【課題】特性許容誤差を低くするＰＴＣサーミスタ部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース本体１と、それぞれ前記ベース本体１の端面上に配置された第１の導電層と第２の導電層とを有する。第１の導電層は空乏層を破壊するバリア層２１、２２である。ベースの周面は第１の導電層がなく、第２の導電層はベースの各端面上に配置されたキャップ３１、３２を形成する。さらに、前記第１の導電層は、部品領域の分割前に基板の主要面上にスパッタを通じて生成される。キャップの形状をした第２の導電層は、分割された部品領域の端面上に、浸漬過程で生成される。 （もっと読む）

【課題】大型でも、高性能で高品質で、実装状態で高い信頼性を確保することのできるチップ部品を提供する。
【解決手段】誘電体素子１１と、該誘電体素子の内部に設けた内部電極１１ａと、該内部電極と電気的に接続した外部電極層１５とを備え、誘電体素子１１と外部電極層１５の間に誘電体素子１１の全面を覆うガラス層１２を有し、外部電極層１５は、金属成分を含む下地電極１３と、樹脂電極１４とからなり、樹脂電極１４は、下地電極１３を覆い、かつ誘電体素子１１にガラス層１２を介して接合する。ガラス層１２は、結晶化ガラスからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】素子本体とメディアとを分離する作業が不要であり、素子本体の端面に形成してある下地電極層の表面にメッキ膜を確実に形成することが可能であり、しかも素子本体の表面にダメージを与えるおそれが少ないチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部電極４，６が内部に形成された素子本体１０と、内部電極４，６が露出する素子本体１０の端面を覆う端子電極１２，１４とを有するチップ型電子部品２を製造する方法である。素子本体１０の端面に下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する。下地電極層１２ｐ,１４ｐがそれぞれ形成された複数の素子本体１０を、凹状容器２０ａの内部に収容する。凹状容器２０ａの内部に液体を入れた状態で、凹状容器２０ａを第１回転速度で回転させ、素子本体１０を、凹状容器の底面２０ａで内側壁面近くに移動させる。凹状容器２０ａを第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、素子本体１０を内側壁面２３ａに沿って上方に移動させる。凹状容器２０ａの回転を停止させる。 （もっと読む）

【課題】サージ耐量の向上を図ることにより特性劣化や破壊を防止することが可能な薄膜バリスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜バリスタ１は、ニッケル層１０と、酸化ニッケル層１２と、酸化亜鉛層１４と、電極層１６，１８とを備える。ニッケル層１０は、主としてニッケルによって構成されている。酸化ニッケル層１２は、ニッケル層１０に由来するニッケルが酸化した酸化ニッケルによって構成されており、ニッケル層１０と隣接してニッケル層１０上に配置されている。酸化亜鉛層１４は、酸化ニッケル層１２と隣接して酸化ニッケル層１２上に配置されている。電極層１６は、酸化亜鉛層１４と隣接して酸化亜鉛層１４上に配置されている。電極層１８は、ニッケル層１０の表面のうち酸化ニッケル層１２によって覆われていない部分を覆うように、ニッケル層１０と隣接してニッケル層１０上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＢａＴｉＯ_３−（Ｂｉ_１/２Ｎａ_１/２）ＴｉＯ_３系材料のジャンプ特性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部をＢｉ-Ｎａで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、（ＢａＱ）ＴｉＯ_３仮焼粉（Ｑは半導体化元素）を用意する工程、（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉を用意する工程、前記（ＢａＱ）ＴｉＯ_３仮焼粉及び前記（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉を混合する工程、混合した仮焼粉を成形し焼結する工程、得られた焼結体を６００℃以下で熱処理する工程、前記工程で作製した素子を用いたＰＴＣヒータを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、引出電極を構成する第１の電極の発熱および損傷を低減させることができ、かつ第２の電極のギャップ幅を狭くかつ精度良く形成でき、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電（ＥＳＤ）の抑制特性が安定している静電気対策部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の静電気対策部品は、絶縁基板１の上面に設けられた一対の第１の電極２を比抵抗が小さい材料を用いて膜厚の厚い状態に構成し、かつ前記一対の第１の電極２間に位置して第２の電極３を設け、さらにこの第２の電極３を高融点金属からなる薄膜を積層した積層膜で構成するとともに、この第２の電極３にギャップ４を形成したものである。 （もっと読む）

酸化パラジウムを含む内部電極２が付されたグリーンホイル積層体が焼結される、多層素子１の製造方法が記載される。焼結された積層体は、さらなる加熱段階で焼結積層体へと焼成される、外部電極３のための銀ペーストを２面以上に付されて提供される。 （もっと読む）

【課題】例えば車載用の電子デバイスなどの厳しい使用環境に耐えられる、信頼性の高い積層バリスタとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】バリスタ層１２と内部電極１３を交互に積層した積層体を焼結した焼結体１１と、この焼結体１１の少なくとも両端面に、前記内部電極１３が交互に接続された一対の外部電極とを備え、前記一対の外部電極はガラス量の異なる２層よりなり、前記２層よりなる外部電極のうち、内部電極に接続される内側の第１の外部電極１４のガラス含有量が５重量％以下（０を含む）であり、かつ前記第１の外部電極１４の上で外側に形成される第２の外部電極１５のガラス含有量を１０重量％〜３０重量％とすることにより外部からの水分浸入を防止し、信頼性の高い積層バリスタを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高温環境下での抵抗値変化を抑制しながら電極の接合不良をなくすことができ、品質及び信頼性が向上すること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ₂層２が形成されたシリコン基板３と、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜４と、貴金属以外の金属材料で形成され、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成された接合層５と、該接合層５上にパターン形成された貴金属からなる電極６と、を備え、サーミスタ薄膜４の内部に、サーミスタ薄膜４が形成されない薄膜非形成領域４ａを有し、接合層５及び電極６が、薄膜非形成領域４ａ内に埋め込み形成され側面がサーミスタ薄膜４の内側面に接合され、薄膜非形成領域４ａ内の接合層５及び電極６の一部が、除去されて抵抗値調整されている。 （もっと読む）

【課題】 高温環境下での抵抗値変化を抑制しながら電極の接合不良をなくすことができ、品質及び信頼性が向上すること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ₂層２が形成されたシリコン基板３と、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜４と、貴金属以外の金属材料で形成され、ＳｉＯ₂層２の上面にパターン形成された接合層５と、該接合層５上にパターン形成された貴金属からなる電極６と、を備え、サーミスタ薄膜４の内部に、サーミスタ薄膜４が形成されない薄膜非形成領域４ａを有し、接合層５及び電極６が、薄膜非形成領域４ａ内に埋め込み形成され側面がサーミスタ薄膜４の内側面に接合されている。 （もっと読む）

【課題】電極板と端子板とを溶接等によって接合する際に、素子本体が熱劣化することを防止できると共に、クラッド板を用いることなく、電極板と端子板とを容易に接続でき、素子本来の機能を有効に発揮することができるＰＴＣ素子を提供すること。
【解決手段】所定の温度領域において温度上昇に伴い抵抗値が増加する素子本体４と、前記素子本体４の表裏面に接合された一対の第１電極板１０および第２電極板１２と、を有するＰＴＣ素子２であって、前記第１電極板１０における外部に露出する表面の少なくとも一部に、アルミニウムを含む第１端子接合膜１４が形成してある。 （もっと読む）

開示された電気ＰＴＣサーミスタ部品は、ベース１と、それぞれ前記ベース本体１の端面上に配置された第１の導電層と第２の導電層とを有する。前記ベース１の周面は第１の導電層がなく、第２の導電層は前記ベース１の各端面上に配置されたキャップ３１、３２を形成する。さらに、前記ＰＴＣサーミスタ部品の製造方法が明示される。前記第１の導電層２１、２２は、部品領域の分割前に基板１０の主要面上にスパッタを通じて生成される。キャップの形状をした第２の導電層は、浸漬過程で分割された部品領域の端面上に生成される。 （もっと読む）

【課題】セラミック素体に対する接触抵抗の増大を招き難い、単板型のセラミック素体を用いた外部電極形成用導電性ペーストを提供する。
【解決手段】内部電極を有しない単板型のセラミック素体１と、セラミック素体１の表面に形成される外部電極２，３とを備えるセラミック電子部品の外部電極２，３を形成するのに用いられる導電性ペーストであって、導電性成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有しており、ガラスフリットの塩基度が０．３９以上であり、Ｐｂ成分を含有しない、導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】 めっき伸びやめっき付着が少ないバリスタを確実に得ることのできるバリスタ素体を提供すること。
【解決手段】 好適なバリスタ素体２は、内部電極層１２及びバリスタ層１４が交互に積層された構成を有する。バリスタ層１４は、主成分としてＺｎＯを含み、副成分としてＣｏ、Ｐｒ及びＺｒを含む組成を有している。そして、バリスタ素体２を、その表面から深さ方向に分析したときにＺｒの含有量が略一定となる深さ位置を基準深さ位置としたとき、基準深さ位置におけるＺｒの含有量Ｚ_０、基準深さ位置よりも２μｍ表面側の深さ位置におけるＺｒの含有量Ｚ_１、基準深さ位置におけるＰｒの含有量Ｐ_０、及び、基準深さ位置よりも２μｍ表面側の深さ位置におけるＰｒの含有量Ｐ_１が、下記式（１）及び（２）を満たしている。
０．４×Ｚ_１／Ｚ_０＋０．５≦Ｐ_１／Ｐ_０≦０．４×Ｚ_１／Ｚ_０＋０．９ …（１）
１＜Ｚ_１／Ｚ_０＜２．２ …（２） （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する温度センサ素子及び温度センサを提供することを課題とする。また、作製工程や作製時間を増加させることなく、低コストで作製できる温度センサ素子及び温度センサを提供することを課題とする。
【解決手段】一対の電極間に有機化合物を含む層を挟む構造であることを特徴とする。具体的には、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた有機化合物と金属酸化物とを含む混合層と、を有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】チップ形正特性サーミスタの対向電極間距離を均一とし、磁器内の電界分布の乱れを抑えるとともに、電極の短絡を防止できる電極構造を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウム系半導体からなるチップ形正特性サーミスタにおいて、
該チップ形正特性サーミスタの素子の電極が対向する２面にあり、該電極を３層で形成し、第１層としてオーミック接触するニッケル電極を対向端面の全面に形成し、該対向端面を除く側面にセラミックス系、ガラス系、または樹脂系の絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、第２層として上記ニッケル表面を被覆する銀電極を、第３層として上記銀表面を被覆するはんだ電極を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐電圧を向上できるサーミスタの製造方法を提供する。
【解決手段】このサーミスタの製造方法では、まず、樹脂及び導電性粒子を含むサーミスタ素体シート１ａの一方の面４及び他方の面５の少なくとも一方に切り込み６を形成する。次に、切り込み６が形成されたサーミスタ素体シート１ａを、一対の電極２及び電極３を用いて挟んで熱圧着する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯを主成分とするバリスタ素体と外部電極との接合強度を向上させることが可能なバリスタ及びバリスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】積層型チップバリスタ１は、バリスタ素体３と、該バリスタ素体３に形成された一対の外部電極５とを備えている。バリスタ素体３は、バリスタ部７と、該バリスタ部７を挟むように配置される一対の外層部９とを有している。バリスタ部７及び一対の外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共に希土類元素及びＣａを含んでいる。一対の外部電極５は、バリスタ素体３の外表面に焼き付けにより形成されており、Ｐｔを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＡパッケージとされた場合でも、適切且つ容易に実装することが可能なバリスタ素子を提供すること。
【解決手段】積層型チップバリスタ１は、バリスタ素体１１、複数の内部電極対、接続導体４１及び複数の端子電極５１を備える。バリスタ素体１１、互いに対向する第１及び第２の主面１３，１５を有する。各内部電極対は、少なくともその一部同士が互いに対向するようにバリスタ素体１１内に配された第１及び第２の内部電極２３，３３を有する。接続導体４１は、複数の内部電極対のうちの所定の内部電極対の第１の内部電極２３同士を電気的に接続するように第１の主面１３に形成されている。端子電極５１は、複数の内部電極対の各第２の内部電極３３に対応して設けられ、該第２の内部電極３３に電気的に接続されるように第２の主面１５に形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップ形正特性サーミスタの対向電極間距離を均一とし、磁器内の電界分布の乱れを抑えるとともに、電極の短絡を防止できる電極構造を提供する。
【解決手段】チップ形正特性サーミスタ素子の電極が対向する２面にあり、該電極を３層で形成し、第１層としてオーミック接触するニッケル層を対向端面に形成し、第２層として上記ニッケル層表面を被覆する銀層を、第３層として上記銀層表面を被覆するはんだ層を形成し、かつ、対向する電極間にセラミックス系、ガラス系、または樹脂系の絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、サーミスタ素子を被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）