【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、二次的に改質することを目的とするものである。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この厚膜ＤＬＣは、水素が１３〜３０原子％、残部が炭素である微粒子の堆積層からなるものであって、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜であることを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を処理容器内に導入して基板上に第１段階の成膜を行う工程（工程２）と、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入して第１段階の成膜で得られた膜の上に第２段階の成膜を行う工程（工程３）とを有し、工程２により得られた膜と、工程３により得られた膜により、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

金属材料層および炭素材料層を含む光学情報媒体を開示する。金属材料層および炭素材料層の層構造は、媒体へのデータの書き込み中の酸化およびバーム形成に関連する問題を低減または解消するように設計される。
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【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）

【課題】溶射法で形成された保熱表面層を有する光ディスク金型を提供する。
【解決手段】本発明に係る光ディスク金型４０は、第１型板４４と、第１型板４４との間にキャビティー部４８を形成するように配置されており、キャビティー部４８側の表面に第１保熱表面層４６が設けられている第２型板４２と、第１型板４４と第１保熱表面層４６との間に設けられており、表面に微細構造パターンが設けられているスタンパー４３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、巻取り状で製造することのできる光硬化基材形成用の離型フィルム、及び光硬化基材の製造方法を提供する。
【解決手段】
帯状のフィルム基材１に、撥水性層２を基材フィルムの両側端部に設け、親水性層３を前記撥水性層２を除く部分に設けてなり、上記撥水性層２がプラズマＣＶＤ装置を用いた酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素であり、膜厚が１〜１００ｎｍであり、水に対する接触角が８０〜１５０°であり、上記親水性層３が酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化マグネシウムのうちいずれかを含有し、膜厚が１０〜１００ｎｍであり、中心線平均粗さ（Ｒａ）が３０ｎｍ以下であり、水に対する接触角が１０〜６０°であることを特徴とし、該光硬化基材形成用の離型フィルムを用いた光硬化基材の製造方法も特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を解決し、高記録密度と高データ転送レートとを実現させるデータ蓄積媒体とその形成方法を提供する。
【解決手段】マルチディメンショナルでマルチレベルな記録と蓄積を可能にする。基板と第１記録層と第２記録層とを有するデータ蓄積媒体であって、第１と第２の記録層はそれぞれ複数のデータ蓄積ロケーションを有し、その各々がデータ値を指示するための少なくとも２つの状態を通じて変化可能な物理的特性を有している。第１の物理的特性と第２の物理的特性とは異なる。第１と第２の記録層の各々は基板によって構造的に支持されている。第１と第２の物理的特性を有する処理されたビームが第１記録層と第２記録層に向けて指向され第１及び第２のデータ値を指示する。単一のレーザビームの使用が可能で記録層の間に再度焦点合わせをする必要がない。 （もっと読む）