【課題】記録再生特性を向上させ高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、下地膜３と、垂直磁気記録膜５と、保護膜６とが設けられ、下地膜３が、少なくともＰｔとＣとを含む合金、あるいは少なくともＰｄとＣとを含む合金からなる。 （もっと読む）

バルク状の酸化亜鉛にマンガンを最大で５原子％の濃度までドープすることによって、ドープされた希薄強磁性半導体を生産する方法を提供する。この材料は好ましくは、最高で６５０℃までの温度で焼結される。この方法によれば、５原子％を超えないＭｎ濃度でＭｎドープされたＺｎＯを含有している半導体材料が得られる。上記ＭｎドープされたＺｎＯは、約２１８Ｋ〜約４２５Ｋの温度範囲の少なくとも一部において強磁性である。
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【課題】 ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 放電ガスとしてキセノンを用いて、Ｃｏ₂ＭｎＡｌ、Ｃｏ₂ＭｎＳｉ、ＣｏＣｒＡｌ、ＮｉＭｎＳｂ、ＳｒＬａＭｎＯ、ＰｔＭｎＳｂ、Ｍｎ₂ＶＡｌ、Ｆｅ₂ＶＡｌ、Ｃｏ₂ＦｅＳｉ、Ｃｏ₂ＭｎＧｅ、Ｃｏ₂ＦｅｘＣｒ(1-x)Ａｌなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 トラック幅の狭小化が進んでも、高い再生感度と、低ノイズで良好な線形応答性を実現する磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 固定層/中間層/自由層/分離層/第一の強磁性層/90度層間結合層/第二の強磁性層の積層体から成る磁気抵抗効果膜１２０を用い、固定層１２２と第二の強磁性層１２８の磁化は共に略素子高さ方向に固定する。一方、第一の強磁性層１２６と第二の強磁性層１２８の磁化は、90度層間結合層１２７を介して互いに直交するような層間相互作用を有しており、第一の強磁性層は、外部磁界がゼロの状態において略トラック幅方向の磁化を有する。これにより、第一の強磁性層は、自由層に対して略トラック幅方向に縦バイアス磁界を印加する。 （もっと読む）

【課題】 磁化反転のシフトを低減することが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】 磁気記録素子は、磁化方向が固定され、単位面積当たりの磁気モーメントの値がｍ１である第１強磁性層２１を含む。非磁性層２２は、第１強磁性層と接する。非磁性層と第１強磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ１である。第２強磁性層２３は、非磁性層の第１強磁性層と反対の面と接し、磁化方向が固定され、単位面積当たりの磁気モーメントの値がｍ１より小さいｍ２である。第２強磁性層２３と非磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ２である。バリア層１３は、第２強磁性層の非磁性層と反対の面と接する。バリア層と第２強磁性層との間の界面のラフネスの振幅がｈ１およびｈ２より小さいｈ３である。第３強磁性層１１は、バリア層の第２強磁性層と反対の面と面し、磁化方向が可変である。 （もっと読む）

半導体の磁性体は電子を捕捉するように意図された層（１１ １５）を含み、前記層（１１ １５）は両側を磁性層（１６、１７）で包囲される。これは量子ドットに限らずそのような電子素子の空間的に限定された領域における強磁的性質の形成を導き、この形成は、前記領域の一部を組成として構成するのではなく、むしろ前記領域に隣接する単数または複数のゾーンに含まれる磁性材料を用いて達成される。
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