【課題】荷電粒子線装置において高い引出電圧で動作可能で、且つ、エミッタンスを向上させたエミッタ、およびその製造方法、並びに、当該エミッタを備える荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】エミッタ１の周囲に希ガスを導入し、エミッタ１と引出電極２９の間に９ｋＶ以上の所定の引出電圧を印加して該引出電圧を一定に保ち、エミッタ１からのエミッションパターンを観察すると共に、エッチングガスを導入してエミッタ１の先端をエッチングし、
このエッチングの間にエミッションパターンが、前記エミッタの構成原子による三量体又は単量体のスポットを示し、このスポットのサイズ及び強度が他の構成原子のスポットよりも大きくなった時点で前記エッチングガスの導入を停止する。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子を備えたマルチ電子源において、低抵抗の素子を検出し、修復する工程を、正確に且つ簡易に行う。
【解決手段】検出用電圧を印加し、素子のリーク電流を測定し、該リーク電流値にもとづいて素子の抵抗値を算出し、規定の抵抗値以下の素子について、修復用電圧を印加して素子の高抵抗化を図る工程を、素子毎に点順次で行う。 （もっと読む）

【課題】 平板型画像表示装置の製造において、アノード電極を有するプレートと電子放出素子を有するプレートとをアライメントマークの検出装置を用いることなく高精度に位置合せする。
【解決手段】 本発明の、複数の電子放出素子を有する第１プレートを備えた平板型画像表示装置の製造方法は、複数のアノード電極を有する第２プレートを前記第１プレートに対向して配置する配置工程と、前記複数の電子放出素子から放出された放出電子によって前記複数のアノード電極を通して流れる電流値をそれぞれ計測する計測工程と、前記計測工程で計測された複数の電流値に基づいて前記第１プレートと前記第２プレートとの位置関係を決定する決定工程と、前記決定工程で決定された位置関係に応じて前記第１プレートと前記第２プレートとの位置関係を修正する修正工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の通電活性化において、階段状の電流計測パルスを用いて素子のＩ−Ｖ特性を適切に把握する方法、及び、予め測定した素子の特性に基づいて電流遅延の影響を算出し、通電活性化を効率的に実行する電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】量産前に予め活性化電流と電流遅延量の関係が一定以上の相関関係を持つ範囲を求めておく。量産時には活性化電流値が範囲に含まれる場合に素子の特性を計測するパルスの印加時間を短くすることができ、製造時のプロセスタクトが改善できる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＥＤ素子膜製造のように、インクジェット直描で膜を形成するにあたり、全てのパターンを均一に塗布するために、ノズル毎の吐出量を正確に測定する。
【解決手段】 塗布物質を分散または溶解した液体、液体を液滴として吐出させるノズルを備えた液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドから前述液滴を吐出して被塗布物体の表面に前述塗布物質を塗布する液体塗布装置、被塗布物体上に塗布されて付着した塗布物質の３次元的形状値を測定する形状測定手段、形状測定値から塗布物質の体積値を計算する体積計算手段を有する。 （もっと読む）

【課題】電子源用探針を先鋭化するにあたって、従来のものよりもさらに先鋭化が可能であり、かつ先鋭化する工程を制御しやすいため再現性良く電子源用探針を作製することが可能な電子源用探針の製造方法と、この製造方法によって得られる電子源用探針を提供する。
【解決手段】酸素の導入によって、＜１１１＞方向を向いた単結晶タングステンワイヤ２１の先端部のタングステン原子２２に酸素原子が結合して、酸化タングステンが形成される。この酸化タングステンが断続的に剥がれることにより、単結晶タングステンワイヤ２１からなる探針の先端部が著しく先鋭化される。 （もっと読む）

【課題】長期間保管時においても、電子放射材料表面から、被覆された炭素被膜が剥がれることなく、高信頼性の炭素被覆電子源を安定して提供する。
【解決手段】希土類元素の六ほう化物からなる電子放射材料表面の電子放射部以外が炭素で被覆された電子源の製造方法であって、炭素で被覆する工程前に、電子放射材料表面を荒らす工程と、それによって形成された酸化膜を除去する工程を経ることを特徴とする電子源の製造方法であって、好ましい実施態様として、電子材料表面を荒らす工程を１×１０^−３〜１０Ｐａ、１３００〜１６５０℃の条件下で処理し、酸化膜を除去する工程を１×１０^−８〜５×１０^−５Ｐａ、１３００〜１６５０℃で処理することを特徴とする前記の電子源の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子放出電極を各走査線毎に簡便に分割した画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層１３Ｐを成膜し、隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間の電子放出電極を溶断して分離する。 （もっと読む）

【課題】電気化学的な酸化方法による酸化のみでシリコン酸化膜の絶縁特性を向上可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被処理層の主表面とは反対側の電極を陽極として、陽極と電解液中で被処理層の主表面側に対向配置される陰極との間に通電することで被処理層の各シリコン微結晶それぞれの表面にシリコン酸化膜を形成するにあたって、シリコン微結晶とシリコン酸化膜との界面近傍の遷移層の幅が１ｎｍ以下となるように陽極と陰極との間に流れる電流の電流密度を制御する。ここで、シリコン基板を被処理層とした場合には、電流密度を２ｍＡ／ｃｍ^２とした参考例１の密度分布「イ」では遷移層の幅が約１ｎｍであり、電流密度を１０ｍＡ／ｃｍ^２として更に急速熱酸化処理を行った参考例４の密度分布「ニ」と同程度の界面特性が得られるので、電流密度を例えば２ｍＡ／ｃｍ^２とすればよい。 （もっと読む）

【課題】 電界放出型冷陰極のエージングにおいて、アノードから発生するガスの影響によるカソードの損傷を防ぐことが可能なエージング装置およびエージング方法を提供する。
【解決手段】 エージング装置１００は、ゲート２およびカソード１を備え、ゲート２にゲート電圧が印加されることによりカソード１から電子が放出される電界放出型冷陰極１０をエージングするためのエージング装置であって、ゲート電圧を制御するゲート電圧制御部２３と、電子の放出先であるアノード３に流れ込むアノード電流の変動を測定する変動測定部２１とを備え、ゲート電圧制御部２３は、測定されたアノード電流の変動および放出される電子の量または速度に影響を与える電圧に基づいてゲート電圧を変更する制御を行なう。 （もっと読む）

【課題】 本発明は電子銃エミッターの成形方法及びシステムに関し、エミッターのビルドアップを最終的に使用する装置において、自動的に行なうことができるエミッターの成形方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 エミッター１３ａを備えた電子銃１３と、該エミッター１３ａに所定の加熱処理及び／又は電圧の印加処理を行なう電子銃コントロール回路２７と、前記エミッター１３ａの電子の出口近辺に設けたスクリーン２０と、該スクリーン２０を外部より観察できるようにしたスクリーン観察窓２１，２２と、該観察窓からスクリーン２０の状態を観察するパターン観察カメラ２３と、該パターン観察カメラ２３の出力を取り込んでエミッションパターンを取得し、パターン認識により所定の基準パターンと比較し、比較結果に応じて前記電子銃コントロール回路２７に制御信号を与えるコンピュータ２５とにより構成される。 （もっと読む）

【課題】カソードパネルの損傷発生、カソードパネルにおける放電破壊といった問題が生じることなく、カットオフ電圧Ｖ_CUTあるいはその近傍において電子を放出する冷陰極電界電子放出素子を、動作上、除去することを可能とするカソードパネルのコンディショニング方法を提供する。
【解決手段】カソードパネルのコンディショニング方法は、カソード電極１１、ゲート電極１３、及び、電子放出部を有する電子放出領域を具備したカソードパネルを、電子放出領域に対向した検査用電極が備えられたコンディショニング用のチャンバ内に配置し、コンディショニング用のチャンバを排気しながら、各カソード電極１１に一定の電圧Ｖ_Cを印加し、検査用電極１１１に電圧Ｖ_IEを印加した状態で、各ゲート電極１３に、最小電圧値Ｖ_G-MIN及び最大電圧値Ｖ_G-MAXを有するパルス状の電圧（但し、Ｖ_G-MIN＜Ｖ_C＜Ｖ_G-MAX≪Ｖ_IE）を印加する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性のばらつきを抑制するために、「活性化工程」中において間隙７に実効的に印加される実効電圧Ｖ’を所望の値になるように制御する。
【解決手段】 「活性化工程」において、第１の導電膜と第２の導電膜との間に第１設定電圧加えた時の電流値と第２設定電圧を加えた時の電流値から求めたβｅｆｆｅｃｔが所望の値になるように、電源５１から出力する電圧の制御を行いながら、第１導電膜４ａと第２導電膜４ｂとの間に、繰り返し電圧を印加する。 （もっと読む）