【課題】大電流を得ることのできる電子放出源、及びそれを陰極部に用いたマグネトロンを提供すること。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置内に一酸化炭素及び水素ガスの混合ガスを導入し、ガス雰囲気中にてステンレスの平均結晶粒径が４０μｍ以下である陰極基板１０を４５０〜６００℃に加熱し、陰極基板１０の表面にガスを反応させることで、陰極基板１０の表面に存在するＮｉあるいはＦｅなどを核として陰極基板１０の表面にグラファイトナノファイバーを成長させグラファイトナノファイバー薄膜１１を形成し電界電子放出源を構成した。 （もっと読む）

【課題】 長さの均一な突起物を有するナノ構造体の製造方法およびナノ構造体を提供する。
【解決手段】 基板２１または下地層２２上に、陽極酸化により孔が形成される材料から成る層を２層以上有する積層体２３、２４を形成する工程と、前記積層体を陽極酸化して貫通した孔２５を形成する工程と、前記孔の中に内包物２６を充填する工程と、前記陽極酸化された積層体の上層２４を選択的に除去して内包物からなる突起物２７を形成する工程とを有する構造体の製造方法。前記ナノ構造体を利用した電界放出型電子源、ナノインプリント用モールド、プローブ顕微鏡用探針、磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 長さの均一なナノ細線を有するナノ構造体の製造方法および構造体を提供する。
【解決手段】 基板２１または下地層２２上に、陽極酸化により孔が形成される材料から成る層を２層以上積層して積層体２３、２４を形成する工程と、前記積層体を陽極酸化して孔２５を形成する工程と、前記孔の中に内包物２６を充填する工程と、前記陽極酸化された積層体の上層を選択的に溶解して除去し、内包物からなるナノ細線２７を形成する工程とを有するナノ細線を有するナノ構造体の製造方法。前記ナノ構造体を利用した電界放出型電子源、ナノインプリント用モールド、プローブ顕微鏡用探針。 （もっと読む）

電子放出器が、導電性の電極への付着層により付着した触媒クラスターの蒸気から、原位置での成長により形成される。このエミッターは、低い電界強度と高い電流密度で電子を放出する半球状体のナノファイバークラスターで構成され、離したギャップ全体に間隔をおいて配置された陽極上での電子と蛍光性や燐光性の薄膜との相互作用によって明るい光が生成される。ナノファイバーは、ナノファイバークラスターがもつれる形で成長することができ、個々のナノファイバーの動きが制限される。
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【課題】 2種の材料間で化合物を形成し得る場合において相分離構造をもつナノメートルサイズの膜状構造体を提供する。
【解決手段】 Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。第一及び第二の部材１００，１０１のいずれか一方の部材は基体１０４上に形成され且つ他方の部材に側面を取り囲まれている柱状部材である。柱状部材の横断面形状の長軸方向の平均直径Dlと短軸方向の平均直径Dsとの比Dl/Dsが５未満である。 （もっと読む）

【課題】電子放出源、電子放出源の製造方法、及び該電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
【解決手段】金属酸化物ナノ粒子１２０がコーティングされた電子放出源１１０及び該電子放出源１１０を含む電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】 電子線励起ディスプレイなど次世代の電子装置に広く応用される高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】 仕事関数を低減した電子放出用の多層構造体を提供する。
【解決手段】 第１金属の金属基板上に、基板の第１金属の一部を第２金属で置換した合金の中間層と、その上の第３金属の表層とを備え、中間層合金／表層金属の組み合わせが、Ni基板にはNiCr/Se, ＮiSn/Se, NiIn/In, NiCr/Si, NiSn/S, NiIn/S, NiCr/Ag, NiAl/Si, NiIn/Se, NiSn/Ag, NiSn/Siのいずれか１種、Pt基板にはPtSn/Sn, PtSn/In, PtSn/Te, PtSn/Pb, PtSn/P, PtSn/Se, PtIn/Mg, PtPb/Mg, PtSn/Mg, PtIn/In, PtSn/S, PtPb/In, PtIn/Pb, PtIn/P, PtPb/P, PtIn/Se, PtPb/Pbのいずれか１種であり、仕事関数が１ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】 簡略で低コストである単原子チップ及びその調製方法を提供する。
【解決手段】 金属チップ１を調製するステップと、金属チップ１を洗浄するステップと、金属チップ１上に少量の貴金属を電気メッキするステップと、メッキした金属チップ１を熱処理し、金属チップ１の頂点に少数の原子で終端した角錐構造を形成するステップにより単原子チップを調製する。 （もっと読む）

【課題】 陽極電極に到達する電子の領域を、簡易な構成で制御することのできる電子放出素子を構成する。
【解決手段】 電子放出部を備える陰極電極と、該電子放出部から電子を引き出すための電極であって、前記陰極電極の電位よりも高い電位を印加する引出し電極と、該引出し電極によって前記電子放出部から引き出された電子を偏向する電極であって、前記引出し電極の電位より低い電位を印加する偏向電極と、を基板上に備え、陽極電極と対向して配置し、電子を放出する電子放出素子であって、前記引出し電極は、前記陰極電極と前記偏向電極との間に配置されており、前記偏向電極は、前記電子放出部と対向するように配置される部分と、且つ、前記偏向電極と前記電子放出部とが対向する方向と交差する方向において前記電子放出素子から放出された電子を挟むように配置される部分と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大気中でも安定に作動する電子放出素子とその製造方法、および、前記素子を使用した電界電子の放出方法を実現する。
【解決手段】 アルゴン、ヘリウム等の希ガス、水素の単独またはこれらの混合希釈ガスを用いて、０．００１〜７６０Ｔｏｒｒの圧力のもとで、希釈ガスに対して、０．０００１〜１００体積％のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入した雰囲気中にて、プラズマを発生し、あるいは発生せずして、室温〜１３００℃に保持した電子放出素子基板に紫外光を照射することにより、ＢＮで示されｓｐ³結合性ＢＮ、またはこれとｓｐ²結合性ＢＮとの混合物からなる材料を含み、電圧を印加することによって大気中で安定に電子放出する先端の尖った表面形状を自己造形的に形成し、基板を回収する。 （もっと読む）

【課題】
高鮮明な表示を可能とする電子放出電極およびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】
導通基板７上に立設する突起物６を有し、
その突起物６は、金属１１と、その突起物６の長さ方向に配向する導電性ファイバ１２との複合体である電子放出電極とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の限界を超えて仕事関数を低減した電子放出用の多層構造体を提供する。
【解決手段】 本発明の多層構造体１は、金属基板２上に、該基板２の金属の一部を周期律表のIIIｂ族またはIVｂ族から選択した1種の元素で置換した合金から成る中間層３と、該中間層３上にあって上記置換した元素と同種の元素の１原子層以上から成る表層４とを備え、仕事関数が１ｅＶ以下である。望ましくは、周期律表のIIIｂ族元素から選択した1種の元素がＩｎであるか、または、周期律表のIVｂ族元素から選択した１種の元素がＳｎである。上記金属基板２は、望ましくは周期律表のＩｂ族に属する金属またはその合金から成り、更に望ましくはＣｕまたはＣｕ合金から成る。望ましくは、ＣｕまたはＣｕ合金から成る金属基板２の（１１１）面上に上記中間層３が形成される。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法、これを応用した電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板に平行な方向に基板に固着される複数の第１カーボンナノチューブと、第１カーボンナノチューブの表面に形成される複数の第２カーボンナノチューブと、を備えるカーボンナノチューブエミッタ。 （もっと読む）

液晶表示装置のバックライトとして使用する電界放出型装置は、電子放出層のある導電性の陽極と、陽極とはスペーサーで分離された陰極から構成される。陰極は、ナノファイバー電子放出器から構成される。例えば、ナノファイバー電子放出器は、基材、基材に付着した導電性薄膜、および高電流密度および低電界強度で電子を放出する能力のある複数の孤立的な半球状体のナノファイバークラスターから構成される。
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【課題】ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるＳｉベースの物質層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたＳｉベースの物質層である。また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 （もっと読む）