰囲気中で、Ｗ膜はＷのターゲットを用いて成膜すれば良い。
【００８７】
なお、本実施例では第１の導電層を膜厚３０ｎｍのＴａＮ、第２の導電層を膜厚３７０
ｎｍのＷとしたが、第１の導電層と第２の導電層は共にＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合
物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代
表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。さらに、そ
の組み合わせも適宜選択すればよい。膜厚は第１の導電層が２０〜１００ｎｍ、第２の導
電層が１００〜４００ｎｍの範囲で形成すれば良い。また、本実施例では、２層の積層構
造としたが、１層としてもよいし、もしくは３層以上の積層構造としてもよい。
【００８８】
次に、前記導電層をエッチングして電極及び配線を形成するため、フォトリソグラフィ
ーにより露光工程を経てレジストからなるマスクを形成する。第１のエッチング処理では
第１のエッチング条件と第２のエッチング条件でエッチングを行う。レジストによるマス
クを用い、エッチングし、ゲート電極及び配線を形成する。エッチング条件は適宜選択す
れば良い。
【００８９】
本実施例では、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘
導結合プラズマ）エッチング法を使用した。第１のエッチング条件として、エッチング用
ガスにＣＦ4、Ｃｌ2とＯ2を用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ
）とし、１．０Ｐａの圧力でコイル型電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を
投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも１５０Ｗの
ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。こ
の第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状
とする。
【００９０】
続いて、第２のエッチング条件に移ってエッチングを行う。レジストからなるマスクを
のこしたまま、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比を３０／
３０（ｓｃｃｍ）、圧力１．０Ｐａでコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）電力を投入してプラズマを生成して約１５秒程度のエッチングを行う。基板側（試料
ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイ
アス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ
膜とも同程度にエッチングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチン
グするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。この第
１のエッチング処理において、電極に覆われていないゲート絶縁膜は２０ｎｍ〜５０ｎｍ
程度エッチングされ、基板側に印加されたバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第
２の導電層の端部はテーパー状となる。
【００９１】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。第２のエ
ッチング処理では、エッチング用のガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2を用い、それぞれのガス流
量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Ｐａの圧力でコイル型の電極に７００
ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを発生して２５秒程度エッチング
を行う。基板側（試料ステージ）にも１０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、
実質的に負の自己バイアス電圧を印加した。このエッチング条件ではＷ膜が選択的にエッ
チングされ、第２形状の導電層を形成した。このとき第１の導電層はほとんどエッチング
されない。第１、第２のエッチング処理によって第１の導電層８０２ａ〜８０２ｄ、第２
の導電層８０３ａ〜８０３ｄよりなるゲート電極が形成される。
【００９２】
そして、レジストからなるマスクを除去せず、第１のドーピング処理を行う。これによ
り、結晶性半導体層にＮ型を付与する不純物が低濃度に添加される。第１のドーピング処
理はイオンドープ法又はイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量が
１×１０13〜５×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2、加速電圧が４０〜８０ｋＶで行えばよい。
本実施例では加速電圧を５０ｋＶとして行った。Ｎ型を付与する不純物元素としては１５
族に属する元素を用いることができ、代表的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が用いら
れる。本実施例ではリン（Ｐ）を使用した。その際、第１の導電層をマスクとして、自己
整合的に低濃度の不純物が添加されている第１の不純物領域（Ｎ--領域）を形成した。
【００９３】
続き、レジストからなるマスクを除去する。そして新たにレジストからなるマスクを形
成して第１のドーピング処理よりも高い加速電圧で、第２のドーピング処理を行う。第２
のドーピング処理もＮ型を付与する不純物を添加する。イオンドープ法の条件はドーズ量
を１×１０13〜３×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2、加速電圧を６０〜１２０ｋＶとすれば良
い。本実施例ではドーズ量を３．０×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とし、加速電圧を６５ｋ
Ｖとして行った。第２のドーピング処理は第２の導電層を不純物元素に対するマスクとし
て用い、第１の導電層の下方に位置する半導体層にも不純物元素が添加されるようにドー
ピングを行う。
【００９４】
第２のドーピングを行うと、結晶質半導体層の第１の導電層と重なっている部分のうち
、第２の導電層に重なっていない部分もしくはマスクに覆われていない部分に、第２の不
純物領域（Ｎ-領域）が形成される。第２の不純物領域には１×１０18〜５×１０19ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度範囲でＮ型を付与する不純物が添加される。また、結晶質半導体層
のうち、第１形状の導電層にもマスクにも覆われておらず、露出している部分（第３の不
純物領域：Ｎ+領域）には１×１０19〜５×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲で高濃度にＮ型
を付与する不純物が添加される。また、半導体層にはＮ+領域が存在するが、一部マスク
のみに覆われている部分がある。この部分のＮ型を付与する不純物の濃度は、第１のドー
ピング処理で添加された不純物濃度のままであるので、引き続き第１の不純物領域（Ｎ--
領域）と呼ぶことにする。
【００９５】
なお、本実施例では２回のドーピング処理により各不純物領域を形成したが、これに限
定されることは無く、適宜条件を設定して、一回もしくは複数回のドーピングによって所
望の不純物濃度を有する不純物領域を形成すれば良い。
【００９６】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスクを形成
し、第３のドーピング処理を行う。第３のドーピング処理により、Ｐチャネル型ＴＦＴと
なる半導体層に前記第１の導電型及び前記第２の導電型とは逆の導電型を付与する不純物
元素が添加された第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）が形成
される。
【００９７】
第３のドーピング処理では、レジストからなるマスクに覆われておらず、更に第１の導
電層とも重なっていない部分に、第４の不純物領域（Ｐ+領域）が形成され、レジストか
らなるマスクに覆われておらず、且つ第１の導電層と重なっており、第２の導電層と重な
っていない部分に第５の不純物領域（Ｐ-領域）が形成される。Ｐ型を付与する不純物元
素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期律表第１
３族の元素が知られている。
【００９８】
本実施例では、第４の不純物領域及び第５の不純物領域を形成するＰ型の不純物元素と
してはホウ素（Ｂ）を選択し、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成した。
イオンドープ法の条件としては、ドーズ量を１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とし、加速電
圧を８０ｋＶとした。
【００９９】
なお、第３のドーピング処理の際には、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する部分はレジスト
からなるマスクに覆われている。
【０１００】
ここで、第１及び第２のドーピング処理によって、第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び
第５の不純物領域（Ｐ-領域）にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されている。しかし
、第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）のいずれの領域におい
ても、第３のドーピング処理によって、Ｐ型を付与する不純物元素の濃度が１×１０19〜
５×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ2となるようにドーピング処理される。そのため、第４の不
純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）は、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース
領域及びドレイン領域として問題無く機能する。
【０１０１】
なお、本実施例では、第３のドーピング一回で、第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第
５の不純物領域（Ｐ-領域）を形成したが、ドーピング処理の条件によって適宜複数回の
ドーピング処理により第４の不純物領域（Ｐ+領域）及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）を
形成してもよい。
【０１０２】
これらのドーピング処理によって、第１の不純物領域（Ｎ--領域）８０４、第２の不純
物領域（Ｎ-領域）８０５、第３の不純物領域（Ｎ+領域）８０６、８０７、第４の不純物
領域（Ｐ+領域）８０８、８０９、及び第５の不純物領域（Ｐ-領域）８１０、８１１が形
成される（図８（Ｂ））。
【０１０３】
次いで、レジストからなるマスクを除去して第１のパッシベーション膜８１２を形成す
る。この第１のパッシベーション膜としてはケイ素を含む絶縁膜を１００〜２００ｎｍの
厚さに形成する。成膜法としてはプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法を用いればよい。
【０１０４】
本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの窒素を含む酸化珪素膜を形成
した。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｈ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化ケ
イ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜
を形成すれば良い。また、第１のパッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｈ2から作
製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第１のパッシベーション
膜８１２は、本実施例のような酸化窒化ケイ素膜の単層構造に限定されるものではなく、
他のケイ素を含む絶縁膜を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。
【０１０５】
次いで、第１のパッシベーション膜８１２上に、層間絶縁膜８１３を形成する（図８（
Ｃ））。層間絶縁膜としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁
膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化ケイ素膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）法により塗布された酸化ケイ素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としては
ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性
有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂、ケイ素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基
に少なくとも水素を含む、または置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素の
うち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサンの膜を用いることができる。また
、それらの積層構造を用いても良い。
【０１０６】
本実施例では、シロキサンにより層間絶縁膜８１３を形成する。層間絶縁膜としては、
シロキサン系ポリマーを全面塗布した後、５０〜２００℃、１０分間の熱処理によって乾
燥させ、さらに３００〜４５０℃、１〜１２時間の焼成処理を行う。この焼成により、１
μｍ厚のシロキサンの膜が全面に成膜される。この工程は、シロキサン系ポリマーの焼成
を行うと共に、第１のパッシベーション膜８１２中の水素によって、半導体層を水素化及
び不純物の活性化をすることが可能であるため、工程数を削減でき、プロセスを簡略化す
ることが可能である。水素化は、第１のパッシベーション膜に含まれる水素によって、半
導体層のダングリングボンドを終端するものである。
【０１０７】
シロキサン以外の材料で層間絶縁膜を形成する場合には、水素化及び活性化の為に加熱
処理が必要となる。その場合は層間絶縁膜を形成する前に別に加熱処理（熱処理）を行う
工程が必要となる。熱処理法としては、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐ
ｍ以下の窒素雰囲気中において４００〜７００℃で行えば良く、本実施例では４１０℃、
１時間の熱処理で活性化処理を行った。なお、熱処理法の他に、レーザーアニール法、又
はラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。
【０１０８】
また、第１のパッシベーション膜８１２を形成する前に加熱処理を行ってもよい。但し
、第１の導電層８０２ａ〜８０２ｄ及び第２の導電層８０３ａ〜８０３ｄを構成する材料
が熱に弱い場合には、本実施例のように配線などを保護するため、第１のパッシベーショ
ン膜８１２を形成した後で熱処理を行うことが望ましい。さらに、この場合、第１のパッ
シベーション膜がないため、パッシベーション膜に含まれる水素を利用しての水素化は行
うことができない。この場合は、プラズマにより励起された水素を用いる手段（プラズマ
水素化）を用いての水素化や、３〜１００％の水素を含む雰囲気中において、３００〜４
５０℃で１〜１２時間の加熱処理による水素化を用いれば良い。
【０１０９】
この後、層間絶縁膜８１３を覆うように、ＣＶＤ法により窒化酸化珪素膜又は酸化窒化
珪素膜を形成しても良い。この膜は、後に形成される導電膜をエッチングするときに、エ
ッチングストッパーとして働き、層間絶縁膜のオーバーエッチングを防止することができ
る。さらにこの上に、スパッタリング法により窒化珪素膜を形成してもよい。この窒化珪
素膜は、アルカリ金属イオンの移動を抑制する働きがあるため、後に形成される画素電極
からのリチウム、ナトリウム等の金属のイオンが半導体層へ移動するのを抑制することが
できる。
【０１１０】
次に、層間絶縁膜のパターニング及びエッチングを行い、結晶性半導体層８０１ａ〜８
０１ｄに達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、ＣＦ4とＯ2とＨｅの
混合ガスを用いてシロキサン膜をエッチングし、続いてＣＨＦ3のガスによりゲート絶縁
膜である酸化シリコン膜をエッチングし、除去することで形成する。
【０１１１】
この際、コンタクトホールを開口することによって結晶性半導体層８０１ａ〜８０１ｄ
の表面が露出した状態となるが、この露出面に自然酸化膜が形成してしまう場合がある（
図示せず）。このような自然酸化膜があると、配線と結晶質ケイ素膜間の抵抗が高くなっ
てしまい、駆動電圧が上がったり、動作しなくなってしまう恐れがあるため、このような
自然酸化膜は配線を形成する前に除去してしまうことが望ましい。
【０１１２】
続いて、コンタクトホール中に金属膜を積層し、パターニングしてソース電極及びドレ
イン電極を形成する。本実施例では、窒素原子を含むチタン膜１００ｎｍ上に、チタン−
アルミニウム合金膜３５０ｎｍとチタン膜１００ｎｍを積層したのち、所望の形状にパタ
ーニング及びエッチングして３層で形成されるソース電極及び／又はドレイン電極８１４
〜８２１を形成する。
【０１１３】
一層目の窒素原子を含むチタン膜はターゲットをチタンとし、窒素とアルゴンの流量を
１：１としてスパッタリング法により形成する。上記のような窒素原子を含むチタン膜を
、シロキサン系の膜の層間絶縁膜上に形成すると、膜はがれしにくく、且つ結晶性半導体
層と低抵抗接続を有する配線を形成することができる。
【０１１４】
ここまでで、薄膜トランジスタや容量などの半導体素子を作成することができた。本実
施例では、結晶化を促進する元素を用いた結晶質半導体膜を用いたトップゲートの薄膜ト
ランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタを画
素部に用いることも可能である。非晶質半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウム
も用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０
１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。
【０１１５】
また非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半
導体膜を用いてもよい。また０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結
晶はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）とも呼ばれている。セミアモルファス半導体で
あるセミアモルファスシリコン（ＳＡＳとも表記する）は、珪化物気体をグロー放電分解
することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その
他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることが
できる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選
ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることでＳＡＳの形成を容易なもの
とすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが
好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲の圧力
で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは
１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は３００度以下が
好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が好適である。
【０１１６】
このようにして形成されたＳＡＳはラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側に
シフトしており、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）
の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素または
ハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。膜中の不純物元素として、
酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０20ｃｍ-1以下とすることが望ましく
、特に、酸素濃度は５×１０19／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19／ｃｍ3以下とする。
ＴＦＴにしたときのμ＝１〜１０ｃｍ2／Ｖｓｅｃとなる。
【０１１７】
これまでの工程において、薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極の形成と同時
に配線も形成されるが、本発明を使用する場合はアノード線もしくはカソード線に接続す
る為に基板の周囲にそれら線に平行して形成される引き回し配線は形成する必要はない。
その代わり、実施の形態１に示したような、外部接続部をアノード線もしくはカソード線
の両端に形成する構成を適用する場合はこれまでの工程と同時に外部接続部も図１、図２
に示したような位置に形成し、アノード線もしくはカソード線の両端は近い方の外部接続
部と接続される。実施の形態２に示したような封止缶を利用する構成を適用する場合、封
止缶と接続する方の端部には他の配線は接続されない。
【０１１８】
続いてこれらの半導体素子を用いて発光装置を作成する工程に入る。
【０１１９】
本実施例で説明する発光装置は一対の電極間に発光する物質を含む層を挟み込み、電極
間に電流を流すことで発光する素子をマトリクス状に配列させたものである。発光素子の
発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から
注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して
分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光す
るといわれている。
【０１２０】
励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能
であると考えられている。故に、素子の特徴によって一つの発光装置内において、一重項
励起状態の素子あるいは三重項励起状態の素子を混在させても良い。例えばＲＧＢの三色
において、赤に三重項励起状態を取る素子、青と緑に一重項励起状態を取る素子としても
良い。また、三重項励起状態を取る素子は一般に発光効率が良いため、駆動電圧の低下に
も貢献する。
【０１２１】
発光素子の材料としては、低分子、高分子、低分子と高分子の間の性質を持つ中分子の
発光材料があるが、本実施例では蒸着法により電界発光層を形成するため、低分子の発光
材料を使用する。高分子材料は溶媒に溶かすことでスピンコートやインクジェット法によ
り塗布することができる。また、有機材料のみではなく、無機材料との複合材料も使用す
ることができる。
【０１２２】
前工程によって作製された薄膜トランジスタのドレイン電極と一部重なるようにして、
発光素子の第１の電極９０１を形成する。第１の電極は発光素子の陽極、または陰極にな
る電極であり、陽極とする場合は仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、及び
これらの混合物などを用いることが好ましい。仕事関数としては仕事関数４．０ｅＶ以上
がだいたいの目安となる。具体例な材料としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘ
ｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）
を混合したＩＴＳＯ、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ
）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）
、パラジウム（Ｐｄ）、又は金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いることができる。
【０１２３】
陰極として用いる場合は、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下が目安）金属、
合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的な材
料としては、元素周期律の１族又は２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ
金属、及びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ
、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2）の他、希土類金属を含む遷移金属
を用いて形成することができる。但し、本実施例において第２の電極は透光性を有するた
め、これら金属、又はこれら金属を含む合金を非常に薄く形成し、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴ
ＳＯ又はその他の金属（合金を含む）との積層により形成することができる。
【０１２４】
本実施例では第１の電極９０１は陽極とし、ＩＴＳＯを用いた。電極としてＩＴＳＯを
用いた場合は真空ベークを行うと発光装置の信頼性が向上する。
【０１２５】
また、本実施例において第１の電極は薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極
を作製した後に形成されるが、始めに第１の電極を形成しその後薄膜トランジスタの電極
を作製してもかまわない。
【０１２６】
図９のように画素部の薄膜トランジスタに接続されている画素電極である第１の電極９
０１の端部を覆うように絶縁膜９０２を形成する。この絶縁膜９０２は土手や隔壁と呼ば
れるものである。絶縁膜９０２としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる
。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化ケイ素膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化ケイ素膜などを用いることができ、有機絶縁
膜としては感光性または非感光性のポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテ
ン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂、ケイ素と酸素との
結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、または置換基にフッ素、ア
ルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料、いわゆるシロキサ
ンの膜を用いることができる。また、それらの積層構造を用いても良い。感光性の有機物
を使用して形成すると、開口部の形状が曲率半径が連続的に変化する形状となり電界発光
層を蒸着する際に段切れなどが起こりにくいものとなり好適である。本実施例では感光性
のポリイミドを使用した。
【０１２７】
続いて、蒸着装置を用いて、蒸着源を移動させながら蒸着を行う。例えば、真空度が５
×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空
排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、抵抗加熱により、予め有機化合物は気化され
ており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化
合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着され、電界
発光層９０３（第１の電極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層）が形成される。なお、電界発光層９０３の構成はこのような積層でなくとも良く、
単層、混合層で形成されていても良い。
【０１２８】
電界発光層９０３を形成したら、第２の電極９０４を電界発光層９０３に接して形成す
る。本実施例では第１の電極９０１が陽極であるため、第２の電極９０４は陰極として形
成する。陰極材料は先に述べたような材料を使用すれば良く、本実施例ではＬｉを含む材
料を薄く形成した後、スパッタリング法によりＩＴＳＯを成膜することで透明性を有する
第２の電極（陰極）９０４を形成した。
【０１２９】
本実施例では第１の電極９０１、第２の電極９０４両方とも透光性を有する材料で形成
されているため、基板の上面、下面両方より光を取り出すことが可能となる。もちろん、
どちらかの電極の透光性を制御したり、電界発光層より基板側に使用される材料によって
は上面のみ、下面のみの発光を得ることも可能である。
【０１３０】
図９（Ｂ）は上面発光の構成の１例であり、画素電極９０１と薄膜トランジスタの電極
を異なる層に形成した例である。第１の層間絶縁膜８１３及び第２の層間絶縁膜９０２は
図８における層間絶縁膜８１３と同様の材料で作製することができ、その組み合わせも自
由に行えるが、今回はどちらの層もシロキサンにより形成する。画素電極９０１は第２の
層間絶縁膜９０２側からＡｌ−Ｓｉ＼ＴｉＮ＼ＩＴＳＯと積層して形成したが、もちろん
単層でもかまわないし、２層、あるいは４層以上の積層構造でもかまわない。
【０１３１】
ところで、第２の電極９０４をスパッタリング法により形成する場合、電子注入層の表
面もしくは電子注入層と電子輸送層の界面にスパッタリングによるダメージが入ってしま
うことがある。これは特性に悪影響を及ぼす可能性がある。これを防ぐためには、スパッ
タリングによるダメージを受けにくい材料を第２の電極９０４に最も近い位置に設けると
よい。このようなスパッタダメージを受けにくい材料で、電界発光層９０３に用いること
ができる材料としてはＭｏＯｘが挙げられる。しかし、ＭｏＯｘは正孔注入層として好適
な物質であるため、第２の電極９０４に接して設けるには第２の電極９０４を陽極とする
必要がある。
【０１３２】
そこで、この場合は第１の電極９０１を陰極として形成し、その後順に、電子注入層、
電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層（ＭｏＯｘ）、第２の電極（陽極）と形成
し、画素の駆動用薄膜トランジスタはＮチャネル型とする必要がある。ＭｏＯｘは蒸着法
により形成し、ｘ＝３以上のものが好適に使用できる。この際、画素部の薄膜トランジス
タはもともとＮ型であるａ−Ｓｉ：Ｈを半導体層としたトランジスタを用いると工程が簡
略化されて好適である。駆動回路部が同一基板上に形成されている場合は駆動回路部のみ
レーザ等を照射することで結晶化して用いるとよい。
【０１３３】
その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化珪素膜を第２のパッシベーション膜９
０５として形成した。窒素を含む酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉ
Ｈ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製さ
れる酸化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ4、Ｎ2ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸
化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。また、第１のパッシベーション膜としてＳｉＨ4、Ｎ2
Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第２のパ
ッシベーション膜９０５は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁膜
を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化ケイ素膜やダイヤモンド
ライクカーボン膜を窒素を含む酸化珪素膜の代わりに形成してもよい。
【０１３４】
続いて電界発光素子を水など劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を
行う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール剤により、外部接続部が露出する
ように貼り合わせる。対向基板と素子を形成した基板との間の空間には乾燥した窒素など
の不活性気体を充填しても良いし、シール剤を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を
形成しても良い。シール剤には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール剤には
乾燥剤や基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。
【０１３５】
続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、図１や図２に示
したようなパネルが完成する。このようにパネルの対向する２端（アノード線またはカソ
ード線の端部に近い方）に外部接続部を設けてそれぞれ近い方の外部接続部より電圧を供
給することで、従来と比較して表示部の面積を大きくしても、大きな電圧降下が起こらず
、高品質な表示を得ることが可能となる。
【０１３６】
封止缶をもちいて封止を行う場合は、絶縁膜９０２をアノード線またはカソード線の端
部付近で除去してしまうか、それらに達する開口部を形成する。そして実施の形態２のよ
うな方法によって封止缶を接着し、封止缶とアノード線もしくはカソード線の導通を取る
と共に電界発光素子の封止を行う。封止缶に電圧を供給するには、フレキシブル配線基板
から供給しても良いし、電源回路から直接接続しても良い。電源回路より直接電圧を供給
する場合は、フレキシブル配線基板の必要ピン数を削減できるというメリットがある。
【０１３７】
その後、他の部分とのショートを防ぐ為に、絶縁性の膜を封止缶を覆って形成する。こ
れはどのような方法であってもかまわないが、塗布法などで行うと簡便に行うことができ
る。このように、断面積の大きい封止缶を配線として用いて電圧を供給しているため、電
圧降下の心配が少ない。さらに、外部接続部より、アノード線もしくはカソード線に電圧
を供給しないことになるためピン数の節約になり、レイアウトが楽になったり、他の有用
な情報をパネル内に供給することができるようになる。これにより、額縁面積の小さな、
高画質のディスプレイを作製することが可能となる。
【実施例２】
【０１３８】
本発明が適用される電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディ
スプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カ
ーオーディオ、オーディオコンポ等）、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話
、携帯型ゲーム機または電子書籍等）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図
１０に示す。
【０１３９】
図１０（Ａ）はデジタルスチルカメラであり、本体１００１、表示部１００２、受像部１
００３、操作キー１００４、外部接続ポート１００５、シャッター１００６等を含む。本
発明は、表示部１００２に適用することができる。狭額縁化されることによって、表示部
を搭載する際に必要な体積が同じであっても表示部１００２を従来より大きく取ることが
でき、見やすい画面とすることができる。また、小型化も実現する。さらに、電圧降下に
よる表示のムラも低減される。
【０１４０】
図１０（Ｂ）はモバイルコンピュータであり、本体１１０１、表示部１１０２、スイッ
チ１１０３、操作キー１１０４、赤外線ポート１１０５等を含む。本発明は、表示部１１
０２に適用することができる。狭額縁化されることによって、同表示部面積であれば余分
な額縁部分を削減することが可能となり、携帯するのにより便利になる。さらに、電圧降
下による表示のムラも低減される。
【０１４１】
図１０（Ｃ）は携帯型のゲーム機であり、筐体１２０１、表示部１２０２、スピーカー
部１２０３、操作キー１２０４、記録媒体挿入部１２０５等を含む。本発明は表示部１２
０２に適用することができる。狭額縁化されることによって、同表示部面積であれば余分
な額縁部分を削減することが可能となり、携帯するのにより便利になる。さらに、電圧降
下による表示のムラも低減される。
【０１４２】
図１０（Ｄ）は携帯電話であり、本体１３０１、筐体１３０２、表示部１３０３、音声
入力部１３０４、音声出力部１３０５、操作キー１３０６、アンテナ１３０８等を含む。
本発明の発光装置をその表示部１３０３に用いることにより作製される。表示部１３０３
におけるアノード線またはカソード線はその端部に近い方の外部接続部１３０９に接続さ
れ、フレキシブル配線基板１３１０から電圧を供給されているため、電圧降下の心配をす
ることなく、狭額縁化されている。狭額縁化されることによって、表示部を搭載する際に
必要な体積が同じであっても表示部を従来より大きく取ることができ、見やすい画面とす
ることができる。また、小型化も実現する。さらに、電圧降下による表示のムラも低減さ
れる。
【符号の説明】
【０１４３】
５００ 配線
１０２ 表示部
１００ 基板
１０１ 対向基板
１０３ 外部接続部
１０６ フレキシブル配線基板
１０４ 外部接続部
２００ 外部接続部
２０２ フレキシブル配線基板
２００１ リボン
２０００ フレキシブル配線基板
２００９ 外部接続部
２００２ リボン
２００７ 外部接続部
２０１ 外部接続部
２００８ 外部接続部
２００３ リボン
２００６ フレキシブル配線基板
２０２ フレキシブル配線基板
２００４ 導電線
２００５ 外部接続部
３００ 基板
３０１ フレキシブル配線基板
３０２ 封止缶
３０３ 表示部
３０４ 電圧供給部
３１３ 発光素子
３１１ 乾燥剤
３１４ 膜
３０９ 材料
３０５ アノード線
６００ 絶縁膜
６０１ 開口部
６０２ 導電性粒子
６０３ フィラー
３１２ 封止材
６１０ 対向基板
６１１ 導電膜
３１３ 電界発光素子
６１２ 配線
６１３ 粒子
１００ 基板
１５５ 貫通孔
１５１ 導電膜
１５０ フレキシブル配線基板
１５４ シール材
１５２ 配線
１５３ 表示部
８００ 基板
８０１ 下地絶縁膜
８０１ａ 結晶性半導体層
８２２ ゲート絶縁膜
８０２ 第１の導電膜
８０３ 第２の導電膜
８０２ａ 導電層
８０３ａ 導電層
８０４ 不純物領域（Ｎ−−領域）
８０５ 不純物領域（Ｎ−領域）
８０６ 不純物領域（Ｎ＋領域）
８０８ 不純物領域（Ｐ＋領域）
８１０ 不純物領域（Ｐ−領域）
８１２ パッシベーション膜
８１３ 層間絶縁膜
８１４ ドレイン電極
９０１ 電極
９０２ 絶縁膜
９０３ 電界発光層
９０４ 電極
９０５ パッシベーション膜
１００１ 本体
１００２ 表示部
１００３ 受像部
１００４ 操作キー
１００５ 外部接続ポート
１００６ シャッター
１１０１ 本体
１１０２ 表示部
１１０３ スイッチ
１１０４ 操作キー
１１０５ 赤外線ポート
１２０１ 筐体
１２０２ 表示部
１２０３ スピーカー部
１２０４ 操作キー
１２０５ 記録媒体挿入部
１３０１ 本体
１３０２ 筐体
１３０３ 表示部
１３０４ 音声入力部
１３０５ 音声出力部
１３０６ 操作キー
１３０８ アンテナ
１３０９ 外部接続部
１３１０ フレキシブル配線基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の基板と前記第１の基板に対向する透光性を有する第２の基板とを有し、
前記第１の基板には、
発光素子を有する画素部と、
前記画素部に形成された複数のアノード線または複数のカソード線と、
前記画素部を挟んで形成されている外部接続部と接続部と、が設けられ、
前記外部接続部と前記接続部とは前記複数のアノード線または前記複数のカソード線の両端側にそれぞれ位置し、
前記複数のアノード線または前記複数のカソード線の両端は、前記外部接続部と前記接続部のうち位置が近い方にそれぞれ電気的に接続され、
前記外部接続部に、フレキシブル配線基板が電気的に接続され、
前記第２の基板には、導電性を有する膜が設けられ、
前記接続部に、前記導電性を有する膜が電気的に接続され、
前記フレキシブル配線基板と前記導電性を有する膜とは電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のアノード線または前記複数のカソード線はストライプ状に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記フレキシブル配線基板から前記複数のアノード線または前記複数のカソード線を介して前記発光素子への給電を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素部には前記発光素子を駆動するトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１】
透光性を有する第１の基板と前記第１の基板に対向する透光性を有する第２の基板とを有し、
前記第１の基板には、
発光素子を有する画素部と、
前記画素部に形成された複数のアノード線または複数のカソード線と、
前記画素部を挟んで形成されている外部接続部と接続部と、が設けられ、
前記外部接続部と前記接続部とは前記複数のアノード線または前記複数のカソード線の両端側にそれぞれ位置し、
前記複数のアノード線または前記複数のカソード線の両端は、前記外部接続部と前記接続部のうち位置が近い方にそれぞれ電気的に接続され、
前記外部接続部に、フレキシブル配線基板が電気的に接続され、
前記第２の基板には、導電性を有する膜が設けられ、
前記接続部に、前記導電性を有する膜が電気的に接続され、
前記フレキシブル配線基板と前記導電性を有する膜とは電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のアノード線または前記複数のカソード線はストライプ状に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記フレキシブル配線基板から前記複数のアノード線または前記複数のカソード線を介して前記発光素子への給電を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素部には前記発光素子を駆動するトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−５３４７５（Ｐ２０１２−５３４７５Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２４５２３（Ｐ２０１１−２２４５２３）
【出願日】平成２３年１０月１２日（２０１１．１０．１２）
【分割の表示】特願２０１１−９６４（Ｐ２０１１−９６４）の分割
【原出願日】平成１６年１１月１９日（２００４．１１．１９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１２日（２０１１．１０．１２）
【分割の表示】特願２０１１−９６４（Ｐ２０１１−９６４）の分割
【原出願日】平成１６年１１月１９日（２００４．１１．１９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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