【課題】高周波で高透磁率と低損失とを示し、平面インダクタや平面トランスなどの平面型磁気素子に有効に適用できる軟磁性薄膜を提供する。
【解決手段】基板上に磁性薄膜および保護膜を形成し、前記磁性薄膜の膜面に平行に磁場を印加しながら熱処理を行って、局所異方性分散量を極めて小さくした後、前記磁性薄膜の膜面に対して垂直方向に磁場を印加しながら熱処理を行い、前記磁性薄膜の膜面に非平行に、膜面内成分を含む誘導磁気異方性を導入することを特徴とする磁性薄膜の磁気異方性の制御方法。 （もっと読む）

【課題】大電流領域（高磁界領域）において使用された場合であっても、飽和せずに良好な直流電流重畳特性を示すことのできる磁芯及びそれを用いたコイル部品を提供すること。
【解決手段】磁性体粉末と樹脂との混成物を硬化させることにより磁芯を得る。本発明による磁芯は急激に飽和したりせず且つ１０００×１０^３／４π［Ａ／ｍ］を超える磁界であっても良好な直流電流重畳特性を得ることができた。このように、本発明による磁芯は１０以上の十分な比透磁率を備えている。 （もっと読む）

非晶質状態の強磁性金属とこの強磁性金属とは異なる非晶質金属とにより形成されたＤＭ（ディスコンティニュアス・マルチレイヤ）構造の採用により、ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し且つ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜を実現した。このとき、（ｉ）強磁性金属が、Ｆｅ又はＦｅＣｏを主成分とし、Ｃ、ＢおよびＮから選ばれる１又は２以上の元素を含む金属であり、非晶質金属がＣｏ系非結晶質合金であること、（ｉｉ）非晶質金属がＣｏＺｒＮｂであること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板（１１）の主表面上に、順に積層された第１の反強磁性膜（１５））、第１の強磁性膜（１６）、非磁性膜（１７）および第２の強磁性膜（１８）を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第２の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚（ｔ_２）を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第２の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜（３７）と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極（２１）と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）