【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてデバイス特性の向上が可能な電子デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスである電子源１０は、基板１１と、この基板１１の一表面側に形成された第１の電極である下部電極２と、この下部電極２の基板１１側とは反対側で下部電極２に対向する第２の電極である表面電極７と、下部電極２と表面電極７との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体３３を具備した機能層５ａとを備える。下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて電子放出特性を向上できる電子源を提供する。
【解決手段】下部電極２と表面電極７との間に電子通過層６を備える。電子通過層６は、下部電極２側の第１の電子通過部６ａと、表面電極７側の第２の電子通過部６ｂとからなる。第２の電子通過部６ｂは、下部電極２の厚み方向に沿って形成された多数の第２のグレイン３２ａと、各第２のグレイン３２ａそれぞれの表面に形成された薄い第１の絶縁膜３５と、互いに隣り合う第２のグレイン３２ａ間に介在する多数のナノメータオーダの微結晶半導体３３と、微結晶半導体３３それぞれの表面に形成され微結晶半導体３３の結晶粒径よりも小さな膜厚の第２の絶縁膜３４とを有する。第２の電子通過部６ｂの厚み方向において第２のグレイン３２ａが形成された領域３６と、第１の電子通過部６ａとは、結晶配向性が異なり、第２のグレイン３２ａの方が、第１のグレインに比べて柱状性が高くなっている。 （もっと読む）

【課題】電子通過層にピンホールが発生するのを抑制でき、従来に比べて電子放出特性を向上できる電子源を提供する。
【解決手段】下部電極２は、スリット２ｂにより複数の電極１２に分離する。電子通過層６は、各電極１２と基板１１の一表面とに跨って形成する。第２の電子通過部６ｂは、基板１１の厚み方向に沿って形成された多数の第２のグレイン３２ａと、各第２のグレイン３２ａの表面に形成された薄い第１の絶縁膜３５と、互いに隣り合う第２のグレイン３２ａ間に介在する多数のナノメータオーダの微結晶半導体３３と、微結晶半導体３３の表面に形成され微結晶半導体３３の結晶粒径よりも小さな膜厚の第２の絶縁膜３４とを有する。第２の電子通過部６ｂの厚み方向において第２のグレイン３２ａが形成された領域３６と、第１の電子通過部６ａとは、結晶配向性が異なり、第２のグレイン３２ａの方が、第１のグレインに比べて柱状性が高くなっている。 （もっと読む）

【課題】負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。
【解決手段】水素終端によって負の電子親和力表面を有した5×10¹⁹cm^-3未満の濃度のリンドープダイヤモンドで構成されバンド伝導を有しているｎ型ダイヤモンド半導体層１と該ｎ型ダイヤモンド半導体層に少なくとも正極がショットキー電極で構成された電極２、３とを含み、電極２、３間にバイアスを印加して電流を流すことにより、外部に電子放出することを特徴とする電子源。 （もっと読む）

【課題】 安定して動作する電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 導電性部材である構造体３と、構造体３の上に設けられた硼化ランタン層５と、を少なくとも備える電子放出素子１０であって、構造体３と硼化ランタン層５との間に、酸化物層４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 電子放出素子は、硼化ランタンの多結晶膜を備え、この多結晶膜を構成する結晶子のサイズが２．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】優れた電子放出性能を有し、電子伝導性が高く、特に二次電池に使用した場合優れた特性を発揮し、二次電池以外の様々なデバイスにも好適に適用できる炭素粒子を提供する。
【課題を解決するための手段】複数のナノカーボンが集合して形成された１辺０.１μｍ〜１００μｍで厚み１０ｎｍ〜１μｍの六角形状の薄片であることを特徴とする炭素粒子。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びこれを用いた低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】
電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜であって、ダイヤモンド基板上に、マイクロ波CVD法によってメタンと水素のガス及びリン雰囲気中で，ダイヤモンド膜を成長させるに際して、リン添加源として、ターシャルブチルリンを用い、リンを濃度10¹⁵cm^-3以上含有し、抵抗率が10⁷Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするリン添加ダイヤモンド膜の製造方法及びそれを用いたダイヤモンド電子源。
【採用図面】 図2 （もっと読む）

【課題】 大気中でも安定に作動する電子放出素子とその製造方法、および、前記素子を使用した電界電子の放出方法を実現する。
【解決手段】 アルゴン、ヘリウム等の希ガス、水素の単独またはこれらの混合希釈ガスを用いて、０．００１〜７６０Ｔｏｒｒの圧力のもとで、希釈ガスに対して、０．０００１〜１００体積％のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入した雰囲気中にて、プラズマを発生し、あるいは発生せずして、室温〜１３００℃に保持した電子放出素子基板に紫外光を照射することにより、ＢＮで示されｓｐ³結合性ＢＮ、またはこれとｓｐ²結合性ＢＮとの混合物からなる材料を含み、電圧を印加することによって大気中で安定に電子放出する先端の尖った表面形状を自己造形的に形成し、基板を回収する。 （もっと読む）

【課題】 繰り返し使用による電子放出量の低下が改善された耐久性の高い圧電膜型電子放出素子を提供する。
【解決手段】 電子放出素子１０は、基板１１と、誘電体からなるエミッタ部１２と、そのエミッタ部１２の表面１２ａに形成された第１電極１４と、エミッタ部１２の裏面１２ｂに形成された第２電極１６とから構成されている。エミッタ部１２を構成する前記誘電体は、電界誘起歪が０．０７％以下である誘電体組成物からなる。ここで、前記電界誘起歪は、４ｋＶ／ｍｍの電界が印加された場合の当該電界と垂直な方向における変形率である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるＳｉベースの物質層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたＳｉベースの物質層である。また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 （もっと読む）

仕事関数を低減した電子放出材料、および、従来よりも低消費電力化および／または高電流密度化がなされた、電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
表面に原子ステップ（３）および隣り合う２つの前記原子ステップの間に平坦部（４）を有する半導体基体（２）と、前記平坦部に配置された吸着層（５）とを含み、吸着層が、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素およびＳｃから選ばれる少なくとも１種の元素を含む電子放出材料とする。 （もっと読む）