【課題】軟磁性薄膜における透磁率をより効果的に向上させることが可能な磁性薄膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ系軟磁性膜１２２よりも透磁率の高い軟磁性膜であるＣｏ系アモルファス軟磁性膜１２１上に、Ｆｅ系軟磁性膜１２２を形成する。これにより、Ｆｅ系軟磁性膜１２２における磁化反転が容易となり、磁性薄膜（下部磁性膜１２Ａや上部磁性膜１２Ｂ）全体としての透磁率が向上する。また、Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜１２１とＦｅ系軟磁性膜１２２との間の膜厚比を、適切な範囲内（０．００５以上かつ０．０３０以下）に設定する。これにより、Ｃｏ系アモルファス軟磁性膜１２１からＦｅ系軟磁性膜１２２への応力の影響が低減し、応力の影響による磁性薄膜全体としての透磁率低下が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板と複合磁性膜の間に優れた密着性を有するバッファ層を具備する磁性材料、この磁性材料を用いたアンテナデバイス、およびその磁性材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
表面を有する基板と、長手方向が前記基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体、およびこの柱状体の間隙に形成された無機絶縁体を有する複合磁性膜と、前記基板と前記複合磁性膜の間に形成され、前記複合磁性膜と同一の構成元素を有するバッファ層と、を具備することを特徴とする磁性材料、およびこの磁性材料を含むアンテナ基板とこのアンテナ基板の主面近傍に配置されたアンテナを有するアンテナデバイス、ならびに前記磁性材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体用基板の表面形状の評価を、より適切な指標を用いて行う。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体の製造に用いられる垂直磁気記録媒体用基板の形状を検査する垂直磁気記録媒体用基板の検査方法であって、主表面が研磨された円盤状の基板の断面形状を測定する断面形状測定段階Ｓ２０２と、断面形状測定段階Ｓ２０２で測定された断面形状の波形をフーリエ変換することにより、断面形状の波形を波長と強度との関係に変換するフーリエ変換段階Ｓ０４と、フーリエ変換段階Ｓ２０４で得られた波長と強度との関係に基づいて基板の合否を判定する判定段階Ｓ２０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が、ＮｂまたはＺｒまたはＨｆのうち少なくともいずれかひとつと、ＦｅとＢとを含み、かつ、非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は結合層（層間結合力制御層）を介して複数の記録層を積層配置した垂直磁気記録媒体に関し、薄膜化による媒体ノイズの低減と記録性能の両立を図ることを課題とする。
【解決手段】非磁性基板１と、非磁性基板１上方に形成された軟磁性裏打ち層１０と、軟磁性裏打ち層１０上に形成された中間層２０と、中間層２０上に形成された磁気記録層３０（第１記録層３１，層間結合力制御層３２，第２記録層３３よりなる）とを有する垂直磁気記録媒体であって、層間結合力制御層３２と第１記録層３１の界面３４、及び層間結合力制御層３２と第２記録層３３の界面３５に、反強磁性結合状態となる磁性領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

【課題】本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】対の強磁性層（磁化固定層５と磁化自由層７）が中間層６を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層５，７のうち少なくとも一方は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを主成分とし、非晶質化のための添加元素として、Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｏのいずれか１種以上を含み、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む磁気抵抗効果素子１と、この磁気抵抗効果素子１を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性を有し、かつトンネル抵抗変化率の低下を抑制することができる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。バリア層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化する非晶質または微結晶質の軟磁性材料で形成された第１のフリー層が配置されている。第１のフリー層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに、第１のフリー層と交換結合した結晶質の軟磁性材料で形成された第２のフリー層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの低減及び書き込み性の向上を両立することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】多結晶強磁性層５としてＦｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含む結晶化した強磁性層が形成されている。多結晶強磁性層５の厚さは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましく、１ｎｍ〜５ｎｍとすることがより好ましい。スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。つまり、下層及び上層の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、下層と上層との間に反強磁性的な結合が現れている。軟磁性裏打ち層１１上に中間層６が直接形成されている。中間層６の厚さは１０ｎｍ〜２０ｎｍである。中間層６として、結晶構造が六方稠密構造のＲｕ層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】確実に磁性結晶粒の微細化に貢献することができる多結晶構造膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】島状磁性結晶粒３２は第１分離層３３に覆われる。島状磁性結晶粒３６、３８は結晶層３５、４１上に形成される。結晶層３５、４１の働きで磁性結晶粒３６、３８の配向は揃えられる。結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。非晶質層３４、３９によれば、製造過程で磁性結晶粒３２、３６および結晶層３５、４１の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒３２、３６の配向は確実に維持される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上が図れる磁気抵抗素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層とを有し、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくともいずれかは、式Ｍ１_ａＭ２_ｂＸ_ｃ（５≦a≦６８、１０≦ｂ≦７３、２２≦ｃ≦８５）で表される磁性化合物を有し、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素、Ｘは、Ｎ，Ｏ，Ｃから選択される少なくとも一種の元素である。 （もっと読む）

【課題】反強磁性結合ソフト基層を含む垂直磁気記録メディア提供する。
【解決手段】第１の磁性層と、スペーサ層と、第２の磁性層をこの順に含む磁気記録メディアであって、スペーサ層が非磁性層を含み、スペーサ層の厚さが第１の磁性層と第２の磁性層との間に反強磁性結合を確立させるように選ばれ、第１および第２の磁性層の両方の厚さが磁性層中にストライプ・ドメインを形成する臨界厚さよりも小さい磁気記録メディアが開示されている。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果やセンサ分解能を低下させることなく電流誘起ノイズを最小限に抑えたCPPセンサが求められている。
【解決手段】反平行フリー(APF)構造を備え、センス電流の方向を特定の方向に限定した面直電流型（CPP）磁気抵抗センサ２００は、第１フリー強磁性層（FL1）２０１、第２フリー強磁性層（FL2）２０２、および、反平行結合APC層２０３から成り、APC層２０３は、FL1とFL2を反強磁性的に結合し、その結果、FL1とFL2がほぼ反平行の磁化方向を有し、磁界が存在すると一致して回転する。FL1とFL2の厚さは、センサのフリー層全体(APF)として望ましい磁気モーメント／面積が得られるように設定する。FL1の厚さは、バルクスピン依存散乱を増加させてセンサ信号を大きくするためにFL1材料における電子のスピン拡散距離よりも大きくすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録ができ、しかも熱揺らぎに対する安定性を高めることの可能な構造を有する磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性基板１１上に周方向のテクスチャーを設け、非磁性基板１１の上層には、非磁性アモルファス層からなる密着層１２を形成している。この構成により、１．６より大きなＭｒｔ−ＯＲを実現でき、ＡＦＣ構造を適用しなくても、磁気記録ディスクにおける熱揺らぎに対する安定性を高めることができる。また、Ｍｒｔを円周方向で０．３５０ｍｅｍｕ／ｃｍ²より大きく設定したため、熱揺らぎに対する安定性を実用上、問題のないレベルにまで低減でき、かつ、６５Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ²以上の高記録密度化を達成できる。 （もっと読む）