【課題】記録磁界勾配を高めるために、主磁極のまわりにトレーリングサイドシールドを設け、そのトレーリング側のギャップ長を高精度に制御する。
【解決手段】主磁極１２上にエッチングシグナル層１６を設け、その層に起因するシグナルを検知したときにイオンミリングを停止することによって、主磁極のトレーリング側のギャップ長を高精度に制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰの侵食から保護された垂直磁気記録用のＰ３磁極端構造、およびＣＭＰプロセスによる侵食から垂直磁気記録用のＰ３磁極端を保護する方法を提供する。
【解決手段】磁気ヘッドは、Ｐ３磁極端５２を含む、封止された被保護磁極構造８８を備えた書き込みヘッドを有する。保護層８２はＰ３磁極端５２の少なくとも一部を取り囲み、封止材料層７４は保護層８２の一部を取り囲む。この被保護磁極構造８８の作製に際し、イオンミリングを施した後または磁極のイオンミリングの後であるが、封止材料層７４を形成する前に、非磁性保護層８２を形成してＰ３磁極の側壁を包み込むことによって、ＣＭＰプロセスの間の化学的作用から磁極構造８０を保護する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を生成するためにかかる時間を大幅に短縮する成膜方法、及び当該成膜方法を実施するための成膜装置の提供。
【解決手段】成膜方法では、ＡＬＤ法によって、ハードディスク等のヘッドにおいて層状に設けられた読出し用ヘッドと書込み用ヘッドとの間を絶縁するための層間絶縁膜を成膜する。成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。反応工程において一の基板上に薄膜を成膜している時に、一の基板の次に反応工程で成膜が行われる他の基板について加熱工程を行う。成膜装置１は、ＡＬＤ室４０と、ＡＬＤ室４０とは別個に設けられた加熱＋エッチング室３０とＡＬＤ室４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 記録性能を確保することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 下部磁性層５のエッチングレートＲ１よりも小さなエッチングレートＲ２（Ｒ２＜Ｒ１）を有する材料により構成された下部記録ギャップ層７１と、そのエッチングレートＲ１以上のエッチングレートＲ３（Ｒ３≧Ｒ１）を有する材料により構成された上部記録ギャップ層７２とを含む２層構造となるように、記録ギャップ層７を構成する。薄膜磁気ヘッドの製造工程において、上部磁性層１３（上部磁極１３Ａ）をマスクとして記録ギャップ層７および下部磁性層５を連続的にエッチングして磁極構造３０（下部磁極５Ｐ／記録ギャップ層７／上部磁極１３Ａ）を形成することにより、その磁極構造３０の立体形状が設計仕様通りに決定される。 （もっと読む）

【課題】 ギャップ間隔を高精度に規定できる垂直磁気記録ヘッドの製造方法を得る。
【解決手段】 先ず、主磁極層上に、非磁性材料からなる下部ギャップ層を所定のギャップ間隔に等しい膜厚で形成する。次に、下部ギャップ層上に、現像液に腐食されず且つ該下部ギャップ層よりもエッチングされやすい非磁性材料で上部ギャップ層を形成する。続いて、上部ギャップ層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術により媒体対向面となる端面から所定のスロートハイトが得られる位置までレジスト層を除去する。続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。そして、露出させた下部ギャップ層、上部ギャップ層及びレジスト層の上にメッキ下地膜を介してリターンパス層をメッキにより形成する。 （もっと読む）

【課題】トラック幅を小さくしながら十分な記録磁界を発生させることができ、更に隣接トラック消去を防止することができ、且つ均質で量産に適した垂直磁気記録用磁気ヘッドを実現する。
【解決手段】磁気ヘッドの磁極層１２は、媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向に沿って媒体対向面側から順に配置された第１の部分１２Ａ、第２の部分１２Ｂおよび第３の部分１２Ｃを有している。第２の部分１２Ｂの幅は第１の部分１２Ａの幅よりも大きい。第３の部分１２Ｃの幅は第２の部分１２Ｂの幅よりも大きい。第１の部分１２Ａは、媒体対向面の一部を構成する端面３１を有している。第２の部分１２Ｂは、媒体対向面の他の一部を構成する端面３２を有している。第１の部分１２Ａは、第２の部分１２Ｂの端面３２よりも記録媒体側に突出している。 （もっと読む）

【課題】 浮上面における主磁極の幅をトレーリング側で広く、リーディング側で狭い形状とした場合に主磁極と主磁極を囲むシールドとの間の非磁性膜の厚みを適切に制御した垂直磁気記録ヘッドを実現する。
【解決手段】 主磁極(12)と主磁極の上面及び側面に非磁性膜(30)を介して配置されたシールド(13)とを具備する磁気ヘッドにおいて、非磁性膜の少なくとも一部を金属膜とし、めっきで形成する。さらに、非磁性膜(30)は、金属膜(22)と絶縁膜(24)とを具備する。 （もっと読む）

【課題】オーバライト特性の更なる向上を図ることができる薄膜磁気ヘッド用構造物及びその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法は、絶縁層１０を用意する工程と、極細溝部に対応する第１のスリットパターン５１ａと、第１のスリットパターン５１ａから一体的に延びると共に、本体凹部の外縁に沿うように極細溝部から一体的に延びる仮設溝部に対応する第２のスリットパターン５１ｂとが設けられた第１レジスト層５１を絶縁層１０上に形成する工程と、第１レジスト層５１をマスクとして絶縁層１０のエッチングを行う工程と、第１レジスト層５１を除去する工程と、本体凹部に対応する開口パターンを有する第２レジスト層を絶縁層１０上に形成する工程と、第２レジスト層をマスクとして絶縁層１０のエッチングを行う工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】トラック密度の向上に伴い、高密度記録と漏れ磁界低減を同時に満足させることが困難となってきた。
【解決手段】記録ヘッド先端部は、下部磁極主層１４、下部磁極先端層１６、突起部２６、記録ギャップ層２８、上部磁極先端層３４および上部磁極上層４６で構成される。突起部２６は高飽和磁束密度Bsの軟磁性材からなり、下部磁極先端層１６よりも高い飽和磁束密度Bsを有し、上部磁極先端層３４のトラック幅Twとほぼ同一の幅を有する。下部磁極先端層１６の飽和磁束密度Bsが約２．２Tの場合、突起部２６の飽和磁束密度Bsは２．４T程度にするのが望ましい。また、突起部２６の奥行きLnは、実質的にスロートハイトを決定している下部磁極先端層１６の奥行きGdよりも長い。 （もっと読む）

【課題】記録ヘッドの主磁極はイオンミリングにより逆台形形状に形成されるが、ミリング時間が長いと逆台形形状のばらつき及び寸法シフトによるトラック幅寸法のばらつきが問題になる。
【解決手段】記録ヘッド３０は、まず下部磁極３１、ギャップ層３２、導体コイル３３を形成し、ギャップ層３２の上に上部磁気ヨーク３４を浮上面から後退した位置に形成し、その後退した部分に無機絶縁層３５を形成する。下部磁極３１の後部には上部磁気ヨーク３４と接続される後部磁極３６を形成する。続いて、無機絶縁層３５及び上部磁気ヨーク３４の上面を平坦化し、その上にＲｈ等の下地膜３７を形成する。下地膜３７の上に、浮上面から上部磁気ヨーク３４に重なる位置まで、スパッタリングにて磁性薄膜を複数層積層して磁性層３８を形成する。続いて、イオンミリングを行い、浮上面から見て側面にテーパを有する逆台形形状の主磁極３９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 主磁極の幾何学的トラック幅と実効トラック幅の差が小さい垂直記録用磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 主磁極の側面形状を凹型形状とし、その凹形状の頂点の位置を、主磁極のトレーリング側に近い位置とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のトラック幅をさらに狭くすることが可能な磁気記録ヘッド及びその製造方法、ならびに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】磁気記録ヘッドは、積層構造を有するものであって、前記積層構造は、一面に階段状の段差部４１１を有する第１絶縁層４１と、前記段差部４１１の表面に接する垂直薄膜状の第１磁性体部５０と、前記第１磁性体部５０と互いに絶縁されるように形成された第２磁性体層６０と、を備える。
第１磁性体部５０は、メインポールとして機能し、第２磁性体層６０は、リターンポールとして機能する。 （もっと読む）

【課題】 コイル層間の短絡を効果的に抑制し、コイル特性が良好な垂直磁気記録型ヘッド、およびこの垂直磁気記録型ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 第１コイル層１８と第２コイル層２３がコンタクト層５０を介し電気的に接続されている。第１コイル層１８と第２コイル層２３の間で且つコンタクト層５０間の上方に形成された主磁極層２０とギャップ層２１を有する積層体Ｓの両側方部に第１絶縁層６０が形成され、積層体Ｓの上方から第１絶縁層６０の上方に第２絶縁層７０が形成されている。第１絶縁層６０には傾斜面６０ａが形成され、第２絶縁層７０には傾斜面７０ａが、第１絶縁層６０の傾斜面６０ａの上方に形成されている。第２絶縁層７０の傾斜面７０ａに沿って第２コイル層２３の側方領域が下方側に延出しており、第１絶縁層６０に形成された傾斜面６０ａの傾斜角度θ１よりも、第２絶縁層７０の傾斜面７０ａの傾斜角度θ２の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】スキュー角が生じても隣接トラックを消去させずに高磁界を発生できる製造しやすい磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】主磁極を、ヘッド浮上面に露出する主磁極先端部分１Ｃと、ヘッド浮上面から後退した位置のリーディング側の面がヘッド浮上面に対して傾斜している部分１Ｂと、それに接合された磁性体１Ａとを有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 ＡＴＥを発生させることなく書込み能力の大幅な向上を期待できる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供する。
【解決手段】 下部磁極層と、下部磁極層上に積層されており、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有している下部磁極上側層と、記録ギャップ層と、ＡＢＳ側の端面が少なくとも記録ギャップ層近傍においてトラック幅と同じ幅を有しており、記録ギャップ層を介して、下部磁極上側層と対向している上部磁極下側層と、上部磁極下側層上に積層されている上部磁極層とを含むインダクティブ書込みヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、下部磁極上側層の全て及びこの下部磁極上側層に連なる下部磁極層の少なくとも一部が高飽和磁束密度材料で形成されており、下部磁極上側層の位置における高飽和磁束密度材料による層の厚さ（Ｔ_ＳＳ３）が下部磁極上側層の高さ（Ｄ_Ｎ）以上である。 （もっと読む）

【課題】主磁極を所望の形状とできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】ギャップ層９上の主磁極１０におけるエアベアリング面側の露出面がテーパ形状をなす記録ヘッド部１００Ｂを備えた薄膜磁気ヘッド１００の製造方法において、ギャップ層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程、主磁極層上にマスクを形成する工程、エッチングガスを流入してマスクにて主磁極層をエッチングして主磁極前駆体を形成する主磁極前駆体形成工程、主磁極前駆体をエッチングして主磁極を形成する工程を含み、主磁極層形成工程で、主磁極層を、複数のＦｅＣｏ層とこの間に設けられるＲｕ層とを含む多層膜で構成し、主磁極前駆体形成工程でエッチングガスを、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３とＯ_２との混合ガスとし、エッチングガス中のＣｌ_２およびＢＣｌ_３の合計流量比率を９１．５〜９６体積％とし、且つ主磁極層の温度を１８０〜２００℃とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、特にギャップ層の膜厚制御性等を向上させることが出来る磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 コンタクト層３６上に、少なくとも表面層がＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成されたコイル下地層４７を形成する。これにより前記コイル下地層４７の表面は大気暴露等によっても酸化せず、当然、前記コンタクト層３６が酸化されることもない。このように前記コンタクト層３６を前記コイル下地層４７によって適切に保護することで、従来のように、前記酸化層を除去するエッチング工程が必要ないから、ギャップ層が前記エッチングによって削られることなく、前記ギャップ層の膜厚制御等を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メインポール及びリターンポールを備える積層物が備わった磁気記録ヘッドにおいて、積層物は、グルーブが形成された第１磁性体と、グルーブ表面を覆う絶縁層と、前記絶縁層で覆われたグルーブに満たされた第２磁性層と、を備えることを特徴とする磁気記録ヘッド及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 主磁極のトレーリング側の形状を円弧状の凹形状にする方法であって、円弧状の凹形状の制御性、再現性、ウエハ内の均一性が高い方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）主磁極１４のパターン形成後、（ｂ）主磁極を構成する磁性金属材料よりもイオンミリングレートの遅い非磁性材料からなる非磁性膜１６を堆積させて主磁極を埋め込み、次いで、（ｃ）少なくとも主磁極が露出するまで研磨を行う。次に、（ｄ）研磨により平坦化された面に対して、積層方向と第１の角度をなす方向からイオンミリングを行い、主磁極が周囲の非磁性膜より落ち込んだ段差を形成する。次に、（ｅ）段差が形成された面に対して、積層方向と、第１の角度よりも大きい第２の角度をなす方向からイオンミリングを行い、主磁極のトレーリング側を円弧状の凹形状に整形する。段差は、主磁極の中心部から非磁性膜との境界部に向けてイオンミリングレートを漸次減少させる役割を担う。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録方式のヘッドにおいて、記録磁界を維持するために主磁極形状は逆台形であることが好ましいが、この時、磁気ヘッドの主磁極の保護膜のつき回りをよくし、信頼性を確保する。
【解決手段】主磁極を保護する保護膜の形成時に、スパッタ装置でバイアスをかけて成膜するか、あるいは、カルーセル型スパッタ装置やケミカルベーパーデポジション（CVD）法で成膜する。 （もっと読む）