【課題】２層構造のＲｕ下地層において第１の下地層の結晶粒のサイズを小さくすることで、記録層であるグラニュラ磁性層の磁性結晶粒をより微細化することのできる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。上部下地層１５上に、磁性結晶粒１６ａを含んだ磁性層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と記録再生特性をともに有し、高記録密度が可能な垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地層と磁気記録層を有する磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は少なくともＣｏとＰｔを含むグラニュラ構造を有する垂直磁気記録層と、その上に少なくとも２層以上の面内磁気記録層が反強磁性結合している磁気記録層が積層された構造をしている。 （もっと読む）

【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３１の表面領域には不純物拡散層３２が形成され、不純物拡散層３２上には、（００１）配向したＭｇＯ層３３が形成されている。さらに、ＭｇＯ層３３上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギを蓄積する装置を提供する。
【解決手段】電気エネルギを蓄積する装置は、第１の磁性セクション１１０と、第２の磁性セクション１２０と、第１の磁性セクション１１０と第２の磁性セクション１２０との間に配置された誘電体セクション１３０と、を備える。この誘電体セクション１３０により電気エネルギを蓄積し、ダイポール１１５，１２５をそれぞれに有する第１の磁性セクション１１０および第２の磁性セクション１２０により電流リークを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】電磁変換特性、熱安定性が共に優れた長手磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、シード層と、ｂｃｃ構造を有するCr合金からなる下地層と、ｈｃｐ構造を有するRu合金からなる中間層と、Co-Cr-Pt-B基合金からなる下部記録層と、前記下部記録層と同じ合金の基成分を有し、下部記録層よりＢの原子濃度が大きく、かつ、Ｃｏ原子濃度とＣｒ原子濃度の比が大きな値を有する上部記録層と、保護層とを形成した磁気記録媒体において、前記下部記録層は、第一下部記録層と第二下部記録層との二層からなり、第一下部記録層のＢ原子濃度をＢ１、第二下部記録層のＢ原子濃度をＢ２とした場合に、Ｂ１＜Ｂ２の関係を満たし、かつ第一下部記録層のＣｏ原子濃度とＣｒ原子濃度との比を（Co/Cr）１、前記第二下部記録層のＣｏ濃度とＣｒ濃度との比を（Co/Cr）２とした場合に、（Co/Cr）１ ＜ （Co/Cr）２ の関係を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】高密度記録再生用の微細構造においても、再生波形の非対称性を低減することのできる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子（１０）は、反強磁性層（１１）と、前記反強磁性層により磁化の方向が固定される第１ピンド層（１２）と、前記第１ピンド層と反強磁性結合し、かつ、前記第１ピンド層と反平行をなす基準ピンド層（１４）と、外部磁界により、前記基準ピンド層に対する磁化の方向が変化するフリー層（１６）とを備え、前記第１ピンド層のコア幅方向の長さは、前記基準ピンド層のコア幅方向の長さよりも長い。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（磁気メモリ）（magnetic random access memory）に使用する磁気異方性多層薄膜、具体的には、多層のＣｏＦｅＳｉＢ／Ｐｔ膜を含む磁気異方性多層薄膜を提供する。
【解決手段】垂直磁気異方性多層薄膜は、第１Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層と前記第１Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層上に形成された第２Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であって、磁気記録層は、多層であり、かつ磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段を備えることを特徴とするパターン化された磁気記録媒体である。ここで、磁気記録層は、第１強磁性層、磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段及び第２強磁性層が順次に積層された構造であり、手段は、軟磁性層でありうる。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録ができ、しかも熱揺らぎに対する安定性を高めることの可能な構造を有する磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性基板１１上に周方向のテクスチャーを設け、非磁性基板１１の上層には、非磁性アモルファス層からなる密着層１２を形成している。この構成により、１．６より大きなＭｒｔ−ＯＲを実現でき、ＡＦＣ構造を適用しなくても、磁気記録ディスクにおける熱揺らぎに対する安定性を高めることができる。また、Ｍｒｔを円周方向で０．３５０ｍｅｍｕ／ｃｍ²より大きく設定したため、熱揺らぎに対する安定性を実用上、問題のないレベルにまで低減でき、かつ、６５Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ²以上の高記録密度化を達成できる。 （もっと読む）

【課題】組成式がＸＹＺまたはＸ₂ＹＺで表される合金の規則化処理温度を低くできる構成を提供する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。フリー層４５は、少なくともスペーサ層４４と隣接する側がホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層は、組成式がＸＹＺまたはＸ₂ＹＺで表される合金に対して、デバイ温度が３００Ｋ以下の付加元素を添加したものである。 （もっと読む）

【課題】マイクロ磁気デバイスに適した磁気構造体、及び磁気構造体の製造方法の提供。
【解決手段】タングステン（Ｗ）をドープ（ｄｏｐｅｄ）したコバルト−白金−リン（ＣｏＰｔＰ）組成のアウト・オブ・プレーンな固い磁気膜を、直流定電流電着の電気メッキによって形成し、Ａｕの中間層を介して多層構造に積層した後、空気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】熱ゆらぎ耐性及び記録分解能が高く、媒体ノイズの少ない垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に積層された、PtまたはCr、Co、及び酸素を含む第１の垂直磁気記録層、Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Ybから選択される希土類元素とCo, Cr, Ptを含む遷移金属とを含有する結晶質の合金を主に含む第２の垂直磁気記録層を有する磁気記録層と、保護層、潤滑層、及び保護層／潤滑層の積層のうち１つとを具備し、垂直二層媒体として使用され得る垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 ０℃以上まで強磁性半導体層中の磁気モーメントを維持するために、バイアス層からのバイアス磁界を強磁性半導体層に印加させることで、比較的容易に実現可能な強磁性半導体交換結合膜を提供する。
【解決手段】 半導体中に磁性元素が添加された強磁性半導体層１と、この強磁性半導体層１に隣接して形成され０℃以上のネール温度をもつ反強磁性層２とが積層されてなる強磁性半導体交換結合膜である。 （もっと読む）

【課題】 優れた熱ゆらき耐性を保ちながら、同時に記録再生特性、特に媒体ノイズの低減を実現し、高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 非磁性基板上に、少なくとも、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられ、垂直磁性層が、Ｃｏを主成分とし、基板側から順に、少なくともＣｒ、Ｐｔと金属または半導体の酸化物、窒化物を含んだ材料を主成分とする垂直磁性層（１）とＣｏＣｒ合金を主成分とする垂直磁性層（２）、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金を主成分とする垂直磁性層（３）の少なくとも３層以上から構成される。 （もっと読む）

【課題】室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性−常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。
【解決手段】ＧａＡｓで形成された基板上に、II-VI族半導体であるＺｎＴｅにＣｒを添加した半導体であり、Ｃｒ組成５％の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがｐ型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にｎ型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Ｃｒ組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 所望の粒径の強磁性規則合金相の磁性ナノ粒子を有する磁性材料を効率よく得る。
【解決手段】 支持体上に、強磁性規則合金相を形成し得る合金ナノ粒子及び融合防止剤を含有するナノ粒子分散液を塗布して塗布膜を形成することと、該塗布膜に加熱処理を施して合金ナノ粒子を強磁性化することと、を含む。ここで、前記融合防止剤が、耐熱温度が５００℃以上で、かつナノ粒子分散液の分散溶媒に可溶な無機物であることが好ましい。また、前記加熱処理が、レーザー光の照射によって実施されることが好ましい。 （もっと読む）