【課題】記録再生中、誤差が生ずることがない信頼性の高いパターンドメディア及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】パターンドメディアは、基板、軟磁性層、非磁性層、中間層及び記録層とを有する。記録層は非磁性材料と磁性材料からなるパターン構造を有し、非磁性材料のヤング率は磁性材料のヤング率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】マグネチックドメイン移動を利用した磁気メモリを提供する。
【解決手段】複数のマグネチックドメインが形成され、該マグネチックドメインからなるデータビットがアレイに保存されうるメモリトラックを具備し、該メモリトラックは、非晶質軟磁性物質からなることを特徴とする磁気メモリである。 （もっと読む）

【課題】 適度の大きさの一軸磁気異方性を有し、且つ大きな電気被抵抗と高い飽和磁化を有した、透磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供する。
【解決手段】 一般式(Co₁-aFea)100-_X-_YM_XO_Yで示され、Mは Dy, Er, Gd, Hf, Li, Mg, Nd, Sc, Sr, Tm, Y, YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上ノ元素であり、その組成比aはa＜0.3、xおよびyは原子%で8＜x＜12, 27＜y＜37で、且つ36＜x+y＜48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30Oe以上100Oe以下、電気比抵抗値が300μΩcm以上1500μΩcm以下及び飽和磁束密度が8kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性膜。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系で、高い透磁率を有する磁性膜を提供する。
【解決手段】磁性膜１４は基板１０上に設けられている。基板１０は、Ｓｉからなる平板状の基体１１と、基体１１の上面に形成されたＳｉ酸化膜１２から構成されている。磁性膜１４は、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系の磁性体から構成されている。この磁性体のＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系のアモルファス相は、最大径１０ｎｍ〜３０ｎｍの結晶相を体積比０．００６％〜６．２％で含んでいるか、あるいは１μｍ^３あたり８個〜７２００個の割合で含んでいる。 （もっと読む）

【目的】装置改良に技術的な工夫をほとんど必要としない希土類薄膜磁石の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】アモルファス薄膜状に作製した希土類化合物を熱処理で結晶化させる段階で磁界をかけながら熱処理（光照射または電気炉を用いたヒーター加熱）を行うことにより、結晶化させることを特徴とする希土類薄膜磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系で、高い透磁率を有する磁性膜を製造する。
【解決手段】 まず、基板１０上にＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系の磁性膜１４をスパッタリングにより形成する。基板１０は、Ｓｉからなる基体１１と、基体１１の上面に形成されたＳｉ酸化膜１２から構成されている。次に、磁性膜１４を３７５℃以下の温度で加熱する。これにより、加熱前に比べて磁性膜１４の透磁率を確実に上昇させることができる。磁性膜１４を１６０℃以上３５０℃以下の温度で加熱すれば、磁性膜１４の透磁率を加熱前に比べて十分に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】安価で少ない工程で実施可能な磁気パターンニングされた磁性体板を提供する。
【解決手段】磁気パターンニングされた磁性体板は、一つの表面に平坦な表面領域と凹凸のある非平坦な表面領域とを有する非磁性材料基板と、前記一つの表面に被着された磁性膜とを備え、該磁性膜は前記平坦な表面領域では該磁性膜の本来の磁気特性を保持し前記非平坦な表面領域では該本来の磁気特性を保持しないパターンニングが形成されるように構成されている。また、その製造方法では、非磁性材料基板上の平坦な表面の一部の領域に物理的あるいは化学的に凹凸を設け、該凹凸が形成された前記非磁性材料板の表面上に磁性膜を形成して、前記平坦な表面上では磁性体が本来持つ磁気特性を保持させ、前記凹凸のある領域上では磁気特性を失わせるかまたは変化させる。 （もっと読む）

【課題】磁界検出素子において、トンネルバリア層をより平坦に形成する。
【解決手段】磁界検出素子は、下部層７と、非磁性・非導電性のトンネルバリア層８と、上部層９とを有している。下部層７、トンネルバリア層８、および上部層９はこの順で互いに隣接して積層されている。センス電流２２に対する抵抗値が外部磁界に応じて変化することによって外部磁界の大きさを検知するように、下部層７と上部層９のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】低いスイッチング磁場と高い磁気抵抗比を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】本発明は、非磁性中間層に分離される自由層と固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層と、を含むことを特徴とする。前記自由層は、例えば非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ/ＲＵ/非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】変造防止機能を高めた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の片面に設けられ、非磁性特性を有した金属材料により形成される金属層２と、金属層２の上に設けられ、特定の磁気履歴特性を有したアモルファス強磁性体膜３、４と、アモルファス強磁性体膜３、４の少なくとも一部にパターン情報を記録したパターン情報部とを備え、アモルファス強磁性体膜３、４及び／又はパターン情報部は、磁気履歴特性を変化させるときにパンチ穴１０があけられる。 （もっと読む）

【課題】 インダクタンス値を限りなく低くした、また、ノーマルモード特性にて、ノイズを与えない磁気結合の優れた高効率なインダクタンス構造とした、薄いフレキシブルなフリップチップタイプの薄膜磁性体を用いたインダクタを得る。
【解決手段】 薄い薄膜磁性体からなる第１の磁性層上層１０，１２と、相対する１対の導体コイルと、絶縁層からなるコイル構造であって、磁性体は、数μｍから数１０μｍの樹脂基板の両面上に、第１の磁性層上層１０，１２を成膜して構成した複合磁性体を、相対して接着した導体コイルの両側に配置し、前記導体コイルは、樹脂基板の片側に渦巻き状に形成され、内端が前記樹脂基板の厚み方向に貫通するスルーホール媒体を介して前記樹脂基板の他面側に導かれており、極薄でフレキシブルなフリップチップタイプのコモンモードチョーク構成である薄膜磁性体を用いたインダクタとする。 （もっと読む）

【課題】 簡単なメモリ構成を有し、製造コストが安い、不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】 十字状パターンを有するホール素子３上に絶縁膜２を介して形成された磁性薄膜１からなる不揮発性メモリにおいて、磁性薄膜１を容易軸が前記十字状パターンの電圧出力方向に沿い、かつ前記十字状パターン上に形成し、磁性薄膜1は、矩形状の一軸異方性を有し、少なくともＣｏとＳｍとを含有するアモルファス合金からなる不揮発性メモリである。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性裏打ち層に起因するスパイクノイズを抑制して優れた磁気記録特性を実現すると共に、生産性に優れた垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【解決手段】 非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、反強磁性層、非磁性下地層、磁気記録層をこの順に積層した垂直磁気記録媒体において、磁気記録層をグラニュラー構造とし、非磁性下地層を膜厚５ｎｍ以上のｈｃｐ構造を有するＲｕもしくはＲｕを含む合金から構成し、反強磁性層をｆｃｃ構造を有する少なくともＭｎを含む合金から構成し、軟磁性裏打ち層と反強磁性層とを直接積層することを特徴とする。
反強磁性層はＩｒＭｎ合金、軟磁性裏打ち層はｆｃｃ構造を有し少なくともＮｉとＦｅを含む合金とすることが好ましい。また、軟磁性裏打ち層は、二層以上の軟磁性層が直接積層した構造とし、また、軟磁性裏打ち層の最表面と磁気記録層の最底面との距離が２５ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 磁化反転のシフトを低減することが可能な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】 磁気記録素子は、磁化方向が固定され、単位面積当たりの磁気モーメントの値がｍ１である第１強磁性層２１を含む。非磁性層２２は、第１強磁性層と接する。非磁性層と第１強磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ１である。第２強磁性層２３は、非磁性層の第１強磁性層と反対の面と接し、磁化方向が固定され、単位面積当たりの磁気モーメントの値がｍ１より小さいｍ２である。第２強磁性層２３と非磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ２である。バリア層１３は、第２強磁性層の非磁性層と反対の面と接する。バリア層と第２強磁性層との間の界面のラフネスの振幅がｈ１およびｈ２より小さいｈ３である。第３強磁性層１１は、バリア層の第２強磁性層と反対の面と面し、磁化方向が可変である。 （もっと読む）

【課題】 バイアス層の保磁力の向上、およびジャンクション抵抗の低下を図ることによって出力の向上が可能な磁気検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、反強磁性層２３と固定磁性層２４と非磁性材料層２５とフリー磁性層２６とを含む多層膜３１が形成されている。前記多層膜３１の両側方部には、真空中で削り込んだ凹部３１ａが形成されている。前記凹部３１ａの底面３１ｃは、前記反強磁性層２３の上面２３ａと下面２３ｂとの間に位置している。前記凹部３１ａの底面３１ｃ上に、凹部３１ａ形成工程時と同一の真空中で連続工程によって形成された、膜厚１０Å以上３２Å以下のアモルファス遮断層４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体に記録された情報を読み出す際のＳ／Ｎ比を向上させ、高密度記
録を行なうことが可能な磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体及び磁気記録再生装置は、基板と、前記基板上
に形成した下地層と、前記下地層上に形成した磁気記録層とを有し、前記磁気記録層は、
円形で大きさの揃った非晶質により分割された磁性粒子の集合体であるクラスタを、前記
下地層面に一様に六方格子状の最密構造で規則配列させるとともに、前記クラスタ間に母
材を配置し、前記クラスタ間を分離して、前記磁性粒子の結晶軸が、前記下地層の結晶配
向に比較して特定の方向に配向することで、Ｓ／Ｎ比を向上させ高密度記録を可能とする
。 （もっと読む）

【課題】 ノイズ特性等の電磁変換特性と熱安定性を損ねることなく書き込み特性の向上を実現した垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性下地層４およびグラニュラー型の磁性層５を備えた垂直磁気記録媒体において、微小角入射Ｘ線回折による強磁性結晶粒測定にて、χ軸角度を６９．５°として得られたｆｃｃ（１１１）ピーク積分強度をＡとし、χ軸角度を６０．２°として得られたｈｃｐ（１０１）ピーク積分強度をＢとして、Ａ／Ｂが０．２以上、１．５以下であることを特徴とする。軟磁性裏打ち層２、シード層３を備えてよく、シード層３はアモルファス構造を有する層とｆｃｃまたはｈｃｐの結晶構造を有する層の積層が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特異な磁気特性を有し、偽造困難で、かつ、真偽判別を簡単にする。
【解決手段】 樹脂基材上に、非晶質磁性体薄膜を形成した偽造防止体２を安全保護紙１に挿入又は埋設する。偽造防止材料は抗磁力が小さく、飽和磁束密度Ｂｍが大で、短時間で製膜可能。真偽判定装置Ｉの励磁コイル３から磁気線条２の偽造防止膜に交流磁界を印加すると、その磁束密度変化を磁気ヘッド４が検出し、周波数分析器６により励磁周波数の倍数位置に出力電圧が発生する周波数スペクトラムを得る。判定回路７は、真正な磁性体薄膜の周波数スペクトラムの周波数分布位置及びその出力値との比較により真偽を判定する。磁気異方性が少ないので、真偽判別の際の励磁の方向に関係なく検出出力が発生する。 （もっと読む）

【課題】高感度にして高精度に外部磁界を検出できると共に、温度補償が不要で出力の直線性が劣化し難く、しかも消費電力が小さくて歩留まり良く廉価に製造できる磁界検出装置を提供すること。
【解決手段】この磁界検出装置は、磁界検出方向に傾斜したストライプ状磁区構造の薄膜磁性体を持つステップ状磁気インピーダンス素子１と、素子１に交番磁界をバイアス磁界として磁界検出方向に印加する交番バイアス電源回路２と、素子１に高周波電流を通電させる直列接続された高周波電源３及び抵抗器４と、回路２によるバイアス磁界、並びに外部磁界が印加されたときの素子１における高周波キャリア成分を除去するための高周波キャリア成分除去回路５と、素子１から回路５経由で得られる素子インピーダンスのステップ状変化をパルス信号に変換するための微分処理を行う微分処理回路６とを備えて構成される。 （もっと読む）