【課題】ＣＶＤ法によってＳｉＯ₂を主成分とする層を積層した基板上に、良好なカーボン膜を備えた電子放出素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基体１上にＣＶＤ法によって、Ｎの元素比率が２％以下であるＳｉＯ₂を主成分とする層８を形成して基板１とし、その上に素子電極２，３、導電性膜４を形成し、さらに、活性化処理によってカーボン膜６を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の不安定性を改善するとともに、より高効率な電子放出特性を有する新規な電子線装置の提供。
【解決手段】 表面に凹部を有する絶縁部材と、前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置する突起部分を有するカソードと、前記絶縁部材の外表面に、前記突起部分と対向して位置するゲートと、前記ゲートを介して前記突起部分と対向して位置するアノードとを有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料自体の劣化の少ない構造・構成を有し、コンパクトで薄型かつ低コストな電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。これにより、基板上に良質の窒化ホウ素材料を得ることができる。また、同材料に電子を放出する際の電圧印加を行うことが可能となり、かつ、電子を供給することができる。また、窒化ホウ素材料１３としてＳｐ^３結合性窒化ホウ素を用い、さらには、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素として、Ｓｐ^３結合性５Ｈ−ＢＮ材料又はＳｐ^３結合性６Ｈ−ＢＮ材料を使用することにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】一対の電極膜から効率よく電子を放出する。
【解決手段】後側基板３の対向空間側面３１には、フロートガラスからなる後側基板３と異なる絶縁材料のＳｉＯ₂膜３２が設けられている。また、ＳｉＯ₂膜３２には、隙間部３３が形成されている。また、後側基板３のＳｉＯ₂膜３２上には、蛍光体２３を励起発光させるために電子を放出する表面伝導型の電子放出部３４が設けられている。各電子放出部３４は、一対の電極膜３５，３６が離間して構成され、一対の電極膜３５，３６に電圧を印加する（電位差を与える）ことにより電子を蛍光体部２２に向けて放出する。 （もっと読む）

【課題】空乏層を備えないため、高性能であり、設計の自由度が高い電子源装置およびそれを備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】電子源装置１０は、第１絶縁体７と、第１絶縁体７上に形成された、互いに平行な複数のエミッタライン２と、エミッタライン２上に絶縁層３を介して形成されている、エミッタライン２と直交する互いに平行な複数のゲート電極４と、エミッタライン２どうしの間に配置され、第１絶縁体７と絶縁層３と接している第２絶縁体６と、エミッタライン２とゲート電極４とが交差する箇所に配置されたセグメント８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造コストが安価で済み、かつ、安定した電子放出特性を有する冷陰極電子源を提供すること。
【解決手段】基板２上にほぼ均等な粒子径を有する多数の酸化物粒子４が単層ないしは複層で配置され、これら酸化物粒子４上に炭素膜６が酸化物粒子の形状を反映して連続した凹凸形状をなして積層されている。 （もっと読む）

【課題】 安定した品質の表示が可能な電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板１１と基板１１上に形成された配線１８とを覆うようにバリア膜１５を形成し、バリア膜１５の上に配線１７を形成する。配線１８に接続する第１電極２４と配線１７に接続する第２電極２５とに導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に形成された電子放出部１３が、バリア膜１５の上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 導電性膜の形状に配慮され、導電性膜において断線を起こしにくくすることができる電子源および電子源の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板１０に形成された一対の素子電極１１，１２と、素子電極１１，１２間に形成された電子放出部１７を有する導電性膜１５と、一対の素子電極１１，１２にそれぞれ対応して接続されたＸ方向配線１８とＹ方向配線１９とを有する。素子電極１１，１２が形成された部分を除く箇所に形成された素子電極１１，１２の膜厚に相当する膜厚を有する第１の絶縁膜２２と、素子電極１１,１２と第１の絶縁膜２２の上に形成された導電性膜１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 従来の電界放出に比べて安定した電子放出が得られるとともに、その設計の自由度を高める。
【解決手段】 カソード基板８上に、カソード電極９、誘電体層１０および電子放出層１１によってコンデンサを構成し、電子放出層１１とカソード電極９との間に電圧を印加して電子放出層１１に負の電荷を蓄積し、カソード電極９とアノード電極７との間に電圧を印加して蓄積した負の電荷を、アノード基板５に向かって放出させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 素子電極の形成面の段差に配慮され、素子電極の断線を生じにくい電子源および電子源の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】 電子源１は、第１の信号線１６とほぼ同じ厚みで層状に、且つ、第１の信号線１６の反転パターンをなして形成された下層絶縁部２１と、素子電極１４，１５とほぼ同じ厚みで層状に、且つ、素子電極１４，１５の反転パターンをなして形成された上層絶縁部２２を備えている。電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。 （もっと読む）

高速で高集積が可能な論理演算素子および論理演算回路を提供する。 論理演算回路において、論理演算素子として、第１及び第２の電界放射型微小電子エミッタのアノードを同電位とし、該エミッタに対応するゲート電極に２系統以上の信号電圧を入力する構造であって、２系統のどちらかに高電位の入力信号が入るとエミッタから電子放出が起こり、前記アノードの電位を低下させるようにしたＮＯＲ素子並びに第１及び第２の電界放射型微小電子エミッタのカソードを直列接続し、第１及び第２エミッタに対応するゲート電極には２系統の信号電圧が加えられており、両入力信号が高電位のときに第２エミッタのアノード電位を低下させるＮＡＮＤ素子を用いる。
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【課題】この発明は、電子の放出効率が高い電子放出素子、この電子放出素子を複数整列配置した電子放出装置、この電子放出装置に画像表示部を組み合わせた表示装置、および上記電子放出素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電子放出素子１６は、基板上に互いに離間して形成した一対の素子電極４０、４０、および一対の素子電極をつなぐように形成された導電膜４４を有する。導電膜４４は、素子電極４０よりアノード電極に向けて突出した凸面４２を介して、一対の素子電極４０、４０をつなぐように形成され、凸面４２の中央に電子放出部３２を有する。凸面４２の幅をある値より狭くすることで、電子放出部３２を飛び越えた電子が導電膜４４上でスキャッタリングする際に、電子が着地する領域を狭くし、電子の放出効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出素子のリーク電流を低減し、また、電子放出素子を連続して駆動した時のリーク電流の増加を抑制する。更に、消費電力の低減および駆動回路のコストを低減する。
【解決手段】 絶縁体１の表面上において互いに対向するように配置された、一対の導電性膜を有する電子放出素子であって、前記絶縁体１が、ハロゲンを含む酸化シリコンであることを特徴とする。 （もっと読む）