【課題】−５０〜１０５０℃という広い温度範囲で高精度に温度を検出することができるサーミスタ及び温度センサを提供すること。
【解決手段】温度によって電気抵抗が変化するサーミスタ１である。サーミスタ１は、温度−５０℃における比抵抗をＲ_-50（ｋΩ・ｃｍ）とし、温度２５０℃における比抵抗をＲ₂₅₀（ｋΩ・ｃｍ）とし、温度７６０℃における比抵抗をＲ₇₆₀（ｋΩ・ｃｍ）とし、温度１０５０℃における比抵抗をＲ₁₀₅₀（ｋΩ・ｃｍ）とすると、Ｒ_-50＝１．３８〜１．８９、Ｒ₂₅₀＝０．４１〜０．５２、Ｒ₇₆₀＝０．０５３〜０．０７２、Ｒ₁₀₅₀＝０．０１５〜０．０２４、及びＲ_-50／Ｒ₁₀₅₀＝７２〜１１４を満足する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化が図れるとともに、非直線抵抗特性、サージ耐量および課電寿命特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電流−電圧非直線抵抗体１０は、酸化亜鉛を主成分とする混合物の焼結体を備え、混合物が、アンチモンをＳｂ_２Ｏ_３に換算して０．２〜０．８ｍｏｌ％、コバルトをＣｏ_２Ｏ_３に換算して０．２〜１．５ｍｏｌ％、マンガンをＭｎＯに換算して０．１〜１ｍｏｌ％、ニッケルをＮｉＯに換算して０．３〜２ｍｏｌ％を含み、かつビスマスを、ビスマスのアンチモンに対するｍｏｌ％相対比が、それぞれの酸化物に換算して、１．５≦Ｂｉ_２Ｏ_３／Ｓｂ_２Ｏ_３≦４．５の関係を満たすように含み、焼結体２０中の酸化亜鉛粒子の平均粒径が２５μｍ以上であり、かつ焼結体２０中の酸化亜鉛粒子の粒度分布に基づく標準偏差が酸化亜鉛粒子の平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 少なくともＣａ及びＴｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともＣａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１００｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。少なくともＣａ及びＴｉを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１００｝面が配向している結晶配向セラミックス。 （もっと読む）

【課題】非直線抵抗特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電流−電圧非直線抵抗体１０は、酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少なくともビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）を含んだ混合物の焼結体２０を備える。また、電流−電圧非直線抵抗体１０における焼結体２０は、焼結体２０の所定の断面における、焼結体２０の微細構造を主に構成する各酸化亜鉛粒子２１の断面において、断面に亘って最長となる最長直線の長さ（Ｌ）と、この最長直線の中点で直交し、断面に亘る直交直線の長さ（Ｓ）との比（Ｓ／Ｌ）を平均した値が０．６６以上となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】広い組成範囲において、良好なＢ定数を維持しつつ、高温高湿使用下の抵抗変化率が小さく、しかも高温下（たとえば、１２０℃以上）の油中における抵抗変化率をも小さくすることができるサーミスタ用組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、マンガン酸化物を、Ｍｎ元素換算で、２５〜７０モル％、ニッケル酸化物を、Ｎｉ元素換算で、０．１〜７０モル％、コバルト酸化物を、Ｃｏ元素換算で、１〜７０モル％含有し、前記主成分１００重量％に対して、鉄酸化物を、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 換算で、０．１〜１０重量％、ジルコニウム酸化物を、ＺｒＯ_２ 換算で、０．１〜５重量％（ただし、５重量％は除く）含有することを特徴とするサーミスタ用組成物。
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【課題】還元雰囲気下600℃超の高温度領域で、正確に温度測定の可能な、特性変動の抑制されたサーミスタ素子、及びこのサーミスタ素子を用いた温度センサを提供すること。
【解決手段】サーミスタ組成物からなるサーミスタ部と、その表面を被覆する被覆層とを備えるサーミスタ素子であって、前記サーミスタ部は、ペロブスカイト型結晶構造の導電性ペロブスカイト相を含み、前記被覆層は、ＳｉＯ_２１０〜２５質量％、アルカリ土類金属の酸化物１５〜３０質量％、ＴｉＯ_２１５〜３０質量％、ＺｎＯ１０〜２５質量％及びＲＥ_２Ｏ_３（但し、ＲＥは希土類金属元素を示す。）１５〜３０質量％を含有し、Ｂ_２Ｏ_３無含有である結晶化ガラスであることを特徴とするサーミスタ素子、及びこれを有する温度センサ。 （もっと読む）

【課題】ケースに格納された被加熱体を、加熱板を介してＰＴＣサーミスタで加熱する加熱器におけるＰＴＣサーミスタの簡易な取り付け構造を提供する。
【解決手段】下ケース４３内に配設されるプリント基板５０に収容穴５１を形成し、プリント基板５０の一方の板面に加熱板６０を取り付け、他方の板面に板ばねよりなる端子８０を取り付ける。ＰＴＣサーミスタ７０を収容穴５１に位置決め収容し、その両電極面７０ａ，７０ｂが端子８０と加熱板６０とによって挟持される構造とする。別部品を用いることなく、ＰＴＣサーミスタ７０を位置決めすることができる。 （もっと読む）

【課題】外部電極をメッキレスとすることで、品質劣化を大きく低減することが可能な電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリスタの製造方法は、バリスタ素体１２を用意する工程と、Ｐｔ若しくはその合金又はＡｕ若しくはその合金によってセラミック粉が被覆された金属被覆セラミック粉２８を含有する導電ペーストを用意する工程と、バリスタ素体１２に導電ペーストを塗布して乾燥することにより導電塗膜２６Ａをバリスタ素体１２の側面１２ａに形成する工程と、導電塗膜２６Ａを焼き付けることにより外部電極を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化を図りつつ酸化処理後のＰＴＣ特性が向上された積層型ＰＴＣサーミスタを提供する。
【解決手段】積層型サーミスタ１の半導体セラミック層２を、（Ｂａ_{１−ｗ−ｘ}Ｓｒ_ｗＲＥ_ｘ）_α（Ｔｉ_１−ｙＴＭ_ｙ）Ｏ_３＋βＳｉＯ_２＋ｚＭｎＯで示される化合物を含む空隙率が５〜２５％の焼結体から構成し、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素、ＴＭは、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１種の元素であり、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、β（いずれもｍｏｌ）及びα（Ｂａサイト／Ｔｉサイトのｍｏｌ比）は以下を満足する。
０≦ｗ≦０．３
０．００１≦ｘ＋ｙ≦０．００５
０．２≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．８
０≦ｚ≦０．００１５
１．０２≦α≦１．１では、２．３５α−２．３９＜β＜２．３５α−２．３２
０．９９≦α＜１．０２では、０≦β＜２．３５α−２．３２ （もっと読む）

【課題】電流−電圧非直線特性、寿命特性およびサージエネルギー耐量に優れると共に、高温下での熱安定性を向上させた、過電圧保護装置の小型化に寄与可能な電圧非直線抵抗体を提供する。
【解決手段】主成分としてＺｎＯを９５ｍｏｌ％以上含んだ焼結体１は、副成分としてＢｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉを、それぞれＢｉ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯおよびＮｉＯに換算して、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．３〜１ｍｏｌ％、Ｓｂ_２Ｏ_３を０．５〜２．５ｍｏｌ％、Ｃｏ_２Ｏ_３を０．３〜１．５ｍｏｌ％、ＭｎＯを０．２〜２ｍｏｌ％、ＮｉＯを０．５〜３ｍｏｌ％含んでいる。また、ＭｎＯに対するＮｉＯの含有量の比は２．０〜６．０、ＭｎＯに対するＳｂ_２Ｏ_３の含有量の比は１．５〜４．０である。 （もっと読む）

【課題】低い焼成温度によって緻密で収縮し難い焼結体を得ることが可能なセラミックス粉末を、簡便且つ生産性よく得ることが出来る、セラミックス粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】ナノサイズのセラミックス粒子を構成する材料と、サブミクロンサイズのセラミックス粒子からなるセラミックス粉末と、を予め混合した原料を用い、これを水熱合成し、ナノサイズのセラミックス粒子を合成しつつ、同時に、ナノサイズのセラミックス粒子をサブミクロンサイズのセラミックス粒子の表面に被覆させる工程を含むセラミックス粉末の製造方法の提供による。 （もっと読む）

【課題】焼結体の融着防止材として使用するジルコニア粉末が、成形体に付着した後、その自重で成形体から離脱することを防止し、焼成後の焼結体同士の融着発生を抑えて外観不良をなくし、製品歩留を向上できるサーミスタ素子の焼成方法を提供する。
【解決手段】サーミスタ素子の焼成工程において、上記サーミスタ素子にジルコニア粉末とアルキルアセタール化ポリビニルアルコールを主成分とする粉末との混合物を散布して焼成することを特徴とし、上記の混合物がジルコニア粉末８０．０〜９９．０ｗｔ％と、アルキルアセタール化ポリビニルアルコール１．０〜２０．０ｗｔ％からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス層を形成することなく、めっき液によるセラミック素体の侵食を防ぐことができ、セラミック素体の素体強度が高く、優れた信頼性を有する表面実装型負特性サーミスタを提供する。
【課題を解決するための手段】Ｍｎ，Ｎｉ及びＴｉの少なくともいずれかを含む半導体セラミック材料からなるセラミック素体４と、前記セラミック素体４の表面に形成される外部電極５と、前記外部電極５の表面に形成されるめっき膜６と、を具備する表面実装型負特性サーミスタ１であって、前記半導体セラミック材料に含まれるＭｎのモル量をａ、Ｎｉのモル量をｂとしたとき、ＭｎとＮｉとのモル比が５５／４５≦ａ／ｂ≦９０／１０であり、かつ、前記半導体セラミック材料のうちＭｎ及びＮｉの総モル量を１００モル部としたとき、Ｔｉが０．５モル部以上２５．０モル部以下の範囲で含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子本体の酸化を防止することができ、また、電極板と端子板とを溶接等によって接合する際に、素子本体が熱劣化することを防止できると共に、電極板の表面に保護膜が誤って形成されることを防止できるＰＴＣ素子を提供することであり、また、過剰な電流が流れた場合に、電池を有効に保護することができる電池保護システムを提供すること。
【解決手段】本発明に係るＰＴＣ素子２は、所定の温度領域において温度上昇に伴い抵抗値が増加する素子本体４と、素子本体４の表裏面に接合された一対の第１電極板１０および第２電極板１２とを有するＰＴＣ素子２である。第１電極板１０および第２電極板１２で覆われていない素子本体４の露出面には、保護膜３が形成されている。第１電極板１０および第２電極板１２のうち少なくとも第１電極板１０が、素子本体４との素子接合面から外方に飛び出している突出部７を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子回路の短絡等により温度が室温よりも上昇した場合には、良好なトリップ特性により絶縁性を向上させる過電流保護素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 シート層１を一対の導電板２に挟持させ、シート層１を、高分子マトリクスと、この高分子マトリクス中に含有される複数の導電性粒子とから形成する。そして、各導電性粒子の表面を、高分子マトリクスとは異なり、しかも、相溶性のない有機材料により部分的に被覆する。各導電性粒子の表面を熱膨張率の高い有機材料により部分的に被覆するので、電子回路の短絡時に良好なトリップ特性を得ることができ、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は電気抵抗率と温度の関係が直線的であって、かつサーミスタ材料に圧力が加わる状況下でも正確な測定ができるサーミスタ材料を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の一態様は、窒化珪素、炭化珪素のいずれか1種もしくは2種類を母材とし、アルミナとイットリアを含み、２５℃、１気圧下における電気抵抗率の範囲が１×１０^−４〜1０Ω・ｍであるサーミスタ材料。２５℃、１気圧下における電気抵抗率の範囲が１×１０^−４〜1０Ω・ｍであると、電気抵抗値と温度の関係が直線的になり、また連続した導電性のパスが形成されていることで圧力の影響を受けにくいサーミスタ材料を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】避雷器の小型化のために、電流−電圧非直線抵抗体において電流−電圧非直線性、寿命特性およびエネルギー耐量に優れるとともに、雷サージエネルギー吸収後の低電流域非直線抵抗特性の劣化が抑制される優れた電流−電圧非直線性抵抗体を提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、副成分としてＢｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＢおよびＡｇを、それぞれＢｉ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＮｉＯ、Ｂ_２Ｏ_３およびＡｇ_２Ｏに換算して、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．３〜２ｍｏｌ％、Ｓｂ_２Ｏ_３を０．８〜７ｍｏｌ％、Ｃｏ_２Ｏ_３を０．３〜１．５ｍｏｌ％、ＭｎＯを０．４〜６ｍｏｌ％、ＮｉＯを０．５〜５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を０．００５〜０．１ｗｔ％、およびＡｇ_２Ｏを０．００５〜０．１ｗｔ％含み、上記Ａｇ_２Ｏに対するＢ_２Ｏ_３の含有量が重量比で０．０５以上０．５以下である焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】避雷器およびサージアブソーバー等の過電圧保護装置の小型化が実現できる高い抵抗値と優れた熱安定性を有し、非直線抵抗特性、寿命特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を得る。
【解決手段】酸化亜鉛(ＺｎＯ)を主成分とし、副成分としてビスマス(Ｂｉ)、コバルト(Ｃｏ)、マンガン(Ｍｎ)、アンチモン(Ｓｂ)、ニッケル(Ｎｉ)をそれぞれ酸化物であるＢｉ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＮｉＯに換算して、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．３〜１．０ｍｏｌ％、Ｃｏ_２Ｏ_３を０．３〜１．５ｍｏｌ％、ＭｎＯを０．１〜２ｍｏｌ％、Ｓｂ_２Ｏ_３を０．５〜２．５ｍｏｌ％、ＮｉＯを０．５〜３ｍｏｌ％含み、かつ、ビスマスとアンチモン及びマンガンとコバルトの相対比がそれぞれ、酸化物に換算し、０．１５＜Ｂｉ_２Ｏ_３／Ｓｂ_２Ｏ_３＜１．０、０．３＜ＭｎＯ／Ｃｏ_２Ｏ_３＜３．５である焼結体から構成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波の減衰特性を向上させることができるフィルタ回路及びフィルタ素子を提供する。
【解決手段】 フィルタ回路４２はバリスタ４３，４４を有し、バリスタ４３とバリスタ４４との間には抵抗４５が直列に接続されている。バリスタ４３と抵抗４５との接続部Ｓ１には、コイル４６の一端が接続されている。そして、コイル４６の他端には、入力端子４７が接続されている。バリスタ４４と抵抗４５との接続部Ｓ２には、コイル４８の一端が接続されている。そして、コイル４８の他端には、出力端子４９が接続されている。また、バリスタ４３，４４における抵抗４５の反対側には、グランド端子５０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 小形で、信頼性の高いサージ防護デバイスを提供する。
【解決手段】 一方が他方の厚さの２倍である二枚の板状の電圧非直線性抵抗基体７，１１を使用し、それぞれの主面の一方の上に共通電極８，１２を形成し、また他方の上に複数の電極９，１０および電極１３，１４を離隔して形成した。これら基体７，１１を、複数の電極９，１３および電極１０，１４同士が対向するよう配置し、それぞれの間に引出し端子４，５を介在させて接続して、一体化した。さらに、厚さの大きい基体１１の共通電極１２上に共通引出し端子６を配置し接続した。 （もっと読む）